一种压电薄膜体及其制备方法、空腔型器件及其制备方法技术

本申请实施例提供一种压电薄膜体及其制备方法、空腔型器件及其制备的方法，压电薄膜体，包括依次层叠的衬底层、隔离层和压电薄膜层；衬底层包括带有空腔的衬底基体；空腔内由填充层完全填充；填充层与隔离层接触；其中，填充层与隔离层的材料相同，并且，填充层与隔离层的材料满足在对压电薄膜体进行湿法刻蚀处理时，侵蚀溶液侵蚀填充层和隔离层，且，侵蚀溶液不侵蚀衬底基体和压电薄膜层。在利用该压电薄膜体制备空腔型器件时，能够利用湿法刻蚀方法，去除空腔内的填充层，以及与空腔对应的隔离层，而不破坏衬底基体的结构，从而能够得到与预设空腔尺寸一致的空腔，并且采用湿法刻蚀方法不会破坏压电薄膜层。

【技术实现步骤摘要】
一种压电薄膜体及其制备方法、空腔型器件及其制备方法
本申请属于半导体元件制备领域，特别涉及一种压电薄膜体及其制备方法、空腔型器件及其制备方法。
技术介绍
随着科技的发展，全球系统之间的大数据传输速度日益加快，压电薄膜体声波器在越来越多的范围内得到广泛的应用，例如计时时钟、移动电话射频模块等。压电薄膜体声波器是一种射频滤波器，通常采用电极-压电薄膜-电极的三明治结构。压电薄膜的上下面上分别沉积顶电极和底电极，压电薄膜具有压电性，当施加电压后会产生压力，晶体薄膜将发生机械形变，将电能转换为机械能。当这种晶体被机械压缩或展延时，机械能又转换为电能，在晶体结构的两面形成电荷，使电流流过端子和/或形成端子间的电压。由此可知，压电薄膜体声波器中压电薄膜质量的好坏直接影响压电薄膜体声波器的使用效果。对于压电薄膜体声波器，还需要在底电极下方对应制备空腔，使压电薄膜的主体部分悬于衬底层上，谐振时能量就被限制在空腔内。现有制备空腔的方法包括：先制备得到包括衬底层和压电薄膜层的制备体，然后按照预设的空腔尺寸，由衬底层向压电薄膜层方向进行干法刻蚀空腔，例如等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压电薄膜体，其特征在于，包括依次层叠的衬底层、隔离层和压电薄膜层；/n所述衬底层包括带有空腔的衬底基体；/n所述空腔内由填充层完全填充；/n所述填充层与所述隔离层接触；/n其中，所述填充层与所述隔离层的材料相同，并且，所述填充层与所述隔离层的材料满足在对所述压电薄膜体进行湿法刻蚀处理时，侵蚀溶液侵蚀所述填充层和隔离层，且，所述侵蚀溶液不侵蚀所述衬底基体和压电薄膜层。/n

【技术特征摘要】
1.一种压电薄膜体，其特征在于，包括依次层叠的衬底层、隔离层和压电薄膜层；
所述衬底层包括带有空腔的衬底基体；
所述空腔内由填充层完全填充；
所述填充层与所述隔离层接触；
其中，所述填充层与所述隔离层的材料相同，并且，所述填充层与所述隔离层的材料满足在对所述压电薄膜体进行湿法刻蚀处理时，侵蚀溶液侵蚀所述填充层和隔离层，且，所述侵蚀溶液不侵蚀所述衬底基体和压电薄膜层。


2.根据权利要求1所述的压电薄膜体，其特征在于，所述空腔贯穿所述衬底层，或者，所述空腔底部为所述衬底基体。


3.根据权利要求1所述的压电薄膜体，其特征在于，所述隔离层为氧化硅、氧化氮、氧化铝或氮化铝材料；所述衬底基体为铌酸锂或硅材料；所述压电薄膜层为铌酸锂或钽酸锂材料。


4.一种压电薄膜体的制备方法，其特征在于，包括：
按照预设尺寸，由衬底层的刻蚀面向所述刻蚀面的相对面刻蚀至少一个空腔，得到带有空腔的衬底基体；
在所述衬底基体上沉积填充料，所述填充料将所述空腔完全填充，在所述空腔内形成填充层，并且，所述填充料覆盖于填充后的衬底基体刻蚀面预设隔离厚度，在所述填充后的衬底基体刻蚀面上形成隔离层；
在所述隔离层上制备压电薄膜层，得到压电薄膜体；
其中，所述填充料满足在对所述压电薄膜体进行湿法刻蚀处理时，侵蚀溶液侵蚀所述填充层和隔离层，且，所述侵蚀溶液不侵蚀所述衬底基体和压电薄膜层。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀全，王金翠，刘桂银，杨超，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37