改变读取参考电流以存取具有读取错误的非挥发存储器的装置与方法制造方法及图纸

本发明专利技术披露一种非挥发存储集成电路的读取参考值的改变，以回应与先前编程数据位相关的先前产生的检查码与回应读取命令而产生的新检查码之间的不一致。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术相关于非挥发存储集成电路，更确切地说，相关于自非 挥发存储器所读取出数据的错误检测以及错误更正。
技术介绍
非挥发存储器的目的是可靠地储存数据，因此电源消失并 不会影响数据储存的完整性。为了允许会影响非挥发存储单元的 临界电压的不可预见的电荷获得或是电荷流失的情况，边界被用 来区隔代表不同逻辑级别的临界电压范围。然而，虽然有此边界， 错误仍不可避免地发生，例如一数据位编程至高逻辑级别被读取 为低逻辑级别，或是相反。虽然错误更正和错误检测演算法可以处理某些这样的错 误，但是错误更正和错误检测演算法只是设计用来处理有限的错 误位。当超过此极限后，错误更正和错误检测演算法就不够使用 了。此外，错误检测仅会检测但不会更正这样的错误。 因此，需要一种改良使得非挥发存储集成电路更能面对这 样的错误
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种读取非挥发存储器的方 法。其回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路，该非挥发存储集成电路进行下列步骤根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码。在不同的实施例中，此第一检查码是 错误检测码或是错误更正码。存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检査码，其作 为与该多个数据位相关的多个非挥发检查位。在范例实施例中， 此第二检查码在相关的数据位被编程至该非挥发存储集成电路 时，被产生且被编程于该非挥发存储集成电路中。在不同的实施 例中，此第二检査码是错误检测码或是错误更正码。 检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。 [OOIO]于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二 检査码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电 路中的该多个非挥发位至少一个参考值，以区别该多个非挥发位 所代表的逻辑级别。此参考值可以是，例如， 一个在感应放大器 中决定由感应电流所代表的逻辑级别的参考电流。在另外的实施 例中，此参考值可以是， 一个介于两个代表不同逻辑级别的临界 电压范围之间的代表非挥发存储临界电压所代表的逻辑级别的 参考电压。在一个实施例中，该至少一个参考值区别该逻辑级别 的至少一个第一逻辑级别与一个第二逻辑级别，该第一逻辑级别 与相较于该第二逻辑级别为高的临界电压相关，且该改变至少一 个参考值使得与该第一逻辑级别相关的临界电压的第一范围变 宽而与该第二逻辑级别相关的临界电压的第二范围变窄。类似 地，在另一实施例中，改变至少一个参考值使得与该第一逻辑级 别相关的临界电压的第一范围变窄而与该第二逻辑级别相关的 临界电压的第二范围变宽。在某些实施例中，此非挥发存储集成电路还进行于该改变至少一个参考值之后，根据存取储存于该非挥发 存储集成电路中的该多个非挥发数据位，使用该至少一个参考值 来产生更新第一检查码。在某些实施例中，于产生一更新第一检查码之后，此非挥发存储集成电路还进行检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。 在某些实施例中，于产生更新第一检査码与检查该第一检 查码与该第二检查码是否相符之后，此非挥发存储集成电路还进行存取储存于该非挥发存储集成电路中的该第二检查码，其 作为与该多个数据位相关的多个非挥发检査位。 在某些实施例中，于产生更新第一检査码，及利用改变后 的参考值存取该第二检查码与检查该第一检查码与该第二检查码是否相符之后，此非挥发存储集成电路还进行回应该第一检查码与该第二检查码间的另一不相符，改变 施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发位 该至少一个参考值，以区别该多个非挥发位所代表的逻辑级别。 在某些实施例中，于改变至少一个参考值之后，此非挥发存储集成电路还进行直到自一系列检査该第一检查码与该第二检查码是否相 符得到成功地结果，反复地改变施加至存取储存于该非挥发存储 集成电路中的该多个非挥发位该至少一个参考值，以区别该多个 非挥发位所代表的逻辑级别。本专利技术的另一目的在于提供一种非挥发存储集成电路。此 非挥发存储集成电路具有非挥发存储阵列，以及控制电路耦接至 该非挥发存储阵列。此控制电路进行下列步骤来回应给该非挥发 存储集成电路所接收的读取命令。根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发 数据位来产生第一检査码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检査码，其作 为与该多个数据位相关的多个非挥发检查位； 检査该第一检查码与该第二检查码是否相符； 于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二 检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电 路中的该多个非挥发位至少一个参考值，以区别该多个非挥发位 所代表的逻辑级别。附图说明图1为编程命令的范例流程图，显示编程数据以及根据该 数据的检查码；图2为读取命令的范例流程图，显示读取参考电流改变以 回应先前产生及编程检査码与新检査码之间的不一致； 图3为显示例示的临界电压演算法；图4显示另一例示的临界电压演算法，其类似于图3但是 具有改变后的参考电流，不同于图3对低临界电压分布较为有 利；图5显示另一例示的临界电压演算法，其类似于图3但是 具有另一改变后的参考电流，不同于图3对高临界电压分布较为 有利；图6为根据本专利技术的一个实施例的非挥发存储集成电路的 简化例示方块示意图，其回应一个错误而改变读取参考值，例如 是前述的检査码间的不相符。主要元件符号说明301 低临界电压分布Bl的低边界302 低临界电压分布B2的高边界305 '高临界电压分布B3的低边界306 高临界电压分布B4的高边界307 正常参考电流normal—Iref310 高临界电压单元的电荷损失边界D1311 低临界电压单元的电荷损失边界D2314 漏极区域315 本体区域407 改变后的参考电流Changed—Iref410 高临界电压单元的电荷损失边界D1'411 低临界电压单元的电荷损失边界D2' 507 改变后的参考电流Changed—Iref510 高临界电压单元的电荷损失边界D1511 低临界电压单元的电荷损失边界D2600 非挥发存储阵列601 列解码器602 字线603 行解码器604 位线605 汇流排606 感应放大器/数据输入结构607 数据汇流排608 偏压安排供应电压609 偏压安排状态机器 611 数据输入线615 数据输出线650 集成电路具体实施例方式图1为编程命令的范例流程图，显示编程数据以及根据该 数据的检查码。