用于控制非易失性存储器检测时间的方法及装置制造方法及图纸

一个或多个脉冲信号被用来控制检测放大器的测量。例如，多重临界电压测量类型特征化该多重脉冲信号，并且选用该适当的脉冲信号以选择该适当的测量类型。在另一示例中，多重脉冲信号控制非易失性存储器的特定位置的多重测量，因此，多重脉冲信号中的一个被选定，或是该适当的脉冲信号被产生以施加至适当的临界电压区间敏感度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器，特别涉及用于读取非易失性存储器的检测放大器的脉冲。
技术介绍
非易失性存储器的测量通常依靠检测放大器以比较来自该非易失性存储器的电压或电流与参考电压或电流。读取参考电平通常将会被置于将该检测区间保持在一个逻辑间的级别。例如，假如较低范围的临界电压代表第一逻辑值，例如是″1″，以及较高范围的临界电压代表第二逻辑值，例如是″0″，则该读取参考电平可以被置于在该较高和较低范围的区间之内。然而，更新参考电平可以被置于该读取参考电平和该较高范围的最小值之间；以及另一更新参考电平可以被置于该读取参考电平和该较低范围的最大值之间。利用该读取参考电平和该更新参考电平测量的不一致显示在更新存储单元时，该存储单元可以储存对应该较高范围或该较低范围的逻辑值的需要。编程检查参考电平可以被置于该最高范围的最小值。存储检查参考电平可以被置于该最低范围的最大值。此外，假如非易失性存储单元储存许多位，则存在多于两个的临界电压范围。因此，由多级储存所特征化的非易失性存储单元，具有读取参考电平、更新参考电平、编程检查电平，以及存储检查电平，用于介于任两个相邻临界电压范围内的每一逻辑电平间的区间。许多依临界值测量类型而变(例如，临界值区间敏感度以及逻辑电平间的宽度)的不同参考电平的存在，使检测放大器电路的设计变得复杂，因其对应每一参考电平的参考电路都必须被连接至该检测放大器电路。因此，有需要简化用于检测放大器电路的不同参考电平的产生电路。
技术实现思路
该技术的一个特征是非易失性存储器集成电路，其包含用以储存数据的非易失性存储器阵列，测量电路，以及控制电路。该测量电路连接至该非易失性存储器阵列以测量检测节点所代表的数据，以及包含至少一个检测放大器。该控制电路连接至该至少一个检测放大器。该控制电路产生至少该多重脉冲信号的一个脉冲信号，以及该控制电路选择该多脉冲信号的一个脉冲信号，以控制储存在非易失性存储器阵列中的数据检测放大器所执行的测量。许多的临界电压测量类型特征化该多重脉冲信号，以及每一该临界电压的测量类型对应至该多重脉冲信号的至少一个脉冲信号的一个特定的脉冲。该技术的另一特征是一种用于操作非易失性存储器检测放大器电路的方法，其包含选取多重脉冲信号的一个脉冲信号，以控制储存在非易失性存储器阵列中的数据检测放大器所执行的测量。多重临界电压测量类型特征化该多重脉冲信号，以及每一临界电压测量类型对应至该多重脉冲信号的至少一个脉冲信号的一个特定的脉冲。在某些实施例中，该特定的脉冲控制一个检测节点所代表该数据的放电时间。在某些实施例中，该检测放大器通过比较共同的参考电压，执行该多重临界电压测量类型。在某些实施例中，该多重临界电压测量的类型由许多的逻辑间电平区间特征化。例如，三个逻辑间电平区间分割四个逻辑电平，因此，该非易失性存储器阵列的每一特定位置储存四个逻辑电平中的一个。在一实施例中，每一逻辑电平宽度小于400mV。在某些实施例中，该多重临界电压测量类型是由许多的临界电压区间敏感度所特征化的。例如，决定是否更新该数据的第一敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第二敏感度。在另一示例中，第一敏感度与该数据编程检查相关而且第二敏感度决定该数据的逻辑值。在另一示例中，第一敏感度与该数据存储检查相关，而且第二敏感度决定该数据的逻辑值。在另一示例中，第一敏感度与该数据检测区间的高边界相关，以及第二敏感度与该数据检测区间的低边界相关，以及第三敏感度决定该数据的逻辑值。在另一示例中，第一敏感度与该数据编程检查值相关，第二敏感度与该数据存储检查值相关，以及第三敏感度决定该数据的逻辑值。在某些实施例中，该数据由临界电压特征化该非易失性存储器阵列的特定的位置所代表。在某些实施例中，该集成电路开机后，执行更新检测和更新至少部分的该阵列。该技术的另一特征是非易失性存储器集成电路，其包含用以储存数据的非易失性存储器阵列，测量电路，以及控制电路。该测量电路连接至该非易失性存储器阵列以测量检测节点所代表的数据，以及包含至少检测放大器。该控制电路连接至该至少一个检测放大器。该控制电路以许多的脉冲信号控制储存在该非易失性存储器阵列一个特定位置中的数据的多重检测放大器测量。多重临界电压区间敏感度特征化该多重检测放大器的测量，以及每一多重临界电压区间敏感度对应至该多重脉冲信号的至少一个脉冲信号的一个特定的脉冲。