改变读取参考电流以存取具有读取错误的非挥发存储器的装置与方法制造方法及图纸

本发明专利技术披露一种非挥发存储集成电路的读取参考值的改变，以回应与先前编程数据位相关的先前产生的检查码与回应读取命令而产生的新检查码之间的不一致。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术相关于非挥发存储集成电路，更确切地说，相关于自非 挥发存储器所读取出数据的错误检测以及错误更正。
技术介绍
非挥发存储器的目的是可靠地储存数据，因此电源消失并 不会影响数据储存的完整性。为了允许会影响非挥发存储单元的 临界电压的不可预见的电荷获得或是电荷流失的情况，边界被用 来区隔代表不同逻辑级别的临界电压范围。然而，虽然有此边界， 错误仍不可避免地发生，例如一数据位编程至高逻辑级别被读取 为低逻辑级别，或是相反。虽然错误更正和错误检测演算法可以处理某些这样的错 误，但是错误更正和错误检测演算法只是设计用来处理有限的错 误位。当超过此极限后，错误更正和错误检测演算法就不够使用 了。此外，错误检测仅会检测但不会更正这样的错误。 因此，需要一种改良使得非挥发存储集成电路更能面对这 样的错误
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种读取非挥发存储器的方 法。其回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路，该非挥发存储集成电路进行下列步骤根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码。在不同的实施例中，此第一检查码是 错误检测码或是错误更正码。存取储存于该非挥本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读取非挥发存储器的方法，包括：回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路，该非挥发存储集成电路进行：根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码，其作为与该多个（非挥发）数据位相关的多个非挥发（数据）检查位；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发（数据）位的至少一个参考值，以区别该多个非挥发（数据）位所代表的逻辑级别。

【技术特征摘要】
US 2006-5-8 60/746,733;US 2007-4-16 11/735,9111、一种读取非挥发存储器的方法，包括回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路，该非挥发存储集成电路进行根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发(数据)位的至少一个参考值，以区别该多个非挥发(数据)位所代表的逻辑级别。2、 如权利要求1所述的方法，其中该至少一个参考值是参 考电流。3、 如权利要求l所述的方法，其中该至少一个参考值是参 考电压。4、 如权利要求1所述的方法，其中该第一检查码与该第二 捡査码是错误更正码。5、 如权利要求l所述的方法，其中该第一检查码与该第二 检査码是错误检测码。，6、 如权利要求1所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还进行 于该改变至少一个参考值之后，根据存取储存于该非挥发存 储集成电路中的该多个非挥发数据位，使用该至少一个参考值来 产生更新的第一检查码。7、 如权利要求1所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还迸行于该改变至少一个参考值之后，进行根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非 挥发数据位，使用该至少一个参考值来产生该第一检查码；以及 检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。8、 如权利要求l所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还进行于该改变至少一个参考值之后，进行-根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发数据位，使用该至少一个参考值来产生该第一检查码；使用该至少一个参考值，存取储存于该非挥发存储集成 电路中的该第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位；以及检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。9、 如权利要求1所述的方法，其中该非挥发存储集成电路还进行于该改变至少一个参考值之后，进行-根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发数据位，使用该至少一个参考值来产生该第一检查码；使用该至少一个参考值，存取储存于该非挥发存储集成电路中的该第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；以及 回应该第一捡查码与该第二检查码间的另一不相符，改 变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发 (数据)位该至少一个参考值，以区别该多个非挥发(数据)位所代 表的逻辑级别。10、 如权利要求l所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还进行于该改变至少一个参考值之后，进行直到自一系列检查该第一检查码与该第二检查码是否 相符得到成功的结果，反复地改变施加至存取储存于该非挥发存 储集成电路中的该多个非挥发(数据)位该至少一个参考值，以区 别该多个非挥发(数据)位所代表的逻辑级别。11、 如权利要求l所述的方法，其中该至少一个参考值区别该逻辑级别的至少一个第一逻辑级别与一个第二逻辑级别，该第一逻辑级别与相较于该第二逻辑级别为高的临界电压相关，且该 改变至少一个参考值包括改变至少一个参考值，使得与该第一逻辑级别相关的临界电 压的第一范围变宽而与该第二逻辑级别相关的临界电压的第二 范围变窄。12、 如权利要求l所述的方法，其中该至少一个参考值区别该逻辑级别的至少一个第一逻辑级别与一个第二逻辑级别，该第一逻辑级别与相较于该第二逻辑级别为高的临界电压相关，且该 改变至少一个参考值包括改变至少一个参考值，使得与该第一逻辑级别相关的临界电 压的第一范围变窄而与该第二逻辑级别相关的临界电压的第二 范围变宽。13、 一种非挥发存储集成电路，包括非挥发存储阵列；以及控制电路耦接至该非挥发存储阵列，该控制电路进行下列步骤来回应给该非挥发存储集成电路所接收的读取命令根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位； 检查该第一检查码与该第二检查码是否相符； 于该产...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，陈汉松，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]