本实用新型提供一种晶圆级扇出结构，包括：多个芯片、片状结构和塑封层，所述塑封层包覆所述多个芯片和所述片状结构，所述片状结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域为间隔设置的多个开孔，每一开孔均和所述第二区域相邻，所述多个芯片和所述多个开孔...

本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种再布线层结构以及相应的制造方法，通过将不包含信号层的金属布线层在厚度方向的侧壁设置为不规则形状，很大程度上改进了金属布线与介电层的结合强度，增加接触面积，从而提升结合力，可以有效地防止在后续的工艺...

本实用新型提供一种堆叠封装体，所述堆叠封装体包括：第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的有源层和所述第二芯片的有源层相对；第一互连结构，所述第一互连结构设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，且电性连接所述第一芯片的有源层和所述第二芯片的有源...

本实用新型提供一种共模电感封装结构，共模电感封装结构包括：基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构设置于所述第一表面上，所述第一堆叠结构包括至少一层第一导电层和至少一层第一介电层，每一所述第一导电层和每...

本发明提供一种晶圆级扇出结构及制备方法，晶圆级扇出结构包括：多个芯片、片状结构和塑封层，所述塑封层包覆所述多个芯片和所述片状结构，所述片状结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域为间隔设置的多个开孔，每一开孔均和所述第二区域相邻，所述多...

本发明公开了三维封装结构、半导体器件及封装方法，其中，三维封装结构包括：包括：第一芯片，正面设置有第一焊盘和形成在所述第一焊盘旁侧的芯片连接区；第二芯片，背面设置在所述芯片连接区上并在正面设置有第二焊盘；再布线结构，设置在所述第二芯片的...

本发明提供一种共模电感封装结构及制作方法，共模电感封装结构包括：基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构设置于所述第一表面上，所述第一堆叠结构包括至少一层第一导电层和至少一层第一介电层，每一所述第一导电...

本实用新型公开了三维封装结构及半导体器件，其中，三维封装结构包括：包括：第一芯片，正面设置有第一焊盘和形成在所述第一焊盘旁侧的芯片连接区；第二芯片，背面设置在所述芯片连接区上并在正面设置有第二焊盘；再布线结构，设置在所述第二芯片的正面方...

本实用新型提供一种芯片封装结构，包括硅基板、位于所述硅基板的正面的钝化层、位于所述钝化层的正面的介电层、至少包覆所述硅基板的侧壁的塑封层，所述硅基板的正面嵌设有芯片电极，所述钝化层以及所述介电层上设有供所述芯片电极向外暴露的导通孔，所述...

本实用新型涉及一种晶圆级层压塑封圆片的裁切平台，属于半导体封装的治具技术领域。其包括裁切刀组（50）、底盘（70）、旋转电机（80）和膜屑抽吸系统（90），底盘（70）通过真空吸住塑封圆片（20），其裁切刀组（50）的裁刀Ⅰ（51）、裁...

本实用新型涉及一种堆叠晶圆的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C1、晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C1设置于晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，于晶圆A1...

本实用新型涉及一种堆叠晶圆的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，从下而上，...

本发明涉及一种晶圆级层压塑封圆片的裁切成型方法，属于半导体封装的治具技术领域。其裁切平台包括裁切刀组（50）、底盘（70）、旋转电机（80）和膜屑抽吸系统（90），底盘（70）通过真空吸住塑封圆片（20），其裁切刀组（50）的裁刀Ⅰ（5...

本实用新型公开了一种芯片的封装结构，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），所述绝缘层Ⅰ开口（311）内设置金属连接件Ⅰ，所述塑封料Ⅰ（510）将金属...

本实用新型公开了一种芯片的封装结构，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）内设置金属连接件Ⅰ，所述塑封料Ⅰ（510）将金...

本实用新型公开了一种芯片的封装结构，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），其原始对位标记（120）处设置对位标记保护块（150），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ...

本发明涉及一种堆叠晶圆结构及其制作方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，于晶圆A...

本发明涉及一种堆叠晶圆结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、承载晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于承载晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，...

本发明公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），所述绝缘层Ⅰ开口（311）内设置金属连接件Ⅰ，所述塑封料Ⅰ（510...

本发明公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）内设置金属连接件Ⅰ，所述塑封料Ⅰ（51...