非易失性存储器的多电平单元编程方法技术

本发明专利技术披露了一种改变氮化物存储器单元中多位单元内多电平单元编程顺序的方法，该方法可降低或消除编程步骤之间起始电压移动，且同时避免因互补位扰乱所引起读取窗持续时间的抑制。在第一实施例中，本发明专利技术依下列顺序编程具四位的多位单元内的多电平单元：编程一第三编程电平（电平Ⅲ），编程一第一编程电平（电平Ⅰ）与一第二编程电平（电平Ⅱ）至电平Ⅰ，以及自第一编程电平对第二编程电平进行编程。在第二实施例中，本发明专利技术依下列顺序编程具四个位的多位单元内的多电平单元：编程一第三编程电平（电平Ⅲ），编程一第二编程电平（电平Ⅱ）及编程一第一编程电平（电平Ⅰ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种电子数据储存装置，具体而言，是关于一种非易失性多电平单元(MLCmulti-level-cell)半导体存储器装置及一种在对多单元(MBC)存储器内的多电平单元进行一系列编程时维持读取窗的持续时间的方法。
技术介绍
已知为电子可擦除的可编程只读存储器(EEPROM)及闪存的以电荷储存结构为主的电子可编程的可擦除非易失性存储器技术已广泛应用于许多现代应用上。闪存被设计成可以单独编程及读取的存储器单元阵列。闪存内的读出放大器是用以测定储存于非易失性存储器内的数据或数值。在典型的检测机制里，通过被感测的存储器单元的电流是由一电流读出放大器与参考电流进行比较。许多存储器单元结构可以用来作为EEPROM及闪存。随着集成电路越来越小，以电荷捕获介电层为主的存储器单元结构因为制造过程简单而越来越受到青睐。存储器单元结构介由捕获在捕获介电层内例如氮化硅层内的电荷的方式来储存数据。当负电荷被捕获时，存储器单元的起始电压会增加。存储器单元的起始电压是经由从电荷捕获层移除负电荷的方式来降低。如图1所示，图1示出一种传统多单元编程方法100，该方法是依次对具四位的氮化物捕获存储器单元进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种编程一四位氮化物捕获存储器单元中的一多位单元内的一多电平单元的方法，该方法包括：进行该氮化物存储器单元内的电平三的编程，其中该电平三的编程具有一第三起始电压电平；在该电平三编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编 程，其中该电平二的编程具有第二起始电压电平；及在该电平二编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程，其中该电平一的编程具有第一起始电压电平；其中该第三起始电压电平高于该第二起始电压电平，且其中该第二起始电压电平高于该 第一起始电压电平。

【技术特征摘要】
US 2005-11-17 11/281,1811.一种编程一四位氮化物捕获存储器单元中的一多位单元内的一多电平单元的方法，该方法包括进行该氮化物存储器单元内的电平三的编程，其中该电平三的编程具有一第三起始电压电平；在该电平三编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编程，其中该电平二的编程具有第二起始电压电平；及在该电平二编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程，其中该电平一的编程具有第一起始电压电平；其中该第三起始电压电平高于该第二起始电压电平，且其中该第二起始电压电平高于该第一起始电压电平。2.如权利要求1所述的方法，还包括如果该电平三的编程已经通过电平三确认测试，进行该电平二的编程。3.如权利要求1所述的方法，还包括如果该电平二的编程已经通过电平二确认测试，进行该电平一的编程。4.如权利要求1所述的方法，还包括确认该氮化物捕获存储器单元内的电平三的编程；确认该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编程；及确认该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程。5.一种编程一存储器阵列中氮化物捕获存储器单元内的多电平单元的方法，该方法包括进行该氮化物捕获存储器单元内的电平三的编程；在该电平三编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程及电平二的编程，其中该电平二编程被编程至该电平一编程；及在该电平一编程后，以一个起始电压从该电平一的编程开始进行该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编程；其中该电平三编程的起始电压电平高于该电平二编程的起始电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文乔，张钦鸿，张坤龙，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]