【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成设置在具有顶部表面的衬底上的种子层；在所述种子层上形成图案化抗蚀剂层；在所述种子层的未被所述图案化抗蚀剂层覆盖的区域上形成金属线；以及利用包括氧化物质和还原物质的等离子处理移除所述图案化抗蚀剂层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：麦克·施特格曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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