发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供了发光器件封装及其制造方法。发光器件封装包括封装主体，封装主体包括设置在上部处的腔。发光器件封装包括设置在封装主体的表面上的绝缘层。发光器件封装包括多个设置在绝缘层上的金属层。发光器件封装包括设置在腔中的发光器件。发光器件封装包括第一金属板，第一金属板设置在与发光器件对应的位置处的封装主体的后表面处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)可以构成发光源，并可以利用化合物半导体材料，诸如基于 GaAs的材料、基于AlGaAs的材料、基于GaN的材料、基于InGaN的材料和基于InGaAlP的材 料。 这种LED被封装，并从而用作发射各种彩色光的发光器件。发光器件在各种领域 (例如，发光显示装置、字符显示装置和图像显示装置)中用作光源。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了 一种其中改进了热电阻的发光器件封装。 本专利技术的实施例提供了一种其中改进了发光器件的热辐射路径的发光器件封装。 本专利技术的实施例提供了一种发光器件封装，包括封装主体，包括设置在上部处的腔；绝缘层，设置在封装主体的表面上；多个金属层，设置在绝缘层上；设置在腔中的发光器件；以及第一金属板，设置在与发光器件对应的位置处的封装主体后表面上。本专利技术的实施例提供了一种发光器件封装，包括具有腔的封装主体；设置在封装主体上的多个金属层；绝缘层，设置在多个金属层和封装主体之间；形成在封装主体中的至少一个阱；发光器件，在腔中设置在封装主体上；以及第一金属板，设置在与发光器件对应的区域处的封装主体之下。 本专利技术的实施例提供了一种发光器件封装，包括封装主体，具有腔，并由硅材料 形成；至少一个发光器件，设置在封装主体的腔中；以及第一金属板，在封装主体的下表面 处设置在与发光器件的区域对应的区域处。 本专利技术的一个或更多个实施例的细节在以下的附图和描述中给出。其他特征根据 说明和附图、以及根据权利要求将是明显的。附图说明 图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的截面图。 图2A和2B是分别示出与图1中的发光器件封装相对应的热辐射路径和热辐射电 阻器的示图。 图3是示出图1中的发光器件封装的等效电路的示例的电路图。 图4是示出图1中的发光器件封装的等效电路的另一示例的电路图。 图5至11是示出制造图1中的发光器件封装的方法的图。 图12是示出根据第二实施例的发光器件封装的侧剖面图。 图13A和13B是分别示出对应于图12中的发光器件封装的热辐射路径和热辐射 电阻器的图。 图14是示出根据第三实施例的发光器件封装的截面图。 图15A、15B和15C是分别示出与图14中的发光器件封装对应的热辐射路径、热辐 射电阻器和电路构造的图。 图16是示出根据第四实施例的发光器件封装的截面图。 图17A、17B和17C是分别示出与图16中的发光器件封装对应的热辐射路径、热辐 射电阻器和电路构造的图。具体实施例方式现在将详细参照本专利技术的实施例，在附图中示出了本专利技术实施例的示例。在对实 施例的描述中，每层的"上面"或者"下面"可以参照附图来描述，并且每层的厚度也将作为 示例被描述而不限于附图的厚度。 在对实施例的描述中，应当理解，当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称作在另 一层(或者膜)、区域、垫或图案"上面"或者"下面"时，术语"上面"和"下面"包括"直接 地"和"间接地"两种含义。此外，关于在每层"上面"和"下面"的论述将基于附图进行。另 外，在附图中每层的厚度是示例，并且不限于此。 图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的截面图。参照图l，发光器件封装 100包括封装主体110、绝缘层120和121、多个阱(或者掺杂区域)131到134、第一和第二 金属层140和141、金属板145以及发光器件150。 封装主体110可以通过使用硅材料的晶片级封装(WLP)或者导电基板来形成。