包括基于InGaN的P型注入层的光电半导体结构制造技术

本发明专利技术涉及一种光电子半导体结构(SC)，其包括设置在n型注入层(6)和p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(5)，所述p型注入层(7)包括厚度为50nm至350nm的第一InGaN层(7a)和设置在第一层(7a)上的具有GaN表面部分的第二层(7b)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括基于InGaN的P型注入层的光电半导体结构
本专利技术涉及光电半导体结构，例如发光二极管(LED)、太阳能电池或激光二极管。本专利技术尤其涉及具有由InGaN制成的P型注入层的光电子半导体结构。
技术介绍
光电半导体结构通常由晶体半导体层的叠层形成，包括位于n型注入层和p型注入层之间的有源层。在LED结构的情况下，有源层可以包括交替的阻挡层和量子阱层。为了允许电流均匀和密集地流过该结构，注入层必须足够厚，例如远超过200nm。在基于InGaN的结构中，量子阱层的铟含量可以是10％的数量级以形成发射蓝色的二极管，当二极管发射绿色时大于大约20％，并且对于发射红色的二极管大于大约40％。阻挡层(barrierlayer)具有比量子阱层低的铟含量。铟含量越高，量子阱层的固有晶格参数就越重要(即，将被完全弛豫的层的固有晶格参数)。换句话说，铟含量越高，当量子阱层在具有特定晶格参数的生长介质上形成时，其压缩应变就越大。在形成光电结构的叠层中的过大的应变会导致有缺陷的结构。该应变可以值得注意地是在构成该结构的GaN或InGaN膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电半导体结构SC，所述光电半导体结构包括设置在n型注入层(6)与p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(5)，所述p型注入层(7)包括厚度在50nm至350nm之间的第一InGaN层(7a)，以及设置在所述第一层(7a)上的具有GaN表面部分的第二层(7b)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190311 FR 19024471.一种光电半导体结构SC，所述光电半导体结构包括设置在n型注入层(6)与p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(5)，所述p型注入层(7)包括厚度在50nm至350nm之间的第一InGaN层(7a)，以及设置在所述第一层(7a)上的具有GaN表面部分的第二层(7b)。


2.根据前一权利要求所述的半导体结构SC，其中，所述GaN表面部分具有小于50nm的厚度。


3.根据前述权...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·索塔，M·罗扎夫斯卡亚，B·达米拉诺，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR