本发明涉及一种用于处理结构的方法，所述结构从其后侧到其前侧包括载体基板(4)、绝缘层(3)和有用层(2)，有用层(2)具有自由表面(S)，所述结构放置在包含化学物种(6)的大气中，化学物种(6)能够与有用层(2)发生化学反应；该处理方法...

本发明涉及一种eDRAM存储元件，其包括：第一存储节点(1120，1220)；位线节点(1040)，该位线节点(1040)用于存取存储在所述存储节点中的值；以及选择晶体管(1130，1230)，该选择晶体管(1130，1230)控制从位...

用以形成半导体设备的方法，该半导体设备包括集成电路以及与集成电路操作地联接的微机电系统(MEMS)设备。可以将集成电路的至少一部分制造在基板的表面上，并且可以将MEMS设备形成在所述集成电路的所述至少一部分之上。所述MEMS设备可以与所...

本发明涉及一种用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法，其特征在于，该方法包括：借助图像获取系统来获取所述结构的表面的至少一个图像，所述图像是通过从所述结构的表面反射近乎单色光通量而获得的；对获取的所述至少一个图像进行处理，以基于从所...

一种用于制造结构(3)的方法，该结构依次包括支撑基板(2)、介电层(10)、有源层(11)、多晶硅的分离层(20)，该方法包括以下步骤：a)提供施主基板；b)在施主基板中形成脆变区域；c)提供支撑结构(2)；d)在支撑基板(2)上形成分...

一种沉积系统，该沉积系统包括能够在该沉积系统的腔室中可互换地使用的两个或更多个气体喷射器。所述气体喷射器中的每个均可以被构造成在基板支撑结构上产生一片流动气体。这些片的流动气体可以具有不同宽度，从而所述气体喷射器可以与具有不同直径的基板...

本发明涉及制造多个绝缘体上半导体结构(200)的方法，该绝缘体是厚度小于50nm的二氧化硅层(202)，每个结构(200)包括放置在二氧化硅层(202)上的半导体层(203)，该制造方法包括对多个结构(200)进行热处理的步骤，该热处理...

本发明涉及用于在分离界面处分离由两个基板形成的结构的设备，该设备包括：支持部(1)；结构保持构件(2)，其安装在支持部(1)上；工具(3)，其用于分离两个基板，也安装在支持部(1)上，装置(4)，其用于移动分离工具(3)；和/或装置(5...

本发明涉及一种通过分子粘附来键合的方法，所述方法包括以下步骤：将第一板和第二板(202、206)定位在气密的容器(210)内；将所述容器(210)设置到低于或等于400hPa的第一压力(P1)；通过引入干气(214)将所述容器中的所述压...

本发明涉及一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：-用于读取从存储器阵列中选定的存储单元感测到的数据的单端感测放大器(SA)电路，该感测放大器具有用于馈入参考信号(REF)的第一节点(N1)、耦接到位线(BL)的第二节点(N2)以及负...

本发明涉及一种用于制造伪衬底(109)的方法，该方法包括以下步骤：提供单晶锭(101)，提供操作衬底(102)，从单晶锭(101)切取薄切片(105)，以及将薄切片(105)附接至操作衬底(102)，以形成伪衬底(109)。依据本发明，...

本发明涉及一种直接键合工艺，该工艺包括以下步骤：将第一晶圆(10)放置在卡盘(2)的表面上，所述表面包括凹槽(4)；在所述凹槽(4)中施加第一压力，所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面观察到的第二压力；使第二晶圆(16)接触...

本发明涉及一种使至少第一finfet晶体管(1000)和第二finfet晶体管(1000)极化的方法，其中，所述第一finfet晶体管的鳍宽大于所述第二finfet晶体管的鳍宽(W1)，并且所述第一finfet晶体管和所述第二finfe...

该转印工艺包括以下步骤：(a)提供施主衬底(2)和支撑衬底(3)；(b)在所述施主衬底(2)中形成脆性区(4)；(c)在所述施主衬底(2)的第一部分(1)和所述支撑衬底(3)之间形成所谓的结合层(5)；以及(d)将所述施主衬底(2)组装...

本发明涉及半导体结构(1000A)，该半导体结构(1000A)包括：第一半导体层(1140)；实现第一反熔丝单元(1000A)的第一编程晶体管(5200)和第一选择晶体管(1300)，其中，所述第一半导体层作为所述第一编程晶体管的主体(...

一种形成半导体设备的方法，该半导体设备包括集成电路以及与集成电路操作地联接的微机电系统(MEMS)设备，该方法包括：形成导电通道，该导电通道从基板的第一主表面朝向基板的相反的第二主表面至少部分地延伸穿过基板；以及将集成电路的至少一部分制...

一种制造半导体结构的方法包括：将载体晶圆结合到基板之上；去除所述基板的至少一部分；使激光辐射透射穿过所述载体晶圆而使所述基板和所述载体晶圆之间的结合变弱；以及将所述载体晶圆与所述基板分开。其它方法包括：在基板之上形成电路；在所述基板中形...

本发明涉及用于沉积系统(100)的沉积腔室(102)，其包括含有透明材料的腔室壁(112)。该腔室壁可包括外部测量窗口(122)和内部测量窗口，外部测量窗口(122)由腔室壁的外部主表面延伸出并至少部分由该外部主表面包围，内部测量窗口由...

用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于...

本发明涉及一种发光二极管LED器件的集体制造的方法，所述方法包括基本结构(150)的形成，每一个基本结构包括n型层(132)、有源层(133)和p型层(134)，所述方法包括以下步骤：-减少每一个基本LED结构(150)的一部分的横向尺...