一种圆片级芯片扇出封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种圆片级芯片扇出封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅晶圆上设置浅硅腔体（111）并顺次在硅晶圆表面设置介电层（120）和再布线层Ⅰ（131），接着在该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面设置金属凸块（140），将制备有芯片表面金属凸点（220）的待封装芯片（210）倒装放置到浅硅腔体（111）里，将整个硅晶圆进行塑封，并露出金属凸块（140）的上表面，再在塑封体（150）的上表面设置再布线层Ⅱ（132），将金属凸块（140）的输出端重布成阵列并放置焊锡球（170）。本实用新型专利技术避免了待封装芯片在塑封工艺中的偏移问题，并降低了封装工艺过程中圆片的翘曲问题，提升了封装产品的可靠性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种圆片级芯片扇出封装结构，属于半导体封装
。其在硅晶圆上设置浅硅腔体（111）并顺次在硅晶圆表面设置介电层（120）和再布线层Ⅰ（131），接着在该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面设置金属凸块（140），将制备有芯片表面金属凸点（220）的待封装芯片（210）倒装放置到浅硅腔体（111）里，将整个硅晶圆进行塑封，并露出金属凸块（140）的上表面，再在塑封体（150）的上表面设置再布线层Ⅱ（132），将金属凸块（140）的输出端重布成阵列并放置焊锡球（170）。本技术避免了待封装芯片在塑封工艺中的偏移问题，并降低了封装工艺过程中圆片的翘曲问题，提升了封装产品的可靠性。【专利说明】一种圆片级芯片扇出封装结构
本技术涉及一种圆片级芯片扇出封装结构，属于半导体封装
。
技术介绍
圆片级芯片尺寸封装是在整个晶圆上进行再布线和焊锡球凸点制备，最后再切割为单颗芯片的一种制作方式。该种封装的最终封装尺寸与芯片尺寸相当，可以实现封装的小型化和轻量化，在便携式设备中有着广泛的应用。随着半导体硅工艺的发展，芯片的关键本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种圆片级芯片扇出封装结构，包括： 一硅基体（110），在该上表面设有下凹的浅硅腔体（111）； 一介电层（120），覆盖在该硅基体（110）的上表面和浅硅腔体（111）的表面； 一再布线层Ⅰ（131），选择性地设置于该介电层（120）的表面，并沿浅硅腔体（111）底部向上延伸至同侧的硅基体（110）的上表面； 至少一待封装芯片（210），在该正面设置有若干个芯片表面金属凸点（220），并通过该芯片表面金属凸点（220）倒装至该浅硅腔体（111）内与再布线层Ⅰ（131）实现电气互连； 至少一金属凸块（140），固定于该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面； 一塑封体（150），...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭洪岩，张黎，陈锦辉，赖志明，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32