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旺宏电子股份有限公司专利技术
旺宏电子股份有限公司共有2967项专利
用于存储器内搜索的存储器装置及数据搜索方法制造方法及图纸
本公开提供了一种用于存储器内搜索的存储器装置及数据搜索方法,该存储器装置包括:多个存储单元,各存储单元储存储存数据并接收搜索数据,且包括第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管具有第一阈值电压并接收第一栅极偏压。第二晶体管连接第一晶体管,第二...
用于开关装置的多层双向阈值开关及应用其的存储器装置制造方法及图纸
本公开提供了一种开关装置及形成存储器装置的方法,该开关装置包括:第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的多层双向阈值开关OTS,多层OTS包括第一层和第二层。第一层和第二层是不同的组成,第二层包括锗Ge和氮N。此开关装置可保持热...
用于存储器内运算的存储器装置制造方法及图纸
本公开提供了一种用于存储器内运算的存储器装置,包括多个运算存储单元。各运算存储单元储存权重值、接收输入值且产生输出值。各运算存储单元包括晶体管。晶体管连接于位线及字线,晶体管经由位线接收感测电流且经由字线接收输入电压。当感测电流流过晶体...
存储装置及其操作方法制造方法及图纸
本公开提供一种存储装置。该存储装置包括多个通道层、多个字线、多个存储层设置在通道层与字线之间和多个存储单元定义在通道层与字线的多个交点。该存储装置配置成用于执行一第一操作m次和一第二操作n次,m大于等于n。在第一操作中,一第一电场产生在...
存储器内计算的存储器装置以及固态驱动模块制造方法及图纸
本公开提供了一种存储器内计算用的存储器装置以及固态驱动模块,可应用于3D AND型闪存,该存储器装置包括存储器阵列、多个输入字线对及信号处理电路。存储器阵列具有多个第一对存储单元与多个第二对存储单元,各第一对存储单元包括耦接到第一全局位...
存储器装置及其数据搜寻方法制造方法及图纸
本发明提供了一种存储器装置的数据搜寻方法。数据搜寻方法包括:根据所记录的一压缩模式,对一搜寻数据进行向量化以得到一搜寻数据向量,其中,该搜寻数据与一数据库的多个对象由该压缩模式所压缩;设定一搜寻条件;以该搜寻数据向量去搜寻该数据库的这些...
存储器结构制造技术
本公开提供了一种存储器结构,包括:基板、第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构以及多个通道本体。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构设置于基板上,沿着第一方向彼此分开且分别沿着第二方向与第三方向延伸。第一栅极包括分别沿着第三方向延...
用于进行存储器内搜索的内容可寻址存储器及其运作方法技术
本公开提供了一种用于进行存储器内搜索的混合型内容可寻址存储器及其运作方法。内容可寻址存储器包括多个CAM串列及至少一感测放大器电路。各个CAM串列包括多个CAM存储单元。这些CAM存储单元储存多笔现有数据。感测放大器电路连接于这些CAM...
存储器装置及其操作方法制造方法及图纸
本公开提供了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括多个存储单元和一控制逻辑电路。存储单元可被配置为TLC、MLC或SLC。控制逻辑电路被配置以TLC编程方式编程MLC及SLC。
存储器装置及其用于执行乘加运算的操作方法制造方法及图纸
本公开提供一种存储器装置及其用于执行乘加运算的运作方法,该存储器装置包括:至少一个存储串、多条数据线及一串行线。存储串包括多个存储单元。多个存储单元具有多个已存数值。多条数据线分别连接于多个存储单元,以接收多条数据信号。多条数据信号具有...
三维闪存元件制造技术
本公开提供了一种三维闪存元件,包括:衬底、栅极叠层结构、多个分隔结构、多个存储器阵列以及多个导电柱。所述栅极叠层结构位于所述衬底上方。所述多个分隔结构延伸穿过所述栅极叠层结构,且将所述栅极叠层结构分割为多个区块。所述多个存储器阵列设置于...
存储器装置及其数据搜索方法制造方法及图纸
本公开提供了一种存储器装置及其数据搜索方法
存储器元件及其制造方法技术
本公开提供一种存储器元件及其制备方法,该存储器元件包括:多个栅极层
模拟内容可寻址存储器单元制造技术
本公开提供了一种模拟内容可寻址存储器单元
集成电路制造技术
本发明提供了一种集成电路
三维存储器装置制造方法及图纸
本公开提供了一种三维存储器装置,例如为与门存储器,包括存储单元区块
半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种半导体装置,包括电路板
三维存储器结构及其形成方法技术
本公开提供了一种三维存储器结构及其形成方法
存储器装置制造方法及图纸
本发明提供一种存储器装置,例如三维与门快闪存储器
半导体结构及其制造方法技术
本公开提供了一种半导体结构及其制备方法
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