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本发明公开了一种形成半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例，形成半导体器件的方法包括在电介质层上形成种子层以及在种子层上形成图案化抗蚀剂层。然后，在种子层的未被图案化抗蚀剂层覆盖的区域上形成金属线。利用等离子处理移除图案化抗蚀剂层，等离子...
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