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本发明涉及制造多孔绝缘膜的方法和包含所述多孔绝缘膜的半导体器件。通过经由CVD在半导体衬底上沉积烷基化的环状硅氧烷前体而制造具有高弹性模量的低k多孔绝缘膜。在CVD期间或在所沉积的膜上原位进行CVD的等离子体增强。在受控的温度和时间条件下进...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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