一种露出硅通孔内金属的方法技术

本发明专利技术涉及一种露出硅通孔内金属的方法，属于半导体封装技术领域。包括步骤：提供带有硅通孔（12）结构的硅基体（1），其上方形成半导体工艺层（11）；在所述硅基体（1）下方通过机械打磨的方法将硅基体（1）的厚度减薄；在所述硅基体（1）下方通过刻蚀的方法将硅基体（1）的厚度进一步减薄，至带有钝化层Ⅰ（21）的硅通孔内金属（3）部分裸露；在所述硅基体（1）下表面沉积钝化层Ⅱ（22）；在所述钝化层（22）表面用旋转涂布的方式涂布缓冲层（4）；用表面平坦化工艺将硅通孔内金属（3）露出。本发明专利技术无钝化层碎裂的风险、无漏电流、无离子迁移的顾虑等问题，同时工艺更好控制，表面的平整性更好，后续的光刻工艺更容易实现。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种露出硅通孔内金属的方法，包括步骤：?提供带有硅通孔（12）结构的硅基体（1），其上方形成半导体工艺层（11）；在所述硅基体（1）下方通过机械打磨的方法将硅基体（1）的厚度整体减薄；在所述硅基体（1）下方使用刻蚀的方法将硅基体（1）的厚度进一步减薄，使硅通孔（12）内结构部分裸露，所述硅通孔（12）内结构包括沉积于硅通孔（12）内壁的钝化层Ⅰ（21）和硅通孔内金属（3）；在所述硅基体（1）下表面沉积钝化层Ⅱ（22）；在所述钝化层（22）表面用旋转涂布的方式涂布缓冲层（4）；用表面平坦化工艺露出硅通孔内金属（3）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，赖志明，陈栋，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：