江阴长电先进封装有限公司专利技术

江阴长电先进封装有限公司共有282项专利

  • 一种半导体产品的封装方法
    本发明是一种半导体产品的封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括柔性半导体产品和芯片,所述柔性半导体产品的一面为覆晶面、另一面为非覆晶面,所述芯片通过焊球倒装于柔性半导体产品的覆晶面,芯片和柔性半导体产品中间填充底部填充料,所述芯片周围...
  • 一种三维POP封装结构及其封装方法
    本发明公开了一种三维POP封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包含上下堆叠的至少两层封装体以及载有再布线金属层的高密度柔性转接板,其中下层封装体背面减薄露出BGA焊球及金属凸块起到互联导通的作用,高密度柔性转接板采用Lift...
  • 一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法
    本发明一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括带有A芯片金属凸块的A芯片、布线层、A芯片包覆膜和带有B芯片金属凸块的B芯片、再布线层、B芯片包覆膜,B芯片设置于A芯片垂直上方区域,B芯片外侧区域设置穿孔,填充...
  • 一种半导体芯片的封装结构及其封装方法
    本发明公开了一种半导体芯片的封装结构及其封装方法,属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体的上方设置再布线金属层Ⅰ,在所述输入/输出端Ⅰ设置金属柱,所述包封层包裹金属柱和再布线金属层Ⅰ的裸露面以及硅基本体的侧壁,并露出金属柱的上表面,所述...
  • 一种圆片级背金芯片的封装结构及其封装方法
    本发明公开了一种背金芯片的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其硅基本体的正面设有若干个芯片电极和正面保护层,该正面保护层开设正面保护层开口再次露出芯片电极,芯片电极的上表面设置金属凸点。该硅基本体的背面设有背金层,该背金层通...
  • 一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法
    本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法,属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体(110)的正面设有钝化层(101)并嵌有金属焊盘(102),在硅基本体(110)正面覆盖正面保护层(200),在金属焊盘(102)处形成正面保护层金...
  • 一种包覆型芯片尺寸封装结构
    本实用新型公开了一种包覆型芯片尺寸封装结构,属于半导体封装技术领域。其硅基本体(111)的正面设置钝化层(210),芯片电极(113)由背面嵌入硅基本体(111)的正面,所述钝化层(210)的上表面设置介电层Ⅰ(310),所述介电层Ⅰ(...
  • 一种指纹识别芯片的封装结构
    本实用新型公开了一种指纹识别芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括指纹识别芯片(200)、框架(100)和包封体(400),所述框架(100)设置在指纹识别芯片(200)的外围,所述框架(100)包括框架基座(101)和金属凸点(...
  • 一种包覆型芯片尺寸封装结构及其封装方法
    本发明公开了一种包覆型芯片尺寸封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其硅基本体(111)的正面设置钝化层(210),芯片电极(113)由背面嵌入硅基本体(111)的正面,所述钝化层(210)的上表面设置介电层Ⅰ310),所述介电...
  • 一种指纹识别芯片的封装结构及其制造方法
    本发明公开了一种指纹识别芯片的封装结构及其制造方法,属于半导体封装技术领域。其包括指纹识别芯片(200)、框架(100)和包封体(400),所述框架(100)设置在指纹识别芯片(200)的外围,所述框架(100)包括框架基座(101)和...
  • 一种封装基板的结构
    本实用新型涉及一种封装基板的结构,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超高密度基板(10)、高密度芯片(51)、低密度芯片(53)和包封层Ⅰ(310),超高密度基板(10)嵌于包封层Ⅰ(310)内,超高密度基板(10)与高密...
  • 一种混合密度封装基板的结构
    本实用新型涉及一种混合密度封装基板的结构,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超高密度基板(10)、高密度芯片(51)、低密度芯片(53)和包封层Ⅰ(310),超高密度基板(10)嵌于包封层Ⅰ(310)内,超高密度基板(10...
  • 一种芯片封装结构
    本实用新型涉及一种芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体和芯片电极,所述硅基本体的正面设置钝化层并开设钝化层开口,所述芯片电极由背面嵌入于硅基本体的正面,所述钝化层开口露出芯片电极的正面,所述钝化层的上表面设置介电层并开设...
  • 一种提高产品可靠性的凸块结构及其制备方法
    本发明公开了一种提高产品可靠性的凸块结构及其制备方法,属于半导体封装技术领域。本发明包括表面设置有芯片电极(110)的硅基体(101),所述硅基体(101)的上表面附着有芯片表面钝化层(120),并在芯片电极(110)的上方设置有芯片表...
  • 本实用新型公开了一种指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片(2)由背面嵌入包封体(1),所述再布线金属层Ⅰ(4)选择性地分布于绝缘层(3)的表面并与对应的电极(25)电性连接;所述通孔(11)设置于指纹识...
  • 本实用新型涉及一种芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体(1)和芯片电极(11),所述硅基本体(1)的正面设置钝化层(13)并开设钝化层开口(131),所述芯片电极(11)由背面嵌入于硅基本体(1)的正面,所述钝化层开口(...
  • 一种芯片封装结构及其封装方法
    本发明涉及一种芯片封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体和芯片电极,所述硅基本体的正面设置钝化层并开设钝化层开口,所述芯片电极由背面嵌入于硅基本体的正面,所述钝化层开口露出芯片电极的正面,所述钝化层的上表面设置介电...
  • 本发明公开了一种指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片(2)由背面嵌入包封体(1),绝缘层(3)覆盖所述感应区域(22)和电极(25)之外的硅基本体(21)的上表面与包封体(1)的上表面,所述再布线金属层...
  • 本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超高密度基板(10)、高密度芯片(51)、低密度芯片(53)和包封层Ⅰ(310),超高密度基板(10)嵌于包封层Ⅰ(310)内,超高密度基板(10...
  • 本发明涉及一种混合密度封装基板的结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超高密度基板(10)、高密度芯片(51)、低密度芯片(53)和包封层Ⅰ(310),超高密度基板(10)嵌于包封层Ⅰ(310)内,超高密度基...