金刚石或铱材料单晶层的制造方法和外延生长金刚石或铱材料单晶层的衬底技术

一种用于生产金刚石或铱材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金刚石或铱材料单晶层的制造方法和外延生长金刚石或铱材料单晶层的衬底
本专利技术涉及一种用于生产金刚石或铱材料的单晶层的方法和用于外延生长这种金刚石或铱材料的单晶层的衬底。
技术介绍
某些材料目前不能作为大直径晶片形式的单晶衬底获得。此外，某些材料可以大直径获得，但在品质方面不具有某些特性或规格，特别是关于缺陷密度或所需的电学或光学特性。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过提供用于制造金刚石材料的单晶层的方法以及用于外延生长金刚石材料的这种单晶层的衬底，来克服现有技术的这些限制。以这种方式，能够解决目前可用的金刚石材料的单晶衬底的尺寸问题。本专利技术涉及一种用于生产金刚石材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述金刚石材料的单晶层。在有利的实施方式中，单晶晶种层的厚度小于10μm，优选小于2μm，更优选小于0.2μm。在有利的实施方式中，将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底包括将SrTiO3材料的单晶衬底接合到载体衬底的步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生产金刚石材料的单晶层(300，300'，3001，3002，3003)的方法，其包括将SrTiO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 FR 18002551.一种用于生产金刚石材料的单晶层(300，300'，3001，3002，3003)的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层(200，200'，2000')转移到硅材料的载体衬底(100，100'，100")，随后外延生长所述金刚石材料的单晶层(300，300'，3001，3002，3003)。


2.如前一项权利要求所述的方法，其中，所述单晶晶种层(200，200'，2000')的厚度小于10μm，优选小于2μm，更优选小于0.2μm。


3.如前述权利要求之一所述的方法，其中，将SrTiO3材料的单晶晶种层(200，200'，2000')转移到硅材料的载体衬底(100，100'，100”)包括将SrTiO3材料的单晶衬底(20，20'，2001，2002，2003)接合(1'，1”，1”')到所述载体衬底(100，100'，100")的步骤，随后是减薄(2'，2”，2”')所述SrTiO3材料的单晶衬底(20，20'，2001，2002，2003)的步骤。


4.如前一项权利要求所述的方法，其中，减薄步骤(2”)包括形成弱化区，所述弱化区界定预备转移到所述硅材料的载体衬底(100，100'，100”)的所述SrTiO3材料的单晶衬底(20')的一部分(200')。


5.如前一项权利要求所述的方法，其中，通过注入(0")原子和/或离子物质来形成所述弱化区。


6.如权利要求4和5所述的方法，其中，减薄步骤(2”)包括在所述弱化区处分离，从而将所述SrTiO3材料的单晶衬底(20')的所述部分(200')转移到所述硅材料的载体衬底(100，100'，100")，特别地，所述分离包括施加热和/或机械应力。


7.如前述权利要求3至6所述的方法，其中，接合步骤(1'，1”，1”')是分子粘附步骤。


8.如前述权利要求之一所述的方法，其中，所述SrTiO3材料的单晶晶种层(200，200'，2000')为各自转移到所述硅材料的载体衬底(100，100'，100")的多个片(2001'，2002'，2003')的形式。


9.如前述权利要求之一所述的方法，其中，所述硅材料的载体衬底(100，100'，100")包含可分离界面(40，40')，所述可分离界面(40，40')被配置为借助于激光剥离技术和/或化学侵蚀和/或借助...

【专利技术属性】
技术研发人员：布鲁诺·吉瑟兰，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR