本实用新型涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯...

本实用新型涉及一种晶圆级转接板结构，属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述转接板包括转接板基体（1-1），在转接板基体（1-1）内设置有金属柱阵列（1-2），在转接板基体（1-1）表面设置有金属再布线图形（1-3A、1-3B）和金属再...

本实用新型涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，所述结构包括芯片本体（1-1），所述芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体正面和背面...

本实用新型涉及一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体（1-1），芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体（1-1）正面和背面...

本实用新型涉及一种低成本芯片扇出结构，属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述结构包括芯片（2-3-1、2-3-2），在芯片（2-3-1、2-3-2）外包封有塑封体（2-4），在芯片（2-3-1、2-3-2）表面设置有再布线金属（2-6...

本实用新型涉及一种碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构，所述封装结构包括基板（３０１）和芯片（２０１），芯片（２０１）表面的芯片端子（２０２）上连接有凸点，芯片（２０１）通过其表面的凸点倒装于基板（３０１）正面，基板（３０１）背面...

本发明涉及一种晶圆级转接板的制备方法，属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述方法包括以下工艺步骤：取载体圆片；在载体圆片上上溅射或者化学镀上金属导电层；在金属导电层上形成掩膜图形开口；在掩膜图形开口内填充金属；在载体圆片表面形成金属柱...

本发明涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电...

本发明涉及一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，包括芯片本体（1-1），芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体（1-1）正面...

本发明涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，所述结构包括芯片本体（1-1），所述芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体正面...

本发明涉及一种低成本芯片扇出结构的封装方法，所述方法包括以下工艺步骤：一、取载体基板；二、在载体基板上贴上临时粘结膜；三、将芯片倒装至载体基板上；四、将带有芯片的载体基板用塑封体进行包封，形成重构基板；五、将重构基板与载体基板剥离；六、...

本实用新型涉及一种圆片级ＬＥＤ封装结构，包括ＬＥＤ芯片（４）和硅基载体（３）；ＬＥＤ芯片（４）包括芯片本体（４０１），在芯片本体（４０１）表面设有至少两个电极（４０２））；硅基载体（３）正面设置有型腔（３０１），在型腔（３０１）表面沉积...

本实用新型涉及一种低凸点芯片尺寸封装结构，属于集成电路或分立器件封装技术领域。包括芯片本体（１），在芯片本体（１）表面设有一焊垫（２），焊垫（２）外周边及外周边以外的芯片本体（１）表面设有保护层（３），而焊垫（２）中间形成焊垫开口处，其...

本实用新型涉及一种新型圆片级扇出芯片封装结构，包括薄膜介质层Ｉ（１０１），薄膜介质层Ｉ（１０１）上形成有光刻图形开口Ｉ（１０１１），在光刻图形开口以及薄膜介质层Ｉ表面设置有与基板端连接之金属电极（１０２）和再布线金属走线（１０３），在与...

本实用新型涉及一种柔性凸垫芯片封装凸块结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体（１）、芯片电极（２）、芯片表面保护层（３）、柔性凸垫（４）、过渡层（５）以及焊球（６）。所述芯片电极（２）嵌置于芯片本体（１）上，芯片表面保护层（３）复合在...

本实用新型涉及一种低应力芯片凸点封装结构，属于芯片封装技术领域。所述结构包括芯片本体（１）、芯片电极（２）、芯片表面钝化层（３）、凸点下应力缓冲层（４）、接触电极（５）和应力缓冲层上焊料凸点（６），其特征在于：所述凸点下应力缓冲层（４）...

本实用新型涉及一种新型树脂核心柱芯片封装结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体（１０１）、芯片电极（１０２）、芯片表面钝化层（１０３）、第一层再布线金属层（１０４）、树脂核心（１０５）、第二层再布线金属层（１０６）、再布线金属表面保护...

本实用新型涉及一种新型孤岛型再布线芯片封装结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体（１０１）、芯片电极（１０２）、芯片表面钝化层（１０３）、孤岛应力缓冲层（１０４）、再布线金属层（１０５）、再布线金属表面保护层（１０６）和应力缓冲层上焊...

本实用新型涉及一种封装载板结构，所述结构包括载板基体（１）、载板钝化层（２）、线路层（３）、载板上保护层（４）和载板凸块（６），所述载板钝化层（２）覆盖于载板基体（１）上下表面及贯穿孔内壁；所述线路层（３）选择性的覆盖于载板钝化层（２）...

本实用新型涉及一种芯片封装凸块结构，所述凸块结构包括芯片本体（１）、芯片电极（２）、芯片表面保护层（３）、种子层（４）、化学镀层（５）、过渡层（６）和焊球（７），所述芯片电极（２）嵌置于芯片本体（１）上，芯片表面保护层（３）复合在芯片本...