【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种具有接垫结构的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着存储器元件的集成度增加，为了达到高密度以及高效能的目标，以三维存储器元件取代二维存储器元件已然成为一种趋势。而垂直式存储器元件便是三维存储器元件中的一种。虽然垂直式存储器元件可提升单位面积内的存储器容量，但也增加了垂直式存储器元件中内联线的困难度。
2、一般而言，三维存储器元件常以具有阶梯结构的导电层当作接垫，并利用接垫与其上的接触窗当作内联线结构，以利于连接每一层的构件与其他构件。然而，在进行用于形成接触窗开口的刻蚀工艺时，会因阶梯结构中不同位置的接垫与其上的介电层的顶面之间的距离的差异，使得阶梯结构中最顶接垫被过度刻蚀，进而导致接触窗开口贯穿最顶接垫并延伸至其下方的导电层。如此一来，由于后续形成的接触窗与其他接垫或导电层之间产生不必要的桥接，因此会导致元件电性故障。因此，如何防止在接触窗开口工艺期间因过度刻蚀所导致的电性故障问题为目前重要的一门课题。
技术实现思路
1、本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，其可防止在接触窗开口工艺期间因过度刻蚀所导致的电性故障问题。
2、本公开提出了一种半导体结构，包括：基底与接垫结构。接垫结构位于基底上。接垫结构包括多个材料对与多个接垫。多个材料对堆叠在基底上而形成阶梯结构。每个材料对包括导电层以及位于导电层上的介电层。每个接垫包括导电柱与接垫层。导电柱嵌入于材料对中且连接于材料对中的导电层。接垫层位于导电柱上
3、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫的厚度可大于导电层的厚度。
4、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫的厚度可为导电层的厚度的2倍至4倍。
5、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫的厚度可大于材料对的厚度。
6、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，导电层、导电柱与接垫层可为一体成型。
7、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，导电柱的底面与导电层的底面可为共平面。
8、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层可位于导电柱的两侧的介电层的顶面上。
9、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层的宽度可大于导电柱的宽度。
10、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层的厚度可大于或等于导电柱的宽度的二分之一。
11、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，导电柱的上视图案可包括多边形、圆形或椭圆形。
12、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层的上视图案的尺寸可大于导电柱的上视图案的尺寸。
13、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层的上视图案的边缘与导电柱的上视图案的边缘之间可具有间隙，且间隙可围绕导电柱的上视图案。
14、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层的上视图案的相对两个侧边以及导电柱的上视图案的相对两个侧边可彼此齐平。
15、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，还包括多个接触窗。接触窗可电性连接于接垫。
16、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层的宽度可大于接触窗的底部的宽度。
17、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，不同区域中的多个接触窗可具有不同的着陆深度(landing depth)。
18、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，还包括保护层，保护层位于阶梯结构与基底之间。
19、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，接垫层的边缘可超出导电层的边缘。
20、依照本公开的一实施例所述，在上述半导体结构中，相邻两个接垫层之间的水平间距可实质上相等于接垫层的厚度。
21、本公开提出一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上形成接垫结构。接垫结构包括多个材料对与多个接垫。多个材料对堆叠在基底上而形成第一阶梯结构。每个材料对包括导电层以及位于导电层上的第一介电层。每个接垫包括导电柱与接垫层。导电柱嵌入于材料对中且连接于材料对中的导电层。接垫层位于导电柱上。
22、基于上述，在本公开所提出的半导体结构及其制造方法中，每个接垫包括导电柱与接垫层，导电柱嵌入于材料对中且连接于材料对中的导电层，且接垫层位于导电柱上。因此，相较于现有的接垫，本公开的接垫可具有较大的厚度，基于此可防止在接触窗开口工艺期间因过度刻蚀所导致的电性故障的问题。另外，由于利用厚度较厚的接垫在形成接触窗开口的期间作为刻蚀终止层，因此可提升接触窗开口的工艺裕度并增加工艺良率。
23、为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫的厚度大于所述导电层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫的厚度为所述导电层的厚度的2倍至4倍。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫的厚度大于所述材料对的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电层、所述导电柱与所述接垫层为一体成型。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫层的宽度大于所述导电柱的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫层的厚度大于或等于所述导电柱的宽度的二分之一。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫层的上视图案的尺寸大于所述导电柱的上视图案的尺寸，所述接垫层的上视图案的边缘与所述导电柱的上视图案的边缘之间具有间隙，且所述间隙围绕所述导电柱的上视图案。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫层的上视图案的相对两个侧边以及所述导电柱的上视图案的相对两个侧边彼此齐平。
10.根据
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫的厚度大于所述导电层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫的厚度为所述导电层的厚度的2倍至4倍。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫的厚度大于所述材料对的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电层、所述导电柱与所述接垫层为一体成型。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫层的宽度大于所述导电柱的宽度。
7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨金成，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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