用于存储器单元的数据储存方法技术

本发明专利技术涉及一种用于存储器单元的数据储存方法及其存储器单元。用于存储器单元的数据储存方法包含以下步骤：首先，分割存储器单元为多个小存储器群；接着，定义各个小存储器群的临界电压分布区域；其次，依据各个小存储器群的临界电压分布区域来定义各个小存储器群的多个写入验证临界电压及多个参考检测值；其后，使用这些小存储器群来储存数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种数据储存方法及其单元，尤其涉及一种用于存储 器单元的数据储存方法及其存储器单元。
技术介绍
由于现今科技日新月异，存储器为了因应大量数据的储存，进而 发展为朝向容量更大、速度更快、寿命更长、更省电的趋势。 一般来说，容量为数百M(兆字节，megabytes)的存储器已逐渐不敷所求，已 迈向容量为数G (千兆位组，gigabytes)或是容量为数百G的存储器， 但高容量的特性容易导致存储器储存数据的电压分布范围过大。于 是，公知技术产生两项缺失，第一，若要加大各状态之间(例如第一 状态为逻辑电平1与第二状态为逻辑电平0)的感测窗(sensing window)以使得感测效果提升，则必须增加各状态之间的写入临界 电压差(programming threshold voltage difference)，而导致耗电及寿命 减少。第二，若要减少各状态之间的写入临界电压差来增加存储器使 用寿命及降低耗电，则状态之间的感测窗则会因此而减少，而导致分 辨各状态间的感测动作不易进行。以下将使用图1及图2表示并配合 文字说明。图1是公知的存储器单元数据储存操作的临界电压分布图。横轴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于存储器单元的数据储存方法，包含以下步骤：分割存储器单元为多个小存储器群；定义对应上述这些小存储器群的多个临界电压分布区域，其中上述这些小存储器的各个小存储器群具有至少一个临界电压分布区域；依据上述这些小存储器群的各个小存储器群的上述这些临界电压分布区域来定义这些小存储器群的各个小存储器群的多个写入验证临界电压及上述这些小存储器群的各个小存储器群的多个参考检测值；以及使用上述这些小存储器群来储存数据。

【技术特征摘要】
1.一种用于存储器单元的数据储存方法，包含以下步骤分割存储器单元为多个小存储器群；定义对应上述这些小存储器群的多个临界电压分布区域，其中上述这些小存储器的各个小存储器群具有至少一个临界电压分布区域；依据上述这些小存储器群的各个小存储器群的上述这些临界电压分布区域来定义这些小存储器群的各个小存储器群的多个写入验证临界电压及上述这些小存储器群的各个小存储器群的多个参考检测值；以及使用上述这些小存储器群来储存数据。2. 根据权利要求1所述的用于存储器单元的数据储存方法，其特 征是该存储器单元为一二电平存储器。3. 根据权利要求l所述的用于存储器单元的数据储存方法，其特 征是该存储器单元为多重电平单元存储器。4. 根据权利要求1所述的用于存储器单元的数据储存方法，其特 征是还包含储存小存储器群的分布信息至外部存储器，其中该分布信 息纪录上述这些临界电压分布区域。5. 根据权利要求1所述的用于存储器单元的数据储存方法，其 特征是还包含储存小存储器群的分布信息至缓冲存储器，其中该分布 信息纪录上述这些临界电压分布区域。6. 根据权利要求1所述的用于存储器单元的数据储存方法，其特 征是进一步包含依据上述这些小存储器群的各个小存储器群所对应 的上述这些临界电压分布区域的各个高界限来定义上述这些小存储 器群的各个小存储器群的上述这些写入验证临界电压及上述这些小 存储器群的各个小存储器群的上述这些参考检测值。7. 根据权利要求1所述的用于存储器单元的数据储存方法，其特 征是进一步包含依据上述这些小存储器群的各个小存储器群所对应 的上述这些临界电压分布区域的各个低界限来定义上述这些小存储 器群的各个小存储器群的上述这些写入验证临界电压及上述这些小 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重光，倪福隆，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]