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LG伊诺特有限公司专利技术
LG伊诺特有限公司共有4031项专利
半导体发光器件制造技术
实施方案涉及一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括:多个化合物半导体层,其包括第一导电半导体层;在所述第一导电半导体层上的有源层;和在所述有源层上的第二导电半导体层;在所述多个化合物半导体层之下的电极;在所述多个化合物半导体层上的电...
发光器件及其制造方法技术
本发明提供一种发光器件及其制造方法。发光器件包括:有源层;在所述有源层上的第一导电半导体层;在所述有源层上的第二导电半导体层,使得所述有源层设置于所述第一和第二导电半导体层之间;和光子晶体结构,所述光子晶体结构包括:具有第一周期的在所述...
发光器件制造技术
一种发光器件,包括:衬底,在所述衬底上的第一导电半导体层,在所述第一导电半导体层上的有源层,在所述有源层上的第二导电半导体层,和在所述衬底下的并且包括光反射图案的反射层,所述光反射图案设置为沿远离所述反射层的方向反射由所述有源层发出的光。
发光器件及其制造方法技术
本发明提供一种发光器件及其制造方法。根据一个实施方案的发光器件,包括:至少一个突起部的第二电极层;在所述第二电极层的突起部上的至少一个电流阻挡层;在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层;在所述第二导电型半导体层上的有源层...
半导体发光器件制造技术
公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括:包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层;所述化合物半导体层上的点式导电层;和所述点式导电层上的电极层。
半导体发光器件制造技术
提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、第一电极、第二电极层和导电支撑构件。所述多个化合物半导体层包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述第一电极形成于所述化合物半导体层下方。所述第...
发光器件制造技术
一种发光器件,包括:第一光子晶体结构,其具有反射层和在所述反射层上的非金属图案元件;在所述反射层和所述非金属图案元件两者上的第二导电半导体层;在所述第二导电半导体层上的有源层;和在所述有源层上的第一导电半导体层。
半导体发光器件制造技术
本发明实施方案涉及半导体发光结构。根据一些实施方案的所述半导体发光结构包括:多个化合物半导体层;电流扩散层,包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层和在所述透明电极层之间的金属层;和电连接至所述电流扩散层的第二电极。
发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装制造技术
本发明公开一种发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装。该发光器件包括:第一导电半导体层;在第一导电半导体层上分隔开的多个发光单元;在发光单元中的至少一个上的磷光体层;和电连接至发光单元的多个第二电极。
发光器件封装制造技术
提供一种发光器件封装。该发光器件封装包括封装体、封装体上的发光器件和发光器件下方的透光光导构件。
发光器件制造技术
本发明提供一种发光器件(LED)。所述LED包括发光结构和混合周期光子晶体结构。所述发光结构包括:第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述混合周期光子晶体结构在所述发光结构上。
发光器件制造技术
本发明提供一种发光器件(LED)。所述LED包括:第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。有源层在第一导电型半导体层上。第二导电型半导体层在有源层和第一导电型半导体层的至少一侧上并且在有源层上。
发光器件封装制造技术
本发明公开了一种发光器件封装,包括:封装体,该封装体包括在该封装体的下表面中形成的多个不连续的且分离的三维形状的凹部,该凹部被配置用于耗散该封装体中产生的热量;该封装体中的腔;以及发光器件,该发光器件包括在该封装体的腔内的、且被配置用于...
发光器件制造技术
一种发光器件,包括:发光结构,其具有第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方设置的有源层、和在有源层下方设置的第二导电半导体层;在发光结构的一部分中形成的沟槽;在沟槽中的电流阻挡层并且设置为阻止电流供给至其中存在沟槽的部分处的有源层并且...
发光器件封装制造技术
本发明提供了发光器件封装及其制造方法。发光器件封装包括封装主体,封装主体包括设置在上部处的腔。发光器件封装包括设置在封装主体的表面上的绝缘层。发光器件封装包括多个设置在绝缘层上的金属层。发光器件封装包括设置在腔中的发光器件。发光器件封装...
半导体发光器件制造技术
本发明公开了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括:包括多个化合物半导体层的发光结构,所述多个化合物半导体层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;在所述多个化合物半导体层上的电极层;包括突起并沿所述多个化合物半导体层的上表面...
半导体发光器件制造技术
本发明公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括:包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层;在所述多个化合物半导体层下方的垫;在所述多个化合物半导体层上的电极层;和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所...
半导体发光器件制造技术
本发明实施方案涉及一种半导体发光器件。根据实施方案的半导体发光器件包括:含有多个化合物半导体层的发光结构;在发光结构下的第一电极;在发光结构上的第二电极层;在发光结构和第二电极层之间的第一绝缘层;和在第一绝缘层下形成并电连接至第一电极的...
半导体发光器件制造技术
本发明公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括:包含多个化合物半导体层的发光结构、在发光结构上的电极层、在电极层上的导电支撑构件、沿发光结构上表面的周边部分形成的导电层、以及在导电层上的绝缘层。
主轴电机的译码器隔离件以及包括该隔离件的译码器组件制造技术
本发明公开一种用于主轴电机的译码器隔离件和包括该译码器隔离件的译码器组件,其中,所述译码器隔离件包括:由绝缘材料制成的单片结构的主体;第一端子,其电连接到主轴电机的主PCB(印刷电路板)并且从所述主体的侧面突出;第二端子,其经由穿过所述...
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