本发明涉及一种制备晶体半导体层以使该层被提供有特定晶格参数的方法。所述方法涉及将松弛过程第一次应用到第一初始供体衬底(1)上以便获得第二供体衬底(5)。以第二供体衬底(5)作为初始供体衬底(1)来将该松弛过程重复使松弛层的晶格参数被提供...

本发明涉及一种用于在供体衬底(1)内部形成预定分离区(19)的工艺，该供体衬底特别地将用在将层转移到载体衬底上的工艺中。此工艺包括注入步骤(17)，该注入步骤(17)被执行，使得所述供体衬底(1)的边缘区(5)中的注入剂量(25)低于所...

本发明涉及一种用于射频应用的结构(100)，该结构(100)包括：高电阻率支撑衬底(1)，该衬底的前表面(1a)限定主平面；电荷俘获层(2)，该电荷俘获层(2)布置在所述支撑衬底(1)的所述前表面(1a)上；第一介电层(3)，该第一介电...

本发明涉及一种具有六方晶体结构的第IV族材料(特别是石墨烯)的二维膜的制造方法，所述方法包括：‑形成生长衬底(100)，包括将适合所述二维膜生长的单晶金属膜(1)转移到支持衬底(2)上，和‑在所述衬底(100)的金属膜上外延生长所述二维...

本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，所述支撑件(1)包括：基础衬底(3)；第一二氧化硅绝缘层(2a)，所述第一二氧化硅绝缘层(2a)被设置在所述基础衬底(3)上并且厚度大于20nm；以及电荷俘获层(2)，所述电荷俘获层(2)具有...

半导体结构及其制造方法、使用该半导体结构的器件。本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该半导体结构包括半导体层和金属层，所述方法包括以下步骤：a)提供包括缺陷和/或位错的半导体层，b)移除在缺陷和/或位错的一个或多个位置处的材料，从而...

本发明涉及一种用于正面型图像传感器的衬底，所述衬底依次包括支撑半导体衬底(1)、电绝缘层(2)以及被称为有源层的半导体层(3)，其特征在于，所述有源层(3)是硅锗的外延层，所述有源层的锗含量小于10％。本发明还涉及制造这种衬底的方法。

本发明涉及竖炉，该竖炉包括：腔室，该腔室旨在容纳装料柱(3)；新鲜气体入口通道，该新鲜气体入口通道被定位在腔室的上端处，装料柱(3)，该装料柱包括上部(3b)和用于支承多个基板的中部(3a)，该竖炉特征在于该竖炉还包括俘获装置(100)...

本发明涉及一种用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法，该方法包括以下步骤：设置绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)，该绝缘体上硅晶圆具有经由埋置氧化物层(102、302、402、502)附接至载体衬底(103、303、4...

本发明涉及一种正面型图像传感器，包括：衬底，所述衬底依次包括P‑型掺杂半导体支撑衬底(1)、电绝缘层(2)和被称作有源层的半导体层(3)；以及位于所述衬底的所述有源层中的光电二极管的矩阵阵列，其特征在于，所述衬底在所述支撑衬底(1)与所...

本发明涉及用于制造由III‑V族材料(6)制成的至少一个有源层的结构(10)，该结构(10)包括衬底，该衬底由具有主面的载体(2)、位于所述载体的所述主面上的介电层(3)以及直接位于所述介电层(3)上的多个单晶半导体岛(4)构成，岛(4...

本发明涉及用于制造半导体结构的方法和光子器件，其中，方法包括以下步骤：在载体衬底(101)上方设置氮化硅构图层(102)；在氮化硅构图层(102)上设置第一保形氧化物层(103)，使得其完全覆盖所述氮化硅构图层；以及将第一保形氧化物层(...

本发明涉及一种用于制作成分AA’BO3的层的方法，其中，A由从以下元素选择的至少一种元素构成：Li、Na、K、Ca、Mg、Ba、Sr、Pb、La、Bi、Y、Dy、Gd、Tb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ho、Zr、Sc、Ag、Tl，并...

本发明涉及一种将压电层转移到支撑基板上的方法。还涉及一种用于执行所述方法的至少一部分的分离室。本发明的将压电层从供体基板分离到支撑基板上的方法包括以下步骤：a)在压电供体基板中提供预定分裂区域；b)将压电供体基板附接到支撑基板以形成复合...

本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1...

本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(100)，所述混合结构(100)包括压电材料的有用层(10)，所述有用层(10)具有自由的第一面(1)和设置在支撑衬底(20)上的第二面(2)，所述支撑衬底(20)具有低于所述有用层(10)的热...

本发明涉及一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在选定条件下将氢物种和氦物种(例如离子)引入临时支撑件(1)，以便在其中预定深度处形成弱化平面(2)，并定义所述临时支撑件(1)的表面层(3)和剩余部分(4)；在所述临时支撑件(1)上形...

本发明涉及一种用于修复组成ABO3的层(10)中的缺陷的方法，其中A由从以下各项中选择的至少一种元素构成：Li、Na、K、H、Ca、Mg、Ba、Sr、Pb、La、Bi、Y、Dy、Gd、Tb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ho、Zr、Sc...

本发明涉及制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(12)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与接收衬底(2)接合，介电层(13...

本发明涉及制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(13)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与所述接收衬底(2)接合，介电层(...