本实用新型涉及一种具有石墨烯层的芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片（100）、金属凸块（200）和基板（300），芯片（100）通过金属凸块（200）与基板（300）倒装连接，芯片（100）包括正面带有若干个芯片焊盘（11...

本实用新型涉及一种焊点电迁移寿命的测试结构，属于半导体封装技术领域。其包括测试基板（100）和测试芯片（200），所述测试基板（100）包括基板基体（110）、布线层Ⅰ（120）和阻焊层（130），布线层Ⅰ（120）设置于基板基体（11...

本发明涉及一种用于电子器件封装的硅基转接板结构，属于半导体封装技术领域。其在基体（110）内设置通孔（111）和与通孔（111）连接的基体底部开口（112），通孔（111）呈倒梯形，基体底部开口（112）不小于通孔（111）底部的尺寸，...

本发明涉及一种用于电子器件封装的硅基转接板的制备方法，属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下：基体（110）内刻蚀盲孔（111）和与盲孔（111）连接的基体底部开口（112），盲孔（111）的内和基体（110）的上表面设置绝缘层Ⅰ（21...

本发明涉及一种表面贴装电感器件及其晶圆级制作方法，属于无源器件制造领域。其包括衬底（110）、一层以上形成中央电感线圈区域的电感结构的金属布线层（200）和两侧电极区域的电极（300），不同的金属布线层（200）之间通过介电层通孔（40...

本实用新型涉及一种圆片级新型硅基射频电感结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基体（1），硅基体（1）内设置一个以上不连续的沟槽（3），氧化层（2）设置于硅基体（1）的表面，有机绝缘层（4）涂覆并固化于氧化层（2）的表面，种子层（5）电...

本发明涉及一种CIS产品的圆片级划片方法，属于半导体封装技术领域。一种CIS产品的圆片级划片方法包括如下工艺过程：将CIS产品的圆片（100）与划片膜（400）贴合；刀片（200）切割玻璃层（110）之外的结构，激光（300）切割玻璃层...

本发明涉及一种薄型圆片级LED的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括设有电极（110）的LED芯片（100）和封装盖（200），封装盖（200）设有内凹的型腔（210），LED芯片（100）倒装于金属反射层（400）的表...

本发明涉及一种无硅基的圆片级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下：提供带有导电电极（200）的硅本体（100）；提供若干个带有正负电极（310）的LED芯片（300）；将LED芯片（300）倒装于导电电极（200）上，...

本发明涉及一种带有磁芯的硅基电感结构，属于半导体封装技术领域。其包括两块结构相近的硅基板（100），分别为硅基板Ⅰ（110）和硅基板Ⅱ（120），此两块硅基板（100）通过倒装工艺、相向、错位连接实现封装，形成螺线管型的电感结构，并于电...

本实用新型涉及一种电子器件的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括四周设置包封区域（200）的硅基载体（100），所述硅基载体（100）的上方设置正面再布线金属层（410）、下方背面设置背面再布线金属层（420），所述包封区域（2...

本实用新型涉及一种圆片级高Q值硅基电感结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基体（1）、有机绝缘层（4）和通过有机绝缘层（4）置于硅基体（1）上方的电感线圈（6），硅基体（1）与有机绝缘层（4）相连接的表面沿电感线圈（6）内径方向设置凹...

本实用新型涉及一种新型硅基转接板的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括四周设置包封区域（2）的硅基载体（1），硅基载体（1）的上表面设置正面绝缘层（41），正面绝缘层（41）的表面设置正面再布线金属层（51）；硅基载体（1）的下...

本发明涉及一种晶圆级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其方法包括步骤：提供具有正负电极（110）的LED芯片（100）；提供一个表面设置硅基型腔（210）、另一个表面设置硅通孔（220）的硅本体（200）；所述硅基型腔（210）内...

本发明涉及一种露出硅通孔内金属的方法，属于半导体封装技术领域。包括步骤：提供带有硅通孔（12）结构的硅基体（1），其上方形成半导体工艺层（11）；在所述硅基体（1）下方通过机械打磨的方法将硅基体（1）的厚度减薄；在所述硅基体（1）下方通...

本实用新型涉及一种半导体的堆叠封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括芯片Ⅰ（100）、一个或一个以上芯片Ⅱ（200）和硅基转接板（300）和底填料（400），此三者由上而下依次通过阵列排布的带有锡帽的金属凸点堆叠连接，包封区域包封...

本实用新型涉及一种新型硅基低阻电感结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（101），硅基本体（101）上设有下凹的线圈槽（102），线圈槽（102）的底部、侧壁和硅基本体（101）的上表面涂覆绝缘层（200），并设置电镀种子层（3...

本发明涉及一种高感值硅基平面螺旋电感结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基平面螺旋电感（100）和薄膜硅帽（200），电感线圈（105a）下方依次为介电层Ⅰ（104）、磁性薄膜层Ⅰ（103）、钝化层（102）和硅基体（101），设置有...

本实用新型涉及一种圆片级三维电容结构，属于半导体集成电路制造领域。其包括衬底（100），所述衬底（100）的上表面设置钝化层（200）和若干个金属凸块，所述金属凸块包括若干个金属凸块Ⅰ（301）和若干个金属凸块Ⅱ（302），所述金属凸块...

本发明涉及一种硅基转接板的封装方法，属于半导体封装技术领域。一种硅基转接板的封装方法，包括步骤：提供硅基载体（1），在硅基载体（1）的正面设置包封区域（2）；采用激光开孔的方式在所述包封区域（2）内开设若干个竖孔（21）；采用化学镀或者...