LNO材料单晶层的制造方法和外延生长LNO材料单晶层的衬底技术

一种用于生产LNO材料的单晶层的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述LNO材料的单晶层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】LNO材料单晶层的制造方法和外延生长LNO材料单晶层的衬底
本专利技术涉及一种用于生产铌酸锂(LNO)材料的单晶层的方法和用于外延生长这种LNO材料的单晶层的衬底。
技术介绍
某些材料目前不能作为大直径晶片形式的单晶衬底获得。此外，某些材料可以大直径获得，但在品质方面不具有某些特性或规格，特别是关于缺陷密度或所需的电学或光学特性。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过提供用于制造LNO材料的单晶层的方法以及用于外延生长LNO材料的这种单晶层的衬底，来克服现有技术的这些限制。以这种方式，能够解决目前可用的LNO材料的单晶衬底的尺寸问题。本专利技术涉及一种用于生产LNO材料的单晶层的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述LNO材料的单晶层。在有利的实施方式中，单晶晶种层的厚度小于10μm，优选小于2μm，更优选小于0.2μm。在有利的实施方式中，将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底包括将YSZ材料的单晶衬底接合到载体衬底的步骤，随后是减薄所述YSZ材料的单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生产LNO材料的单晶层(300，300'，3001，3002，3003)的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层(200，200'，2000')转移到硅材料的载体衬底(100，100'，100")，随后外延生长所述LNO材料的单晶层(300，300'，3001，3002，3003)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 FR 18002561.一种用于生产LNO材料的单晶层(300，300'，3001，3002，3003)的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层(200，200'，2000')转移到硅材料的载体衬底(100，100'，100")，随后外延生长所述LNO材料的单晶层(300，300'，3001，3002，3003)。


2.如前一项权利要求所述的方法，其中，所述单晶晶种层(200，200'，2000')的厚度小于10μm，优选小于2μm，更优选小于0.2μm。


3.如前述权利要求之一所述的方法，其中，将YSZ材料的单晶晶种层(200，200'，2000')转移到硅材料的载体衬底(100，100'，100”)包括将YSZ材料的单晶衬底(20，20'，2001，2002，2003)接合(1'，1”，1”')到所述载体衬底(100，100'，100")的步骤，随后是减薄(2'，2”，2”')所述YSZ材料的单晶衬底(20，20'，2001，2002，2003)的步骤。


4.如前一项权利要求所述的方法，其中，减薄步骤(2”)包括形成弱化区，所述弱化区界定预备转移到所述硅材料的载体衬底(100，100'，100”)的所述YSZ材料的单晶衬底(20')的一部分(200')。


5.如前一项权利要求所述的方法，其中，通过注入(0")原子和/或离子物质来形成所述弱化区。


6.如权利要求4和5所述的方法，其中，减薄步骤(2”)包括在所述弱化区处分离，从而将所述YSZ材料的单晶衬底(20')的所述部分(200')转移到所述硅材料的载体衬底(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：布鲁诺·吉瑟兰，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR