本实用新型公开了一种低热阻的晶圆级LED封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体（1）的正面通过金属凸块（42）设置倒装的LED芯片（4），背面设置由导电电极（21）和散热体（22）构成的热电分离电极组件，散热体（22）设置于LE...

本实用新型公开了一种带有热电分离结构的圆片级LED的封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体（1）的正面设置下凹的型腔（12），LED芯片（2）通过金属柱（22）倒装于型腔（12）的底部，硅基本体（1）的背面设置起导电作用的下层再...

本实用新型公开了一种LED的封装结构，属于半导体封装技术领域。其金属引线框本体（1）包括金属组块Ⅰ（11）、金属组块Ⅱ（12）、金属组块Ⅲ（13）和包封树脂（10），金属组块Ⅲ（13）位于金属引线框本体（1）的中央，金属组块Ⅰ（11）、...

本实用新型公开了一种ESD保护的低热阻LED灯珠的封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体之上设置彼此绝缘的再布线金属层Ⅰ、再布线金属层Ⅱ、再布线金属层Ⅲ和再布线金属层Ⅳ，IC芯片固定于再布线金属层Ⅲ的表面，其电极通过引线Ⅰ分别与...

本发明公开了一种侧壁绝缘保护的芯片封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其芯片电极（102）嵌入硅基本体（101）的上表面，金属凸块（300）位于硅基本体（101）的上表面并与芯片电极（102）连接，所述绝缘层Ⅰ（202）设置于...

本实用新型公开了一种圆片级芯片扇出封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅晶圆上设置浅硅腔体（111）并顺次在硅晶圆表面设置介电层（120）和再布线层Ⅰ（131），接着在该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面设置金属凸块...

本发明公开了一种LED的封装方法，属于半导体封装技术领域。本发明多次以铁箔（8）作为导电层进行高精度的电镀工艺，并结合光刻工艺实现再布线金属层和金属块，其次以包封树脂包封再布线金属层和金属块形成金属引线框本体（1），再在金属引线框本体（...

本实用新型涉及一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括表面设置有芯片电极（110）的硅基体（101），芯片表面钝化层（120）的表面设置再钝化层（200），再钝化层（200）于芯片电极（110）的正上...

本发明公开了一种低热阻的晶圆级LED封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体（1）的正面通过金属凸块（42）设置倒装的LED芯片（4），背面设置由导电电极（21）和散热体（22）构成的热电分离电极组件，散热体（22）设...

本发明公开了一种圆片级芯片扇出封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其首先在硅晶圆上刻蚀浅硅腔体并顺次在硅晶圆表面制作介电层和再布线层Ⅰ，其次在所述硅晶圆的上表面的再布线层Ⅰ上制备若干个金属凸块，接着将制备有芯片表面金属凸点的待...

本实用新型公开了一种提高产品可靠性的铜柱凸块结构，属于半导体封装技术领域。其包括表面设置有芯片电极（110）的硅基体（101），硅基体（101）的上表面附着有芯片表面钝化层（120）并形成芯片表面钝化层开口（121），芯片表面钝化层开口...

本发明公开了一种晶圆级铜柱凸块结构的金属帽的形成方法，属于半导体封装技术领域。其形成方法如下：提供一晶圆级的芯片基体；在芯片基体的上表面沉积一介电层，并在芯片电极的正上方开设介电层开口，并在介电层开口的正上方通过光刻工艺开设光刻胶开口；...

本实用新型涉及一种圆片级LED芯片封装结构及其应用，属于半导体封装技术领域。包括设置有若干个硅腔（112）的硅基本体（111）和带有芯片电极（131、132）的LED芯片（130），在硅腔（112）内，每一金属反光膜于芯片电极（131）...

本发明公开了一种低成本的圆片级CSP封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下：提供带有芯片电极阵列的圆片；在芯片电极阵列的表面形成金属凸点；沿圆片的划片道开设深至圆片且不切透圆片的宽沟槽；在上述圆片上印刷绝缘层，并固...

本实用新型涉及一种硅基圆片级扇出封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括硅基本体（110）和带有若干个电极（210）的IC芯片（200），每一电极（210）上设置若干个金属柱/金属块（300），IC芯片（200）的另一面通过贴片胶（...

本实用新型公开了一种圆片级LED芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体（110）的表面设置绝缘层（200），所述绝缘层（200）的表面设置金属反光膜，所述金属反光膜的表面设置金属凸块Ⅰ（610）、金属凸块Ⅱ（620），所述金...

本发明公开了一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括带有若干个芯片电极（110）的硅基本体（101），还包括绝缘层（200），所述绝缘层（200）设置于芯片电极（110）一侧的所述硅基本体（101）...

本实用新型涉及一种ESD保护的LED封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括嵌入硅基本体（110）的型腔（111）内的LED芯片（200）和嵌入硅基本体（110）另一面的盲孔（113）内的ESD保护芯片（300），通过型腔（111）下方...

本实用新型一种集成共模电感的封装结构，属于半导体封装技术领域。其电感线圈（100）包括上下分布、绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的上层电感线圈（110）和下层电感线圈（120），在上层电感线圈（110）的内端...

本实用新型涉及一种圆片级硅通孔内的封装结构及其应用，属于半导体芯片封装技术领域。其包括表层嵌置芯片电极（200）的硅基本体（100），在硅基本体（100）的芯片电极（200）下方设置硅通孔（110），硅通孔（110）的内壁设置绝缘层（3...