本发明涉及一种用于碎裂多个晶圆组件(1)的系统，各个组件(1)的晶圆之一包括脆化面并且各个组件(1)包括周边侧槽，该装置包括：

本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结...

本发明涉及制备单畴铁电材料薄层的方法。所述方法包括：在铁电供体基板的第一面中注入轻物质，以便形成脆弱平面并限定位于该脆弱平面与基板的第一面之间的第一层；借助于介电组装层将供体基板的第一面与支承基板组装在一起；以及在脆弱平面处使供体基板断...

本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结...

本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结...

本发明涉及一种光电半导体结构(SC)，其包括设置在n型注入层(5)与p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(6)，所述p型注入层(6)包括第一InGaN层(7a)以及设置在所述第一层(7a)上的第二层(7b)，所述第二层(7b)由...

本发明涉及一种光电子半导体结构(SC)，其包括设置在n型注入层(6)和p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(5)，所述p型注入层(7)包括厚度为50nm至350nm的第一InGaN层(7a)和设置在第一层(7a)上的具有GaN表...

本发明涉及一种将表面层(10)转移到包含腔(23)的载体基底(20)的方法，所述方法包括：‑提供供体基底，‑提供具有第一面并且包括腔(23)的载体基底(20)，每个腔在所述第一面处开口并且具有底部和周壁，‑在所述腔(23)的至少一者中创...

本发明关注一种制造器件的方法，所述器件包括在有用腔上延伸的膜，所述方法包括：·提供通用结构，所述通用结构包括在主平面中延伸并被布置在支持基底的第一面上的表面层，所述支持基底包括在表面层下方开口的基本腔以及界定各个基本腔的隔离体，所述隔离...

本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层...

所述方法包括以下步骤：

本发明涉及一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的接收方衬底(30)的方法，方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底，所述半导体衬底包括由单晶材料制成的基底衬底(1)和设置在所述基底衬底(1)上的由多晶硅制成的电荷俘获层(2)，‑对所述电荷...

本发明提供了高级固体电解质和制造方法。本发明涉及一种制造包含固体电解质层的器件的方法，所述方法特征在于包括：提供包含结晶固体电解质层的主体基板、将所述结晶固体电解质层从主体基板转移到受体基板。

本发明涉及一种制造CFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成双绝缘体上半导体基板，其从基部到其表面依次包括：载体基板(1)、第一电绝缘层(2a)、第一单晶半导体层(2b)、第二电绝缘层(3a)和第二单晶半导体层(3b)；...

本发明涉及一种前侧型图像传感器，所述前侧型图像传感器依次包括：半导体支撑衬底(1)；第一电绝缘分隔层(2a)；以及被称为有源层的单晶半导体层(3a)，所述单晶半导体层(3a)包括光电二极管的矩阵阵列，所述传感器的特征在于，它在支撑衬底(...

本发明涉及一种应用于射频电子和微电子领域的衬底(1)，其包括：基础衬底(3)；位于所述基础衬底(3)上并与其直接接触的单一碳层(2)，所述碳层(2)具有严格在1nm到5nm范围的厚度；位于所述碳层(2)上的绝缘体层(4)；位于所述绝缘体...

本发明涉及用于检测流体中的离子的微传感器(100)，该微传感器(100)包括：场效应晶体管(5)，该场效应晶体管(5)具有源极(51)、漏极(52)、在源极(51)与漏极(52)之间的有源区(54)以及被设置在有源区(54)上方的栅极(...

一种用于生产GaAs材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO

一种用于生产金刚石或铱材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO

一种用于生产PZT材料的结晶层的方法，其包括将SrTiO