【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将有用层转移到载体衬底的方法
[0001]本专利技术涉及微电子领域。具体地,本专利技术涉及将有用层转移到载体衬底上的方法。
技术介绍
[0002]图1所示的将有用层3转移到载体衬底4的方法是现有技术已知的;该方法具体描述于文献WO 2005043615和WO 2005043616中,包括以下步骤:
[0003]·
通过在施主衬底1中注入轻物质以来形成埋置弱化面2,从而在该面与施主衬底的表面之间形成有用层3;
[0004]·
接着,将施主衬底1接合到载体衬底4以形成接合结构5;
[0005]·
对接合结构5进行热处理以弱化埋置弱化面;
[0006]·
以及最后,通过在埋置弱化层2的水平处施加的能量脉冲来引发分裂波,分裂波在施主衬底1中沿着所述埋置弱化面2自维持传播。
[0007]在该方法中,在埋置弱化层2的水平处注入的物质开始形成微腔。弱化热处理具有促进这些微腔生长和加压的作用。通过在热处理之后施加额外的外力(能量脉冲),在埋置弱化层2中引发分裂波,该波以 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种将有用层(3)转移到载体衬底(4)上的转移方法,所述转移方法包括以下步骤:a)提供包括埋置弱化面(2)的施主衬底(1),所述有用层(3)由所述施主衬底(1)的正面(1a)和所述埋置弱化面(2)来界定;b)提供载体衬底(4);c)由所述施主衬底(1)的所述正面(1a)将所述施主衬底(1)沿接合界面(7)结合到所述载体衬底(4)以形成接合结构(5);d)对所述接合结构(5)进行退火,以对所述接合结构施加弱化热预算并使所述埋置弱化面(2)达到限定的弱化程度;e)通过向所述接合结构(5)施加应力来在所述埋置弱化面(2)中引发分裂波,所述分裂波以自维持的方式沿着所述埋置弱化面(2)传播,以造成所述有用层(3)被转移到所述载体衬底(4);所述转移方法的特征在于:当所述接合结构(5)至少在其最热区域中经受150℃至250℃之间的温度时,引发所述分裂波。2.根据前一权利要求所述的转移方法,其中,所述最高温度在180℃至220℃之间。3.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,步骤d)中的所述退火达到300℃至600℃之间的最大保持温度。4.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,所述弱化热预算在分裂热预算的40%至95%之间,所述分裂热预算造成在所述退火期间在所述埋置弱化面(2)中自发引发所述分裂波。5.根据前述权利要求中任一项所述的转移方法,其中,步骤e)中的所述引发直接在...
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