本发明公开了一种侧边润湿的圆片级芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有若干个芯片电极的芯片，所述硅基衬底的背面设有若干个硅基电极，所述芯片设置在硅基衬底的正面，其芯片电极的信号向下转移至所述硅基衬底的背面的硅基电极，...

本实用新型公开了一种侧边润湿的圆片级芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有若干个芯片电极的芯片，所述硅基衬底的背面设有若干个硅基电极，所述芯片设置在硅基衬底的正面，其芯片电极的信号向下转移至所述硅基衬底的背面的硅基电...

本实用新型公开了一种芯片嵌入式垂直封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，并于所述芯片电极的上表面开设绝缘...

本发明公开了一种指纹识别传感器的封装结构，属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片由背面嵌入包封体，所述绝缘层覆盖所述感应区域和电极之外的硅基本体的上表面与包封体的上表面，所述再布线金属层Ⅰ选择性地分布于绝缘层的表面并与对应的电极电...

本实用新型公开了一种芯片嵌入式封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片表面钝化层开口内填充镍/金层，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ，并于所述...

本实用新型公开了一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，并于所述芯片电极的上表...

本实用新型公开了一种无焊球的芯片嵌入式封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，并于所述芯片电极的上表面开设...

本实用新型公开了一种提高芯片可靠性的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，所述芯片单体的前后左右四个侧壁设置加强结构，所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，...

本发明公开了一种指纹识别传感器的封装结构，属于半导体封装技术领域。其指纹识别传感器芯片由背面嵌入包封体，所述绝缘层覆盖所述感应区域和电极之外的硅基本体的上表面与包封体的上表面，所述再布线金属层Ⅰ选择性地分布于绝缘层的表面并与对应的电极电...

本发明公开了一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层，并于所述芯片电...

本发明公开了一种提高芯片可靠性的封装结构及其圆片级制作方法，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，所述芯片单体的前后左右四个侧壁各设置加强结构，所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面...

本发明公开了一种芯片嵌入式封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片表面钝化层开口内填充镍/金层，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖...

本发明涉及一种硅基模块的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体、硅基芯片和金属芯焊球，所述硅基芯片的正面覆盖图案化的钝化层并开设露出电极的上表面的钝化层开口，在所述钝化层开口内设置镍/金层和焊球，所述金属芯焊球设置...

本实用新型涉及一种硅基模块的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体、硅基芯片和金属突起物，所述硅基芯片的正面覆盖图案化的钝化层并开设露出电极的上表面的钝化层开口，在所述钝化层开口内设置镍/金层和焊球，所述金属突起物设置于硅基芯...

本实用新型涉及一种低成本的硅基模块的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基载体、硅基芯片和金属芯焊球，所述硅基芯片的正面设有若干个电极、背面设有金属层，两个或两个以上的所述金属芯焊球设置于硅基芯片的旁侧，所述硅基载体承载金属芯焊球...

本实用新型公开了一种高密度凸块结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片本体（101）、芯片电极（102）、芯片表面钝化层（103）和凸块结构（500），所述芯片表面钝化层（103）设置于芯片本体（101）的上表面并开设芯片表面钝化层开口...

本发明涉及一种低成本的硅基模块的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括硅基载体、硅基芯片和金属芯焊球，所述硅基芯片的正面设有若干个电极、背面设有金属层，两个或两个以上的所述金属芯焊球设置于硅基芯片的旁侧，所述硅基载体承载金...

本实用新型涉及一种硅通孔互连结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基体（1）和若干个硅通孔（12），硅通孔（12）内金属柱（3）与半导体工艺层（11）形成电气连通，所述金属柱（3）的下端凸出硅基体（1）的下表面，并在所述金属柱（3）的下...

本发明公开了一种高密度凸块结构的制造方法，属于半导体封装技术领域。其公开了两种方案：方案一，该方案通过光刻工艺替代湿法腐蚀方法成形钛或钛钨阻挡层，形成的凸块结构克服了侧向纵深腐蚀的缺陷；方案二，该方案用在芯片电极上化学镀镍阻挡层的方法代...

本发明涉及一种硅通孔互连结构的成形方法，属于半导体封装技术领域。其工艺步骤如下：提供带有硅通孔结构的硅基体；通过机械打磨的方法减薄硅基体至露出金属柱的下表面；在金属柱的下表面形成金属块；通过湿法腐蚀的方法进一步减薄硅基体下方的厚度，露出...