一种磁性随机存取存储器（ＭＲＡＭ）单元，其包含磁性金属层与接近该磁性金属层的磁性感测设备。该磁性金属层的其中一端与字线晶体管耦接，而其另一端与第一位线耦接。该磁性感测设备可与第二位线耦接。该磁性金属层兼具编程及读取该单元的两种功能，使该...

本发明提供一种差动感测放大器，可配置为前置放大器或闩锁电路，由连接切换电路的时钟信号启动。当时钟信号设定在第一信号电平时，差动感测放大器的切换电路被启动，使得差动感测放大器配置为具有正反馈电路的前置放大器。当时钟信号设定在第二信号电平时...

一种操作多个非挥发性多阶存储器单元的方法。此存储器单元具有至少第一、第二、第三及第四编程准位。每一编程准位对应于一相异的二进制状态且具有一临界电压分布。维持每一存储器单元的操作电压固定且变更施加于每一存储器单元的程序化脉冲的脉冲宽度以控...

一种编程非易失性存储单元阵列的方法，该方法包含：　　　　为了响应编程该阵列的非易失性存储单元的指令，施加电压安排于该阵列的位线，以编程该非易失性存储单元，包含：　　　　施加第一位线电压至第一位线，该第一位线电连接至该阵列的非易失性存储单...

一个或多个脉冲信号被用来控制检测放大器的测量。例如，多重临界电压测量类型特征化该多重脉冲信号，并且选用该适当的脉冲信号以选择该适当的测量类型。在另一示例中，多重脉冲信号控制非易失性存储器的特定位置的多重测量，因此，多重脉冲信号中的一个被...

一种用于譬如闪存的包含以行列方式配置的存储器单元的非易失性存储器的区段抹除方法，存储器单元被分割成多个区段。区段抹除方法包含：通过施加电压大小或脉冲宽度逐渐增加的连续抹除脉冲来抹除第一区段的存储器单元，直到第一区段的抹除确认为止；记录对...

本发明公开一种非易失性存储元件，其包括多个通过单一Ｙ多路器而接合至存储单元阵列的电源控制电路。此多个电源控制电路可提供多个预充电路径，其配置用以预充电此阵列中目标存储单元的漏极节点，并同时预充电在阵列中未被选择的存储单元的漏极及／或源极...

本发明是提出一种可降低使用者编程操作的编程边界的可编程非易失性存储元件与其测试方法。此存储元件包括多个存储单元，每个存储单元具有初始临界电压。在测试编程操作中，每个存储单元被编程至具有大于初始临界电压最大值的第一临界电压，使得使用者编程...

一种存储元件，包括：　　　　存储单元；　　　　感测放大器，其具有耦接至所述存储单元的感测区间，所述感测放大器在所述感测区间中产生信号，所述信号指定在所述存储单元中的一个数据数值，所述感测区间由时序信号所定义；　　　　耦接至所述感测放大器...

本发明公开了涉及非易失性存储器的数据保存的装置、方法及制造方法。在许多实施例中，除了使用标准参考电流之外再加上许多监控参考电流被用于确定是否需更新数据存储器。

本发明披露了一种改变氮化物存储器单元中多位单元内多电平单元编程顺序的方法，该方法可降低或消除编程步骤之间起始电压移动，且同时避免因互补位扰乱所引起读取窗持续时间的抑制。在第一实施例中，本发明依下列顺序编程具四位的多位单元内的多电平单元：...

一种与非门存储元件利用绝缘层上覆硅技术所制造。具体地，可使用薄膜晶体管技术以制造此与非门闪速存储元件。在绝缘层上覆硅以及薄膜晶体管结构中，此存储器的本体（或阱）是被隔离的。此结构可用以允许对个别存储单元进行逐位编程及擦除动作，并可严格控...

粗略地描述，本发明提供存储器，其包括多个电连接且共同分享字线的邻近存储单元中的第一和第二目标存储单元。此两个目标存储单元在沿着电连接的字线上彼此分离至少一个额外的存储单元，且这些目标存储单元的第一电流路径端在沿着此字线上与这些目标存储单...

一种Ⅵ族元素化合物存储单元的操作方法，其特征在于藉由施加一非结晶状态电流脉冲到该存储单元以重置该存储单元，以使得该存储单元中的一Ⅵ族元素化合物记忆体组件的一温度上升并高于一第一温度，且在一第一时间间隔中该Ⅵ族元素化合物存储单元的该温度维...

本发明披露一种非挥发存储集成电路的读取参考值的改变，以回应与先前编程数据位相关的先前产生的检查码与回应读取命令而产生的新检查码之间的不一致。

本发明涉及一种用于存储器单元的数据储存方法及其存储器单元。用于存储器单元的数据储存方法包含以下步骤：首先，分割存储器单元为多个小存储器群；接着，定义各个小存储器群的临界电压分布区域；其次，依据各个小存储器群的临界电压分布区域来定义各个小...

提供一种非易失性存储器的制造方法。首先，提供一待编码存储器，具有排成阵列的多个待编码存储体。接着形成一植入阻抗层于待编码存储器上。设置一屏蔽于待编码存储器上，屏蔽的开孔下方的部分待编码存储体的数量少于其余待编码存储体的数量。以屏蔽形成一...

本发明揭示了一种闪存阵列的读取操作方法，所述闪存具有多个存储器单元、多条字元线、多条偶数位元线、多条奇数位元线及多个位元线晶体管。所述读取操作方法包括对偶数位元线临时预充电至大约Ｖｃｃ／ｎ及对奇数位元线临时预充电至地电势，然后对流进／流...

本发明是有关于一种记忆体及其低偏移量限制偏压电路。本发明的记忆体，包括：多个记忆单元阵列区及低偏移量限制偏压电路，其中每一个记忆单元阵列区具有多个记忆单元，且低偏移量限制偏压电路，包括：定电压源产生器及限制偏压调变器。本发明的低偏移量限...

一种用以在一内存数组中决定读取电压容限的方法，其比较从自内存数组中读取的数据产生的已读总和码与加载数据产生的期望总和码。读取电压（Ｖｔ）是阶梯状，且已读总和码与期望总和码比较，以决定提供与总和码匹配的Ｖｔ范围。多个读取电压容限（亦即在Ｍ...