具有一定深度的腔111在封装主体110的上部形成。腔111可以形成为凹底管(base tube)形、凹多边形以及凹圆形中的任意一种。其他形状在本专利技术的范围内。 例如，封装主体110的腔111的侧表面可以形成为倾斜的、以一定角度处垂直、具有一定曲率或者具有阶梯。封装主体110的顶部的周边可以形成为平坦的，并且封装主体110的外表面可以形成为以一定角度处弯曲，例如形成为倾斜的、以一定角度处垂直、具有一定曲率或者具有阶梯。 绝缘层120和121在封装主体110的表面上形成。绝缘层120和121可以由绝缘 材料或者电介质材料(诸如硅热氧化物、碳化硅(SiC)、氮化铝(A1N)、氧化铝以及氮化硅) 中的至少一种形成。这里，绝缘层120和121可以由用于形成封装主体110中的齐纳二极 管结构的硅热氧化物形成。 在封装主体110中，腔111和封装主体110的后表面之间的区域可以形成为具 有最小厚度。例如，腔111的底部和封装主体110的后表面之间的厚度是约500iim到约 2000 ym。该厚度在不引起硅片击穿的情况下可以根据热传递效率进行改变。 在第一绝缘层120中，第1A绝缘层122和第1B绝缘层124分别在封装主体110在 腔111中的倾斜侧上和封装主体110的倾斜外表面上整体地形成。这里，第1B绝缘层124 在封装主体110的倾斜外表面和部分下表面上扩展。封装主体的具有第一绝缘层120的那 侧可以被称作封装主体110的第一侧。 在第二绝缘层121中，在封装主体110的与第一绝缘层120相对的另一侧上，第2A 绝缘层123和第2B绝缘层125在封装主体110的在腔111中的倾斜侧和封装主体110的 倾斜外表面上整体地形成。这里，在封装主体110的与第一绝缘层120相对的另一侧，第2B绝缘层125在封装主体110的倾斜外表面和部分后表面上扩展。封装主体110的具有第二 绝缘层121的侧可以被称作封装主体110的第二侧。 第一和第二绝缘层120和121可以在除了腔111的底部的开口区域Al和封装主 体110的后表面的开口区域A3之外的区域整体地形成，或者可以设置在第一和第二金属层 140和141下面。 阱(或者掺杂区域)131到134分别在封装主体110的一定区域处形成。第一阱 131在封装主体110的第一侧处形成，而第二阱132在封装主体110的第二侧处形成。第三 阱133在封装主体110的腔111处形成，而第四阱134在封装主体110的后表面处形成。 第一阱131在第一绝缘层120的开口区域(或者开口 )处在封装主体110中形成， 第二阱132在第二绝缘层121的开口区域(或者开口)处在封装主体110中形成。第一和 第二阱131和132可以通过将杂质扩散或者注入到封装主体110中来形成。所扩散或者所 注入的杂质具有与封装主体110的极性(例如，硅基板的极性)相反的极性。第一和第二 阱131和132可以实现为(或者用在)在封装主体110中形成的齐纳二极管。 第三阱133设置在腔111的底部，第四阱134在第三阱133的相反侧的下表面处 形成。第三和第四阱133和134也可以通过将与第一和第二阱131和132相同类型的杂质 扩散或者注入到封装主体110中来形成。 第三阱133于在腔111的中心部分的开口区域Al处暴露出的封装主体110处形 成，第四阱134于在封装主体110的后表面的开口区域A3处暴露出的封装主体110处形 成。第三阱133或/和第四阱134与发光器件150电绝缘(S卩，浮态)，并且因此可以实现 为用于其它器件保护的恒流晶体管和齐纳二极管。在本专利技术实施例中，第一和第二绝缘层 120和121可以是覆盖封装主体110的全部表面或者大部分表面的单一连续或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：封装主体，包括设置在上部处的腔；绝缘层，设置在所述封装主体的表面上；多个金属层，设置在所述绝缘层上；发光器件，设置在所述腔中；以及第一金属板，设置在与所述发光器件对应的位置处的所述封装主体的后表面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金根浩，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]