该技术的另一特征是一种用于操作非易失性存储器检测放大器电路的方法，其包含控制，以及多重脉冲信号，许多检测放大器测量储存在非易失性存储器阵列中特定位置的数据。多重临界电压区间敏感度特征化该多重检测放大器测量，以及每一多重临界电压区间敏感度对应至多重脉冲信号的至少一个脉冲信号的一个特定的脉冲。在某些实施例中，该特定的脉冲控制检测节点所代表该数据的放电时间。在某些实施例中，该多重检测放大器的测量是通过执行比较共同的参考电压，而不论该多重临界电压区间敏感度。在许多的示例中，该多重敏感度执行下列许多的功能。第一敏感度决定是否更新该数据，以及第二敏感度决定该数据的逻辑值。第一敏感度与该数据编程检查相关，以及第二敏感度决定该数据的逻辑值。第一敏感度与该数据存储检查相关，以及第二敏感度决定该数据的逻辑值。第一敏感度和第二敏感度决定是否更新该数据，以及第三敏感度决定该数据的逻辑值。第一敏感度与该数据检测区间的高边界相关，以及第二敏感度与该数据检测区间的低边界相关，以及第三敏感度决定该数据的逻辑值。第一敏感度与该数据编程检查值相关，第二敏感度与该数据存储检查值相关，以及第三敏感度以定该数据的逻辑值。在某些实施例中，该临界电压区间敏感度与逻辑间电平区间相关。此外，该多重临界电压区间敏感度与许多的逻辑间电平区间相关。在某些实施例中，该数据由临界电压特征化该非易失性存储器阵列的特定的位置所代表。在某些实施例中，该数据是由在四个逻辑电平其中的一个且每一至少400mV宽的区间的临界电压所表示。在某些实施例中，该非易失性存储器阵列的该特定的位置是电荷陷获存储单元的数据储存位置。在一示例中，该特定的位置是存储单元的数据储存位置。在另一示例中，该特定的位置是可编程电阻存储单元的数据储存位置。在某些实施例中，至少一个检测放大器包含一个检测放大器，执行该检测放大器的测量。此外，至少一个检测放大器包含多重检测放大器，执行该检测放大器的测量。在某些实施例中，在晶片开机时，完成该更新检测和更新操作。附图说明图1描述使用normal_Iref和monitor_Iref的用于具有较窄电荷损失边界的非易失性存储单元的临界电压设计算法。图2描述使用normal_Iref、monitor_Iref1和monitor_Iref2的用于具有较窄电荷损失边界以及较窄CM+RT+RD边界的非易失性存储单元的临界电压分布。图3描述结合该开机更新的方法A和方法B。图4描述用于图3方法A储存该更新标记的步骤。图5A描述相似于图2用于非易失性存储单元的临界电压分布。图5B描述结合图5A检测时间对应检测节点电压的图形。图5C描述结合图5A和5B，用于该较高和较低临界电压区间的正常检测脉冲和更新检测脉冲的电压波形。图6A类似图5B，描述用于多级单元应用的检测时间对应检测节点电压的图形。图6B类似图5C，结合图6A描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器集成电路，其包含：　　　　非易失性存储器阵列，用以储存数据；　　　　测量电路，连接至该非易失性存储器阵列以测量检测节点所代表的数据，包含至少一个检测放大器；以及　　　　控制电路，连接至该至少一个检测放大器，该控制电路产生多个脉冲信号的至少一个脉冲信号，以及该控制电路选择多个脉冲信号的一个脉冲信号，以控制由该检测放大器执行测量储存在该非易失性存储器阵列中的数据，其中多个临界电压测量类型特征化该多个脉冲信号，以及该多个临界电压测量类型的每一临界电压的测量类型对应该多个脉冲信号的至少一个脉冲信号的特定的脉冲。

【技术特征摘要】
US 2006-1-24 60/761,652;US 2006-12-21 11/614,7911.一种非易失性存储器集成电路，其包含非易失性存储器阵列，用以储存数据；测量电路，连接至该非易失性存储器阵列以测量检测节点所代表的数据，包含至少一个检测放大器；以及控制电路，连接至该至少一个检测放大器，该控制电路产生多个脉冲信号的至少一个脉冲信号，以及该控制电路选择多个脉冲信号的一个脉冲信号，以控制由该检测放大器执行测量储存在该非易失性存储器阵列中的数据，其中多个临界电压测量类型特征化该多个脉冲信号，以及该多个临界电压测量类型的每一临界电压的测量类型对应该多个脉冲信号的至少一个脉冲信号的特定的脉冲。2.如权利要求1所述的电路，其中该特定的脉冲控制检测节点所代表该数据的放电时间。3.如权利要求1所述的电路，其中该检测放大器通过比较共同参考电压，来执行该多个临界电压测量类型。4.如权利要求1所述的电路，其中该多个临界电压测量类型由多个逻辑间电平区间所特征化。5.如权利要求1所述的电路，其中该多个临界电压测量类型由三个逻辑间电平区间区分四个逻辑电平所特征化，其中该非易失性存储器阵列的每一特定位置储存该四个逻辑电平之一。6.如权利要求1所述的电路，其中该多个临界电压测量类型是由三个逻辑间电平区间区分四个逻辑电平所特征化，其中该非易失性存储器阵列的每一特定位置储存该四个逻辑电平之一，以及该四个逻辑电平的每一区间宽度小于400mV。