旺宏电子股份有限公司专利技术

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  • 本发明提供一种存储器元件,可以应用于三维
  • 本公开提供了一种半导体元件
  • 本公开提供了一种电路结构
  • 本发明提供了一种存储器装置及其数据的近似搜索方法。存储器装置包括多个选择开关对、多个存储单元串对、感测放大器以及页缓冲器。选择开关对分别接收多个搜索数据对。存储单元串对分别通过选择开关对耦接至共同位线,各存储单元串对根据选中存储单元对的...
  • 本公开提供一种集成电路结构。集成电路结构包括衬底、内连接堆叠结构、第一存储器阵列以及源极线。内连接堆叠结构位于衬底上方。第一存储器阵列位于内连接堆叠结构上方,且包含在一垂直方向上堆叠的多个存储器元件,每一存储器元件包含导电层。第一存储器...
  • 本公开提供了一种存储器装置及其数据写入方法和数据读取方法。该存储器装置包含:存储器阵列、缓存阵列和电路。存储器阵列包含第一阵列、在第一阵列本端的第一冗余阵列、第二阵列以及在第二阵列本端的第二冗余阵列。缓存阵列包含第一缓存、在第一缓存本端...
  • 本公开提供一种存储器装置。存储器装置包含堆叠结构、配置于堆叠结构中的下隔离结构与配置于堆叠结构中的两个存储单元串列。堆叠结构包含多个导电层。下隔离结构具有位在堆叠结构的下部的上表面。下隔离结构使多个导电层中的至少一导电层分开为第一导电条...
  • 本发明提供内容可寻址存储器(CAM)装置、内容可寻址存储器单元及其数据搜索比对方法。内容可寻址存储器装置包括:多个内容可寻址存储器串;以及一电性特征侦测电路,耦接至这些内容可寻址存储器串;其中,在进行数据搜索时,将一搜索数据比对于这些内...
  • 本发明提供了一种存储器元件及其制造方法。所述存储器元件可以应用于三维AND快闪存储器元件。存储器元件包括栅极堆叠结构、通道柱、多个导体柱以及电荷储存结构。所述栅极堆叠结构位于介电基底上方。所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多...
  • 本发明提供了一种三维AND快闪存储器元件,包括栅极堆叠结构、通道柱、源极柱与漏极柱、电荷储存结构、第一晶体管与第二晶体管。所述栅极堆叠结构位于介电基底上,其中所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。所述通道柱延伸穿过所...
  • 本公开提供了一种装置和存储器装置,尤其是一种三维存储器装置中的电容器。在一个方面,一种装置包含:第一端;第二端,与第一端导电绝缘;以及电容结构,包含依序堆叠在一起的多个层。至少一个层包含:在层中彼此导电绝缘的一或多个第一导电部分及一或多...
  • 本公开提供了一种相变材料和存储器装置。相变材料包括多个元素,具有从9至14at%的锗、从15至22at%的锑、从44至55at%的碲、从5.5至9at%的硅及从14.5至20at%的碳的一组成。一种存储器装置包括相变材料。包括相变材料的...
  • 本公开提供了集成电路,包括具有用于并行存取存储器阵列数据的数据线的多个存储器阵列、输入输出接口、位于存储器阵列与输入输出接口之间的多个数据路径电路、多个运算电路以及数据分析电路。数据路径电路包括连接存储器阵列的各数据线的多个缓冲单元,每...
  • 本发明提供一种电容串结构、存储器装置及电子装置。电容串结构包括多个导电板。导电板设置在存储器装置中。导电板相互堆叠,分别形成存储器装置中的多条字线,其中导电板中相邻的二者间形成电容。的二者间形成电容。的二者间形成电容。
  • 本公开提供了一种实现匹配近似度的模拟内容寻址存储器,该模拟内容寻址存储器包括:一输入电路、至少一模拟CAM存储单元及一输出电路。输入电路用于提供一输入数据。模拟CAM存储单元连接于输入电路,且接收输入数据。模拟CAM存储单元具有一缓和斜...
  • 本公开提供了一种晶体管结构及其制备方法,该晶体管结构包括衬底、栅极结构、多个第一口袋掺杂区、多个第二口袋掺杂区、多个源极/漏极延伸区与多个源极/漏极区。栅极结构位于衬底上。多个第一口袋掺杂区位于栅极结构旁的衬底中。第一口袋掺杂区的掺杂包...
  • 本公开提供一种堆叠式存储器装置及其字线驱动器。字线驱动器包括第一字线信号产生电路、第二字线信号产生电路、第一电压产生器以及第二电压产生器。第一字线信号产生电路根据控制信号以选择第一电压以及第二电压的其中之一来产生第一字线信号。第二字线信...
  • 本公开提供了一种集成电路和存储器装置。在本公开内容的一个方面,集成电路包含闩锁电路及补偿电路。闩锁电路包含相互耦接的闩锁器及感测晶体管。补偿电路耦接于感测晶体管。感测晶体管包含栅极端及连接端,栅极端耦接于感测节点,连接端则耦接于补偿电路...
  • 本公开提供了一种半导体结构,包括:基板、叠层、多个有源结构、多个连接结构和多个隔离层。叠层设置在基板上。叠层具有多个次阵列区。叠层包括交替设置的栅极电极和介电层。有源结构在次阵列区中穿过叠层。存储单元由栅极电极和有源结构的交点所定义。连...
  • 本公开提供了一种存储器元件,包括:介电基底、中层结构、多个通道柱、多个电荷储存结构、多个分隔结构以及辅助结构。所述介电基底包括阵列区与在所述阵列区旁的空旷区。所述中层结构在所述阵列区与所述空旷区中。所述多个通道柱穿过在所述阵列区中的所述...