江阴长电先进封装有限公司专利技术

江阴长电先进封装有限公司共有282项专利

  • 本实用新型公开了一种提高灵敏性的指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括:硅基本体(1),其顶部的边缘位置设置沟槽(4);电极(2)设置于所述硅基本体(1)的顶部,沟槽(4)的底部在垂直方向上的位置低于电极(2)的电路的...
  • 本发明涉及一种指纹识别传感器芯片的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包封体(4)包封所述指纹识别传感器芯片(1)和金属连接件(5),覆盖其上的绝缘层(3)的上表面选择性地设置正面再布线金属层(6),所述正面再布线金属层(6)分布于所述...
  • 本发明涉及一种三维封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括面对面设置的芯片Ⅰ和芯片Ⅱ,所述芯片Ⅰ由背面嵌入包封体内,所述芯片Ⅰ的上表面和包封体Ⅰ的上表面设置再钝化层,所述再钝化层的表面选择性地设置再布线金属层Ⅰ和包封体Ⅱ,所述芯片Ⅱ与再...
  • 本实用新型涉及一种三维叠层封装结构,属于半导体封装技术领域。其芯片Ⅰ1为两个或两个以上,且横向和/或纵向分布,芯片Ⅱ为两个或两个以上,且横向和/或纵向分布,所述芯片Ⅰ由背面嵌入包封体Ⅰ内,所述芯片Ⅰ的上表面和包封体Ⅰ的上表面设置再钝化层...
  • 本发明涉及一种MOSFET封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括封装于包封体内的芯片,所述包封体的上表面和芯片的正面覆盖图案化的绝缘层,所述正面再布线金属层Ⅱ通过绝缘层开口分别与源极和栅极连接,所述正面再布线金属层Ⅰ位于芯片的正面的垂...
  • 本实用新型公开了一种指纹识别传感器的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括:硅基本体(1),其顶部的边缘位置设置沟槽(4);电极(2),设置于硅基本体(1)的顶部,沟槽(4)的底部在垂直方向上的位置低于电极(2)的电路的底部;感应元件...
  • 本发明涉及一种具有电磁屏蔽功能的芯片封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括正面带有芯片电极的芯片和包封体,所述包封体包封芯片,所述芯片的背面和四个侧面设有电磁屏蔽层,所述芯片的正面和包封体的上表面设置再钝化层,所述再钝化层于芯片电极的...
  • 本实用新型公开了一种半导体器件的圆片级封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有正负电极的LED芯片,所述硅基衬底的上表面为绝缘层Ⅰ、下表面为绝缘层Ⅱ,所述硅基衬底与LED芯片的横截面的面积比最小可达1.5:1,所述绝缘层Ⅰ...
  • 本实用新型公开了一种三维叠层封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括封装单体B(20)和位于封装单体B(20)下方的若干个叠层封装的封装单体A(10),所述封装单体A(10和封装单体B(20)之间以及上下相邻两个封装单体A(10)之间通...
  • 本实用新型公开了一种用于生长有金属凸块的晶圆片的贴片机,属于半导体封装技术领域。其包括承载待贴片的生长有金属凸块的晶圆片的贴片底盘,环绕贴片底盘安装的晶圆片片环平台,设置于贴片底盘与晶圆片片环平台之间的围坝,其顶部与贴片底盘的顶部的高度...
  • 本发明涉及一种指纹识别传感器的封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括:硅基本体的顶部的边缘位置设置沟槽;传感器芯片设置于硅基本体的顶部,其包括感应元件和设置于感应元件四周的芯片电极,绝缘层Ⅰ覆盖硅基本体的表面和沟槽的裸露面...
  • 一种LED封装结构及其晶圆级封装方法
    本发明公开了一种LED封装结构及其晶圆级封装方法,属于半导体封装技术领域。其LED芯片(1)的出光面(11)设置正负电极,该LED芯片(1)倒装于基座(2),其出光面(11)面向基座(2),所述基座(2)的中央开设一中空的型腔(20),...
  • 一种三维叠层封装结构及其封装方法
    本发明公开了一种三维叠层封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括若干个上下叠层封装的封装单体,封装单体包括芯片封装体和下封装体,芯片封装体包括至少一个芯片和再布线金属层,再布线金属层的下表面设置芯片封装体的下输入/输出端,于...
  • 一种低成本的LED封装结构及其晶圆级封装方法
    本发明公开了一种低成本的LED封装结构及其晶圆级封装方法,属于半导体封装技术领域。其LED芯片(1)的出光面(11)设置正负电极,该LED芯片(1)倒装于基座(2),其出光面(11)面向基座(2),所述基座(2)的中央开设一中空的型腔(...
  • 一种半导体器件的圆片级封装方法
    本发明公开了一种半导体器件的圆片级封装方法,属于半导体封装技术领域。其工艺流程如下:取硅晶圆片;采用圆片级硅基转接板工艺在硅晶圆片上完成绝缘层、导电电极、硅通孔、再布线金属层等的排布,并为LED芯片预留倒装区域;LED芯片倒装至倒装区域...
  • 一种TSV Interposer结构及其封装方法
    本发明公开了一种TSV Interposer结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其封装方法如下:取晶圆并在晶圆的一面开设盲孔Ⅰ,通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内,通过定位、激光开孔工艺在盲孔Ⅰ内开...
  • 本发明公开了一种半导体器件的封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括外延层(12),所述金属凸块(2)设置于外延层(12)的垂直区域之内的另一表面,其一端与外延层(12)固连,所述包封层(3)封装上述外延层(12)的另一表面及金属凸块(...
  • 一种用于bump wafer的贴片机
    本发明公开了一种用于bump wafer的贴片机,属于半导体封装技术领域。其包括承载待贴片的bump wafer的贴片底盘,环绕贴片底盘安装的Waferring平台,该Waferring平台的侧面设有指向贴片底盘的中心的带螺纹的通孔;设...
  • 一种半导体器件的圆片级封装方法
    本发明涉及一种半导体器件的圆片级封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括如下工艺流程:提供硅基圆片,其硅衬底的上表面生长有外延层;在硅基圆片的外延层的表面通过凸块工艺形成阵列状的金属凸块;包封金属凸块,减薄包封层,露出金属凸块的表面;翻...
  • 本发明公开了一种半导体器件的圆片级封装结构,属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有正负电极的LED芯片,所述硅基衬底的上表面为绝缘层Ⅰ、下表面为绝缘层Ⅱ,所述硅基衬底与LED芯片的横截面的面积比最小可达1.5:1,所述绝缘层Ⅰ的上...