半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法本专利申请要求于2012年2月15日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0015238号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
本专利技术构思的实施例总体涉及一种半导体装置和/或制造方法，更具体地讲，涉及具有贯通电极(throughelectrode)或导电孔结构的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。
技术介绍
制造具有贯通电极或贯通硅孔(TSV)的半导体装置的工艺可以包括使贯通电极从基底的底表面向外突出、在基底的底表面上沉积传统的化学气相沉积(CVD)层、然后利用化学-机械抛光工艺来暴露贯通电极。传统CVD层可能具有差的台阶覆盖性质。例如，传统CVD层可能形成为在贯通电极上比在其它部分上厚。结果，下绝缘层可能折叠，贯通电极可能形成为在其突出长度方面具有大的偏差。这些可能导致贯通电极在后续平坦化工艺中翘曲或损坏，因此生产良率可能下降。
技术实现思路
至少一个示例实施例涉及一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基层中形成导电孔结构，所述基层包括第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对；去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。

【技术特征摘要】
2012.02.15 KR 10-2012-0015238;2013.02.04 US 13/751.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基层中形成导电孔结构，所述基层包括第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对；去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露，其中，形成第一下绝缘层的步骤利用旋涂、喷涂和可流动化学气相沉积中的一种不用抛光形成平坦的第一下绝缘层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过沉积可流动层并且将所述可流动层转换为固体层来形成第一下绝缘层，其中，所述可流动层包括Si-O、Si-H和Si-OH键中的一种，所述固体层为二氧化硅。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一下绝缘层的步骤形成所述第一下绝缘层，使得导电孔结构的从第二表面突出的侧壁的一部分保持为未被第一下绝缘层覆盖。4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一下绝缘层的步骤形成所述第一下绝缘层，使得第一下绝缘层的一部分沉积在导电孔结构的从第二表面突出的部分的侧壁上。5.根据权利要求4所述的方法，其中，第一绝缘层的设置在导电孔结构的侧壁上的部分具有朝向导电孔结构的末端减小的水平宽度。6.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：执行平坦化操作，使得导电孔结构的暴露的端部表面仅与第一下绝缘层的表面的一部分共面。7.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：在第一下绝缘层上形成第二下绝缘层。8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：执行平坦化操作，使得导电孔结构的暴露表面、第二下绝缘层的表面以及第一下绝缘层的表面共面。9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：通过化学气相沉积在第二表面上形成第二下绝缘层，第二下绝缘层具有位于导电孔结构的从第二表面突出的侧壁上的折叠部分，其中，形成第一下绝缘层的步骤在第二下绝缘层上形成第一下绝缘层，使得第一下绝缘层填充所述折叠部分。10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：执行平坦化操作，使得导电孔结构的暴露表面、第二下绝缘层的表面和第一下绝缘层的表面共面。11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成导电孔结构的步骤包括：在基层的第一表面中形成通孔；用孔绝缘层衬垫所述通孔；用导电材料填充所述通孔，以形成导电孔，其中，形成通孔的步骤在所述基层和第一层间绝缘层中形成通孔，第一层间绝缘层设置在所述基层的第一表面上并且覆盖集成电路。12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在所述基层的第一表面上形成层间绝缘层，以包封集成电路和连接结构，使得所述连接结构的键合焊盘被暴露，所述连接结构电连接到所述集成电路和导电孔结构。13.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一下绝缘层的步骤利用旋涂玻璃不用抛光形成平坦的第一下绝缘层。14.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基层中形成导电孔结构，所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对；去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；执行可流动的化学气相沉积，以在第二表面上形成第一下绝缘层，并且留下导电孔结构的端部表面未被覆盖。15.根据权利要求14所述的方法，其中，执行可流动化学沉积的步骤沉积可流动层并且将所述可流...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镐珍，李圭夏，崔吉铉，崔溶洵，姜泌圭，朴炳律，郑显秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：