层转移方法包括：提供初始基板的步骤，提供中间基板的步骤，将中间基板与初始基板连接的第一连接步骤，在初始基板连接至中间基板之后将初始基板减薄的步骤，提供最终基板的步骤，将经减薄的初始基板与最终基板连接的第二连接步骤，在第二连接步骤之后将中...

一种用于生产LNO材料的单晶层的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述LNO材料的单晶层。

一种用于生产AlN材料的单晶层的方法，其包括将SiC‑6H材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述AlN材料的单晶层。

本发明涉及一种用于射频微电子器件的衬底，该衬底包括由半导体制成的载体衬底，其特征在于，该衬底包括置于载体衬底上并由至少第一电介质和不同于第一电介质的第二电介质的粉末形成的烧结复合层，所述烧结复合层具有大于5微米的厚度和与载体衬底的热膨胀...

本发明涉及支撑基板及其用途，尤其涉及一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510)，该异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520)，该覆盖层(220、42...

本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(10)，所述混合结构(10)包括：压电材料的有用层(1)，该有用层(1)被连结至具有比有用层(1)低的热膨胀系数的支撑基板(2)；以及中间层(3)，该中间层(3)被布置在有用层(1)与支撑基板(...

本发明涉及一种用于设计包括多个微机械元件的器件的设计方法，每个元件包括柔性膜，且所述元件以确定的拓扑结构平面布置，该设计方法包括限定所确定的拓扑结构的步骤，以使其具有与具有空腔(24)的通用基板(20)相容的特性，该空腔(24)的特性是...

本发明涉及一种可分离结构(100)，所述可分离结构(100)包括载体衬底(10)和在第一界面(1)处位于所述衬底(10)上的硅氧化物层(20)。所述可分离结构(100)的特征在于：所述氧化物层(20)的厚度小于200nm；轻氢和/或氦物...

本发明涉及一种用于从可分离结构(100)转移表层的方法，该方法包括以下步骤：a)供应可分离结构(100)，该可分离结构(100)包括：·支撑基底(10)；·可分离层(20)，该可分离层(20)沿着主平面(x，y)布置在支撑基底(10)上...

本发明涉及一种用于制备供体基底的剩余物的方法，已经通过在通过离子注入而弱化的平面中分层来从供体基底去除层，该剩余物在主面上包括环形台阶，该环形台阶对应于供体基底的未去除部分，并且该方法包括：在剩余物的主面上沉积平滑氧化物，以便填充由环形...

本发明涉及通过将层从供体基底转移到接受基底上来制造绝缘体上半导体型结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供供体基底和接受基底，b)在供体基底中形成脆化区，该脆化区界定要转移的层，c)在接受基底上接合供体基底，供体基底的关于要转移的层而与...

本发明涉及一种在柔性片材(20)上制造膜(12)，特别是单晶膜，的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：‑提供供体衬底(10)，‑在供体衬底(10)中形成脆化区(11)以界定膜(12)，‑通过沉积在膜(12)的表面上形成柔性片材(20)...

本发明涉及一种在具有非平坦表面的支撑件(20)上制造膜(12)的方法，其特征在于，该方法包括：‑供应具有非平坦表面的供体衬底(10)，‑在供体衬底(10)中形成脆化区(11)以界定待转移的所述膜(12)，‑在待转移的膜(12)的非平坦表...

在单晶片清洁器中处理SOI衬底的方法。本发明涉及在单晶片清洁器中处理SOI衬底(1)的方法，所述清洁器包括：用于夹持衬底(1)的系统，该系统能够进行旋转运动；第一喷嘴(10)，所述第一喷嘴(10)用于在衬底(1)的正面(1a)上方以喷雾...

将包含第一材料的薄层(3)转移到包含第二材料的支撑衬底(7)上的方法，第一材料和第二材料具有不同的热膨胀系数。转移薄层(3)的方法包括：提供供体衬底(1)，该供体衬底由处置衬底(1b)以及通过第一材料形成的厚层(1a)的组装件构成，处置...

本发明涉及一种用于使在涂覆有电绝缘层(2,2b)的半导体衬底(1)上形成的射频电路(L)中传播的射频信号的谐波失真和/或互调失真最小化的方法，其中，表示所述失真随着输入或输出信号的功率而变化的曲线在给定功率(P

本发明涉及一种用于制备支撑件(1)的方法，该方法包括：将衬底(3)放置在沉积系统的腔室中的承托件上，承托件具有不被衬底覆盖的暴露表面；使包含碳的前体在沉积温度下流入腔室，以便在衬底的暴露面上形成至少一层(2a、2b)，而同时在承托件的暴...

公开了一种用于调节在室温下具有第一应力状态的压电膜(4)的应力状态的方法，所述方法包括形成组件(1)的步骤，该组件(1)包括具有热膨胀系数的载体(2)、置于该载体上的柔性层(3)以及置于该柔性层上的所述压电膜(4)，所述压电膜具有与所述...

本发明涉及一种用于形成光电器件的生长基板(1)，其包括生长介质(2)以及设置在该生长介质(2)上的具有第一晶格参数的第一组晶体半导体岛状物(3a)以及具有不同于第一晶格参数的第二晶格参数的第二组晶体半导体岛状物(3b)。本发明还涉及一种...

本发明涉及一种绝缘体上半导体型结构，特别是用于正面型成像器的绝缘体上半导体型结构，该绝缘体上半导体型结构从其背面到其正面依次包括半导体支撑衬底(1)、电绝缘层(2)以及称为有源层的单晶半导体层(3)，其特征在于，所述有源层(3)由相对于...