半导体器件、半导体组件及电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件，包括：声学组件，所述声学组件包括至少一个声学器件；基板；金属框架，包括中间金属结构以及金属引脚，所述金属引脚与中间金属结构同层且间隔开布置，其中：所述声学组件与所述基板彼此间隔开的同层布置在所述金属框架的上表面，所述声学组件设置在中间金属结构的上表面，所述声学组件与所述基板电连接，所述基板与所述金属框架电连接。本发明专利技术还涉及一种电子设备，包括上述半导体器件或者上述半导体组件。

Semiconductor devices, semiconductor components and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、半导体组件及电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件，一种半导体组件，以及一种具有该半导体器件或器件的电子设备。
技术介绍
随着通讯技术的发展，特别是在终端产品中，射频前端的技术发展一直在追求着更小尺寸、更大功率、更低插损、更高隔离度、更多集成功能等目标。声学器件(例如声表面波(SAW)滤波器和体声波(BAW)滤波器)以其固有的技术优势逐渐成为射频前端组件中的重要核心滤波部件。但随着器件工作频率和功率越来越高，其本身的封装尺寸却又越来越小，从而导致器件内部由于严重的自加热而不能正常工作，严重时可能造成器件损坏。降低器件核心温度是提升器件功率容量和工作温度的有效手段，这可以通过对器件到PCB(印制电路板)之间的散热通道进行优化来实现。通常的做法是对器件与PCB之间的基板进行优化，但仍采用器件叠加在基板上的方式(典型的结构如图1、2所示)实现。图1所示的方案100中，声学组件5采用倒装(flip-chip)的方法装配在基板3之上，其中焊球4起到电连接声学组件5和基板3的作用，基板3通过焊锡2装配在PCB本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n声学组件，所述声学组件包括至少一个声学器件；/n基板；/n金属框架，包括中间金属结构以及金属引脚，所述金属引脚与中间金属结构同层且间隔开布置，/n其中：/n所述声学组件与所述基板彼此间隔开的同层布置在所述金属框架的上表面，所述声学组件设置在中间金属结构的上表面，所述声学组件与所述基板电连接，所述基板与所述金属框架电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
声学组件，所述声学组件包括至少一个声学器件；
基板；
金属框架，包括中间金属结构以及金属引脚，所述金属引脚与中间金属结构同层且间隔开布置，
其中：
所述声学组件与所述基板彼此间隔开的同层布置在所述金属框架的上表面，所述声学组件设置在中间金属结构的上表面，所述声学组件与所述基板电连接，所述基板与所述金属框架电连接。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述声学组件为以下中的至少一种：谐振器，滤波器，双工器，多工器，射频前端模块。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：
所述声学器件包括体波谐振器或者声表面波谐振器。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述声学组件设置在所述基板的镂空区域中且由所述基板包围，或所述基板仅部分包围所述声学组件，或所述基板仅布置在声学组件的一侧。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述中间金属结构的上表面还设置有电子器件，所述电子器件与所述基板以及声学组件同层布置且间隔开；且
所述电子器件包括与所述基板通过键合线连接或者与所述金属引脚直接电连接的电子器件，所述电子器件为集总单元、集成电路、射频开关、功率放大器、低噪声放大器中的至少一种。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述声学组件包括衬底以及设置在衬底的上表面的声学器件层，所述声学器件层包括所述至少一个声学器件；且
所述半导体器件包括设置在所述衬底的下表面与所述中间金属结构的上表面之间的粘接层，所述粘接层由导热材料形成，或者所述半导体器件包括填充在所述衬底内部的导热率高于衬底的导热率的填充结构。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：
所述粘接层为导电金属层；
所述衬底的下表面设置有金属结构层，所述金属结构层与所述粘接层彼此连接。


8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
所述衬底内部填充有导热率高于衬底的导热率的填充结构，所述填充结构的上部与所述衬底的上表面间隔开，所述填充结构的下部与所述金属结构层直接接触。


9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
所述填充结构为作为整体的填充块状结构，或者所述填充结构包括多个彼此间隔开的填充子块。


10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
所述金属结构层包括彼此间隔开的多个金属结构子层，所述衬底包括在厚度方向上贯穿其的多个导电通孔，所述导电通孔的上端与声学器件层中对应的器件电连接，所述导电通孔的下端与对应的金属结构子层电连接，且所述填充结构包括所述导电通孔；或者
所述衬底包括在厚度方向上贯穿其的一个导电通孔，所述导电通孔的上端与声学器件层中对应的器件电连接，所述导电通孔的下端与金属结构层电连接，且所述填充结构包括所述导电通孔。


11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：
所述导电通孔适于接地和/或适于传输信号。


12.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：
所述粘接层为不导电层。


13.根据权利要求8或12所述的半导体器件，其中：
所述声学组件包括与声学器件同层设置在衬底的上表面的多个声学组件焊盘；
所述声学组件焊盘中的至少一个通过键合线连接到基板且基板焊接连接到金属引脚；和/或所述声学组件焊盘中的至少一个通过键合线连接到金属引脚。


14.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
所述半导体器件还包括设置在基板的下表面与金属框架的上表面之间的另外的粘接层，所述另外的粘接层与所述粘接层同层布置且由相同材料形成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张全德，庞慰，郑云卓，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12