在步骤100，此非挥发存储集成电路接收编程命令。在步 骤IIO，根据将被该编程命令所编程的数据产生检查码。在不同 的实施例中，此检查码可以是错误更正码或是许多错误更正码。这些检查码的范例有区块码(汉明、里德-所罗门、里德-穆勒、 高发、波斯-巧亨利-汉克琨瀚、低密度同位检査)，回旋码(涡轮 增压、吉列)，连锁码以及插入码。其他的例子也可以是单一错 误更正双重错误检测码、单一错误更正双重错误检测单一位 组错误码、单一位组错误更正双重位组错误检测以及双重错误 更正三重错误检测。这些实施例用来检测或更正错误的合用性 部分取决于特定实施例的码演算法。在步骤120,编程位以及在步骤IIO所产生的检查码位组 两者皆被编程至此非挥发存储集成电路中。在步骤120写入的检 查码会被用做读取命令，如图2所示。图2为读取命令的范例流程图，显示读取参考电流改变以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读取非挥发存储器的方法，包括：回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路，该非挥发存储集成电路进行：根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码，其作为与该多个（非挥发）数据位相关的多个非挥发（数据）检查位；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发（数据）位的至少一个参考值，以区别该多个非挥发（数据）位所代表的逻辑级别。

【技术特征摘要】
US 2006-5-8 60/746,733;US 2007-4-16 11/735,9111、一种读取非挥发存储器的方法，包括回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路，该非挥发存储集成电路进行根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发(数据)位的至少一个参考值，以区别该多个非挥发(数据)位所代表的逻辑级别。2、 如权利要求1所述的方法，其中该至少一个参考值是参 考电流。3、 如权利要求l所述的方法，其中该至少一个参考值是参 考电压。4、 如权利要求1所述的方法，其中该第一检查码与该第二 捡査码是错误更正码。5、 如权利要求l所述的方法，其中该第一检查码与该第二 检査码是错误检测码。，6、 如权利要求1所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还进行 于该改变至少一个参考值之后，根据存取储存于该非挥发存 储集成电路中的该多个非挥发数据位，使用该至少一个参考值来 产生更新的第一检查码。7、 如权利要求1所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还迸行于该改变至少一个参考值之后，进行根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非 挥发数据位，使用该至少一个参考值来产生该第一检查码；以及 检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。8、 如权利要求l所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还进行于该改变至少一个参考值之后，进行-根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发数据位，使用该至少一个参考值来产生该第一检查码；使用该至少一个参考值，存取储存于该非挥发存储集成 电路中的该第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位；以及检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。9、 如权利要求1所述的方法，其中该非挥发存储集成电路还进行于该改变至少一个参考值之后，进行-根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发数据位，使用该至少一个参考值来产生该第一检查码；使用该至少一个参考值，存取储存于该非挥发存储集成电路中的该第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；以及 回应该第一捡查码与该第二检查码间的另一不相符，改 变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发 (数据)位该至少一个参考值，以区别该多个非挥发(数据)位所代 表的逻辑级别。10、 如权利要求l所述的方法，其中该非挥发存储集成电路 还进行于该改变至少一个参考值之后，进行直到自一系列检查该第一检查码与该第二检查码是否 相符得到成功的结果，反复地改变施加至存取储存于该非挥发存 储集成电路中的该多个非挥发(数据)位该至少一个参考值，以区 别该多个非挥发(数据)位所代表的逻辑级别。11、 如权利要求l所述的方法，其中该至少一个参考值区别该逻辑级别的至少一个第一逻辑级别与一个第二逻辑级别，该第一逻辑级别与相较于该第二逻辑级别为高的临界电压相关，且该 改变至少一个参考值包括改变至少一个参考值，使得与该第一逻辑级别相关的临界电 压的第一范围变宽而与该第二逻辑级别相关的临界电压的第二 范围变窄。12、 如权利要求l所述的方法，其中该至少一个参考值区别该逻辑级别的至少一个第一逻辑级别与一个第二逻辑级别，该第一逻辑级别与相较于该第二逻辑级别为高的临界电压相关，且该 改变至少一个参考值包括改变至少一个参考值，使得与该第一逻辑级别相关的临界电 压的第一范围变窄而与该第二逻辑级别相关的临界电压的第二 范围变宽。13、 一种非挥发存储集成电路，包括非挥发存储阵列；以及控制电路耦接至该非挥发存储阵列，该控制电路进行下列步骤来回应给该非挥发存储集成电路所接收的读取命令根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位； 检查该第一检查码与该第二检查码是否相符； 于该产...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，陈汉松，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]