【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制造多孔绝缘膜的方法，其包括：通过经由CVD沉积具有至少一个烃侧链的至少一种环状硅氧烷化合物而在半导体衬底上形成前体层；和通过在如下条件下将绝缘膜暴露于UV能量从而将所述前体层转化成多孔绝缘膜，该条件使得所述至少一种环状硅氧烷化合物的相邻分子经由烃基而键合，并且所述多孔绝缘膜具有大于5GPa的通过纳米压痕仪测量的弹性模量。
【技术特征摘要】
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