【技术实现步骤摘要】
支撑基板及其用途本申请是申请日为2016年6月9日,申请号为201680033898.X(国际申请号为PCT/EP2016/063198),专利技术名称为“异质结构和制造异质结构的方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术总体上涉及支撑基板及其用途。
技术介绍
射频(RF)表面声波(SAW)技术广泛用于各种应用,例如当前移动电话中的双工器。标准SAW技术的进一步改进导致了温度补偿的SAW装置的发展,以保持与RF体声波(BAW)技术的竞争力。可以在压电结构100内获得温度补偿的SAW,如图1A中示意性地示出的,压电结构100包括装配到支撑基板110的压电材料层120,可选地,在支撑基板110与压电材料层120之间具有粘合剂层130。在由Hashimoto等人最近发表的文章“RecentdevelopmentoftemperaturecompensatedSAWdevices”,UltrasonicsSymposium2011,IEEEInternational,第79-86页中综述了温度补偿的SAW装置的最新发展 ...
【技术保护点】
1.一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510),所述异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520),所述覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到所述支撑基板(210、410、510),所述支撑基板(210、410、510)具有与所述第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数,其中,所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性,其中在交界面处,所述覆盖层(220、420、520)包括从所述交界面延伸到所述覆盖层(220、420、520)中的至少一个凹槽(240、340、440、540)。/n
【技术特征摘要】
20150612 FR 15/012221.一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510),所述异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520),所述覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到所述支撑基板(210、410、510),所述支撑基板(210、410、510)具有与所述第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数,其中,所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性,其中在交界面处,所述覆盖层(220、420、520)包括从所述交界面延伸到所述覆盖层(220、420、520)中的至少一个凹槽(240、340、440、540)。
2.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510),其中,所述异质结构(200、400、400'、500')是压电结构。
3.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510),其中,所述覆盖层(220、420、520)是压电材料层。
4.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510),其中,所述至少一个凹槽(240、340、440、540)形成在整个所述覆盖层(220、420、520)上延伸的沟槽。
5.根据前述权利要求中任一项所述的支撑基板(210、410、510),其中,所述覆盖层(220、420、520)的被所述至少一个凹槽(240、340、440、540)分隔开的部分具有小于预定临界长度的横向延伸,超过所述预定临界长度将发生由于在预定温度下的热处理而导致的破损。
6.根据权利要求1所述的支撑基板(210、410、510),其中,所述至少一个凹槽(240、340、440、540)延伸到所述覆盖层(220、420、520)的和与所述支撑基板(210、410、510)的所述交界面相反的表面。
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【专利技术属性】
技术研发人员:阿诺德·卡斯泰,达尼埃尔·德尔普拉,伯纳德·阿斯帕,I·拉杜,
申请(专利权)人:索泰克公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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