本公开提供了一种存储器装置及其形成方法。所述存储器装置为垂直三维交叉点存储器，具有多个存储单元形成在垂直的位线与水平的字线的交叉点。这些存储单元由二个层形成，能够实现比传统技术更高的密度。其中一个层可选地包含双向阈值开关材料，以允许信息...

本公开提供了一种用于管理存储器装置中的多区块操作的系统、方法、电路以及设备。在一个方面中，该存储器装置包括：存储器单元阵列，包括至少两个区块；位线，分别耦接至至少两个区块中的各一个中的存储器单元的存储器单元串；共用源极线(CSL)，耦接...

本公开提供了一种存储器内运算IMC存储器装置及其运算方法。存储器内运算存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个运算单元，各运算单元包括多个并联运算单元，属于同一运算单元的这些并联运算单元接收一相同输入电压，其中，多个输入数据转换成多个输入...

本公开提供一种三维存储器装置及形成密封结构的方法，该三维存储器装置包括芯片区以及围绕芯片区的密封区。芯片区包括芯片阵列，密封区包括密封结构。密封结构包括环形堆叠结构及虚拟通道柱阵列。环形堆叠结构设置在基底上且围绕芯片阵列。虚拟通道柱阵列...

本公开提供了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括：第一堆叠结构，位于介电基底上方，包括相互交替的多个第一导电层与多个第一绝缘层。第一通道柱穿过所述第一堆叠结构。第二堆叠结构位于所述第一堆叠结构上，所述第二堆叠结构包括相互交替的多...

本公开提供一种存储器装置的数据恢复方法。存储器装置具有目标存储单元、目标字线及相邻字线，相邻字线相邻于目标字线。目标字线连接于目标存储单元的栅极，相邻字线连接于相邻存储单元的栅极，相邻存储单元相邻于目标存储单元。数据恢复方法包括以下步骤...

本公开提供了一种存储器装置、错误位元侦测器及其错误位元侦测方法，该错误位元侦测器包括电流产生器、电流镜以及比较器。电流产生器根据参考数码以产生第一电流。电流镜通过镜射第一电流以在电流镜的第二端产生第二电流。比较器比较第一输入端上的第一电...

本公开提供了一种系统、装置、方法及电路，用于管理内容可寻址存储器(CAM)装置。在一方面中，半导体装置包含：存储器单元阵列，用于在多个存储器单元中储存数据，以及电路系统，耦接于存储器单元阵列，且用于根据搜索指令，在存储器单元阵列中执行搜...

本公开提供了一种存储器装置及其管理方法，该存储器装置包括：控制器以及至少一个存储器通道。存储器通道包括至少一个存储器芯片。至少一个存储器芯片共同通过中断信号线以耦接至控制器，其中至少一个存储器芯片产生至少一个区域中断信号，并使至少一个区...

本公开提供一种用于处理逻辑单元的状态信息的系统、方法以及包括计算机可读取记录介质的装置。在一方面，提出一种信息处理装置，包括半导体装置与控制器，半导体装置包括一个或多个逻辑单元以及通报总线，控制器耦接至半导体装置且被配置为储存一个或多个...

本公开提供了一种具有页缓冲器的开关装置的存储器装置及其擦除方法，该存储器装置包括：多个开关单元，耦接于存储单元阵列与所述页缓冲器的感测放大电路之间。所述多个开关单元中的每一个开关单元还包括：高压元件与低压元件，所述高压元件与所述低压元件...

本公开提供了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括：堆叠结构、通道柱、第一导电柱、第二导电柱、电荷存储结构、第一导电层、第二导电层以及绝缘衬层。堆叠结构位于介电基底上，且包括彼此交替堆叠的多个栅极层与绝缘层。通道柱延伸穿过堆叠结构...

本公开提供了一种静电放电防护电路。该静电放电防护电路包括N型区、P型部件、P型区、N型元件、第一导电端、二导电端、电源钳位电路与导电垫。P型部件在N型区中。N型元件在P型区中。第一导电端电性连接至N型区。第二导电端电性连接至P型区与N型...

本公开提供了一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括接地层、堆叠结构以及导电柱。接地层包括下部半导体材料层、回填半导体材料层及上部导电层。堆叠结构设置于接地层上，且包括沿着第一方向交替堆叠的绝缘层及多个导电层。导电柱沿着第一方向贯穿...

本公开提供用于管理存储器装置中的集成电路的系统、方法、电路、以及设备。在一实施例中，该系统包括用于存储数据的半导体装置以及与半导体装置通讯耦接的控制器。控制器用于传送要求传送数据的指令至半导体装置；响应于判断在传送指令后已过默认时间长度...

本公开提供了一种存储器装置及其编程方法。编程方法包括：根据步阶值，基于增量步阶脉冲程序方式，针对选中存储页执行多次编程动作；在设定模式下，对应编程动作以分别执行多个编程验证动作，并分别产生多个通过位数；在设定模式下，计算两个编程动作对应...

本公开提供一种用于存储器内运算的运算方法、存储器装置和运算单元。运算方法包括：储存多个权重值于串联的多个运算单元，这些运算单元包括第一运算存储单元与第二运算存储单元，这些运算单元的这些第一运算存储单元彼此串联成第一运算存储单元串，这些运...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一基板、一元件层、一第一介电层、一第二介电层、一第二基板和一电路层。元件层设置在第一基板上。第一介电层设置在元件层上。第二介电层设置在第一介电层上。第二基板设置在第二介电层上。电...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括栓塞与在栓塞上的通孔。栓塞包括钨栓塞与在钨栓塞上的导电层。钨栓塞与导电层包括不同材料。钨栓塞具有在横方向上的第一宽度。导电层具有在横方向上的第二宽度。第二宽度大于等于第一宽度。通孔电性...

本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：基底与接垫结构。接垫结构位于基底上。接垫结构包括多个材料对与多个接垫。多个材料对堆叠在基底上而形成阶梯结构。每个材料对包括导电层以及位于导电层上的介电层。每个接垫包括导电柱与接垫层。导电柱嵌...