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本发明涉及一种光电子半导体结构(SC)，其包括设置在n型注入层(6)和p型注入层(7)之间的基于InGaN的有源层(5)，所述p型注入层(7)包括厚度为50nm至350nm的第一InGaN层(7a)和设置在第一层(7a)上的具有GaN表面部...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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