用于检测缺陷的方法和关联装置。本发明涉及确定在结构的顶侧中的空洞型缺陷的尺寸的方法，该结构包括被放在基板上的顶层，该缺陷位于顶层中；该方法包括：a)将结构引入到反射暗场显微镜装置中以根据由顶侧散射的光线生成缺陷相关第一信号和粗糙度相关第...

用于检测缺陷的方法和关联装置。本发明涉及确定在结构的顶侧中的空洞型缺陷的尺寸的方法，该结构包括被放在基板上的顶层，该缺陷位于顶层中；该方法包括：a)将结构引入到反射暗场显微镜装置中以根据由顶侧散射的光线生成缺陷相关第一信号和粗糙度相关第...

本公开涉及半导体结构及其制造方法。该方法包括在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III‑V材料构成的第一接合层，以及在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III‑V材料构成的第二接合层。第一接合层和第二接合层设置在第一元件和第二元...

本发明涉及一种用于射频应用的结构体(100)，包括：单晶衬底(1)，直接位于所述单晶衬底(1)上的多晶硅层(2)，在所述多晶硅层(2)上的有源层(3)，其旨在容纳射频部件，所述结构体的特征在于，从所述多晶硅层(2)与所述单晶层的界面(I...

半导体结构的制造方法涉及具有不同应力/应变状态的finFET的鳍的形成。可采用一种应力/应变状态的鳍形成n型finFET，可采用另一种应力/应变状态的鳍形成p型finFET。具有不同应力/应变状态的鳍可通过半导体材料的公共层制造。通过使...

用于从单晶衬底转移层的方法。本发明涉及一种用于将层(11)从称为施主衬底(1)的单晶衬底转移至受主衬底(2)上的方法，该方法包括以下步骤：提供所述单晶施主衬底(1)，所述衬底具有在晶体的第一方向上定向的凹口和限定将被转移层(11)的弱区...

高电阻率绝缘体上半导体衬底及其制造方法和半导体器件。本发明涉及一种用于制造高电阻率绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)在高电阻率衬底1上方形成介电层2和半导体层3，使得介电层2被设置在高电阻率衬底1与半导体层3之间；b)在...

用于机械地分离层的方法。用于双层转移的机械分离的方法。本发明涉及一种用于机械地分离层的方法，特别是在双层转移工艺中。本发明更具体地涉及一种用于机械地分离层的方法，所述方法包括以下步骤：设置包括处理衬底的层(204)以及具有前主侧(209...

本发明提供了高级固体电解质和制造方法。本发明涉及一种制造包含固体电解质层的器件的方法，所述方法特征在于包括：提供包含结晶固体电解质层的主体基板、将所述结晶固体电解质层从主体基板转移到受体基板。

用于转移层的处理。本发明涉及一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(1)，所述处理包括以下步骤：将所述有源层(2)的所述第一侧(1)结合到所述临时衬底(5)的一侧...

半导体结构的制造方法以及相关半导体结构。形成半导体结构的方法包括提供多层衬底，该多层衬底具有覆在位于埋置氧化物层之上的应变主半导体层上的外延基层。使用外延基层内的元素来改变多层衬底的第一区域内的主半导体层中的应变状态，而不改变多层衬底的...

本发明涉及包含应变状态不同的晶体管通道的半导体结构体的制造方法及相关的半导体结构体，该制造方法包括在多层基片上的应变半导体层的第二区域中注入离子，以使该应变半导体的第二区域的一部分结晶态半导体材料非晶化，而不使该应变半导体的第一区域非晶...

形成可用于形成微机电系统(MEMS)换能器的包括一个或更多个腔体(106)的半导体结构的方法，涉及：在第一基板(100)中形成一个或更多个腔体；在所述一个或更多个腔体内设置牺牲材料(110)；将第二基板(120)接合到所述第一基板的表面...

本发明涉及一种用于多个光伏电池的制造方法，该制造方法包括以下步骤：获得相对于彼此以第一距离放置的多个光伏电池(8121-8124)；将伸展材料(1150)附接至所述多个光伏电池；以及使所述伸展材料伸展(S61)，使得所述多个光伏电池相对...

本发明涉及太阳能电池组件结构(222)，所述太阳能电池组件结构用于支撑聚光光伏电池结构(3420)，并且包括半导体结构和二极管，其中，半导体结构包括：第一半导体区(2800)，所述第一半导体区的至少一部分用于放置聚光光伏电池结构；以及第...

光敏器件包括活性区域，该活性区域被设置在第一电极和第二电极之间，并且被配置为吸收辐射并且在电极之间生成电压。所述活性区域包括活性层，所述活性层包含展现出相对低的带隙的半导体材料。所述活性层具有前表面以及在所述活性层的相对侧的相对更粗糙的...

本发明涉及一种半导体结构体，其包含位于多个InGaN层之间的有源区。所述有源区至少基本由InGaN组成。所述多个InGaN层包含至少一个包含InwGa1-wN的阱层以及临近所述至少一个阱层的至少一个包含InbGa1-bN的势垒层。在某些...

本发明涉及一种半导体结构体，其包含位于多个InGaN层之间的有源区。所述有源区至少基本由InGaN组成。所述多个InGaN层包含至少一个包含InwGa1-wN的阱层以及临近所述至少一个阱层的至少一个包含InbGa1-bN的势垒层。在某些...

本发明涉及一种半导体结构体，其包含位于多个InGaN层之间的有源区。所述有源区至少基本由InGaN组成。所述多个InGaN层包含至少一个包含InwGa1-wN的阱层以及邻近所述至少一个阱层的至少一个包含InbGa1-bN的势垒层。在某些...

本发明涉及一种转移有用层的方法，具体涉及将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，所述方法包括以下主要步骤：-以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之间形成有用层(3)的方式，通过在第一基板(1)中植入轻物质而形成脆化面(2)；-将支撑...