7.如权利要求1所述的电路，其中该多个临界电压测量类型由多个临界电压区间敏感度所特征化。8.如权利要求1所述的电路，其中该多个临界电压测量类型由决定是否更新该数据的第一敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第二敏感度所特征化。9.如权利要求1所述的电路，其中该多个临界电压测量类型由伴随该数据编程检查的第一敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第二敏感度所特征化。10.如权利要求1所述的电路，其中该多个临界电压测量类型由伴随该数据存储检查的第一敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第二敏感度所特征化。11.如权利要求1所述的电路，其中该数据是临界电压特征化该非易失性存储器阵列的特定的位置所代表。12.如权利要求1所述的电路，其中在该集成电路开机后，执行更新检测和更新至少部分的该阵列。13.一种用于操作非易失性存储器检测放大器电路的方法，其包含选取多个脉冲信号的一个脉冲信号，以控制由检测放大器执行储存在非易失性存储器阵列中的数据的测量，其中多个临界电压测量类型特征化该多个脉冲信号，以及该多个临界电压测量类型的每一临界电压的的测量类型对应多个脉冲信号的至少一个脉冲信号的一个特定的脉冲。14.如权利要求13所述的方法，其中该特定的脉冲控制检测节点代表该数据的放电时间。15.如权利要求13所述的方法，其中该检测放大器通过比较共同的参考电压执行该多个临界电压测量类型。16.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由多个逻辑间电平区间所特征化。17.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由三个逻辑间电平区间区分四个逻辑电平所特征化，其中该非易失性存储器阵列的每一特定位置储存该四个逻辑电平之一。18.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由三个逻辑间电平区间区分四个逻辑电平所特征化，其中该非易失性存储器阵列的每一特定位置储存该四个逻辑电平之一，以及该四个逻辑电平的每一区间宽度小于400mV。19.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由多个临界电压区间敏感度所特征化。20.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由决定是否更新该数据的第一敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第二敏感度所特征化。21.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由与该数据编程检查相关的第一敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第二敏感度所特征化。22.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由伴随该数据存储检查的第一敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第二敏感度所特征化。23.如权利要求13所述的方法，其中该数据由临界电压特征化该非易失性存储器阵列的特定位置所代表。24.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型由与该数据检测区间的高边界相关的第一敏感度，以及该数据检测区间的低边界的第二敏感度，以及决定该数据的逻辑值的第三敏感度所特征化。25.如权利要求13所述的方法，其中该多个临界电压测量类型是与该数据编程检查值相关的第一敏感度，伴随该数据存储检查值的第二敏感度，以及以决定该数据的逻辑值的第三敏感度所特征化。26.如权利要求13所述的方法，其中在该集成电路开机后，执行更新检测和更新至少部分的该阵列。27.一种非易失性存储器集成电路，其包含用以储存数据的非易失性存储器阵列；测量电路，连接至该非易失性存储器阵列以测量检测节点所代表的数据，包含至少检测放大器；以及控制电路，连接至该至少检测放大器，该控制电路利用多个脉冲信号控制，以多个检测放大器测量该非易失性存储器阵列的特定位置所储存的数据，其中多个临界电压区间敏感度特征化该多个检测放大器的测量，以及该多个临界电压区间敏感度的每一临界电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重光，倪福隆，施义德，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]