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本实用新型公开了一种圆片级芯片扇出封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅晶圆上设置浅硅腔体（111）并顺次在硅晶圆表面设置介电层（120）和再布线层Ⅰ（131），接着在该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面设置金属凸块（1...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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