【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于半导体封装
技术介绍
随着半导体技术的发展，硅通孔互联技术成为半导体封装的常用方法。硅通孔互联技术通常包含硅通孔制作、PECVD (等离子增强气相沉积)技术成形绝缘层以及金属填充，该技术极大地增加了半导体封装的灵活性。硅通孔互联技术也已经应用于硅基转接板的封装，硅通孔形成过程主要采用“B0SCH”刻蚀方法，即交替使用刻蚀及钝化工艺，“B0SCH”刻蚀方法最终会在孔壁上留下高低起伏的纹路(scallop)，即孔壁波纹，如图1所示，“B0SCH”的交替刻蚀方法不仅速度慢，而且孔壁波纹造成后续所用PECVD (等离子增强气相沉积)形成的绝缘层覆盖不完整。同时，在硅基转接板的封装过程中，常用CMP (化学机械抛光)工艺进行表面整平及通孔内金属的底端暴露，在此抛光过程中，往往造成金属或金属离子迁移，使器件产生漏电，导致产品失效。以上因素，导致了现有的硅基转接板的封装技术成本高、产品成品率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种封装结构简单、封装成本低、产品成品率高的硅基转接板的封装方法。本专利技术是这样实现的:，包括步骤: ...
【技术保护点】
一种硅基转接板的封装方法，包括步骤：提供硅基载体（1），在硅基载体（1）的正面设置包封区域（2）；采用激光开孔的方式在所述包封区域（2）内开设若干个竖孔（21）；?采用化学镀或者电镀方式在竖孔（21）内填充导电介质，便于分别设置于硅基载体（1）正面、背面的正面布线金属层（41）、背面布线金属层（42）对应电连接。
【技术特征摘要】
1.一种硅基转接板的封装方法，包括步骤: 提供硅基载体(1)，在硅基载体(I)的正面设置包封区域(2)； 采用激光开孔的方式在所述包封区域(2)内开设若干个竖孔(21)； 采用化学镀或者电镀方式在竖孔(21)内填充导电介质，便于分别设置于硅基载体(I)正面、背面的正面布线金属层(41)、背面布线金属层(42)对应电连接。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述硅基载体(I)的正面设置包封区域(2)之前，还包括步骤: 在所述硅基载体(I)的表面进行布线，形成阵列排布的半导体工艺与布线区域(11)。3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述包封区域(2)设置在相邻半导体工艺与布线区域(11)之间形成的沟槽(12)内，所述沟槽(12)用机械切割或刻蚀的方法形成，所述包封区域(2)通过 晶圆包封或印刷的方法形成。4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，在硅基载体(I)的正面设置正面再布线金属层(41)之前，还包括步骤: 所述硅基载体(I)与包封区域(2)的正面涂布正面绝缘层(31)，并形成正面绝缘层开口(311)，所述正面再布线金属层(41)成形于正面绝缘层(31)上，所述竖孔(21)内的导电介质通过正面绝缘层开口(311)延伸至正面布线金属层(41)。5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述正面再布线金属层(41)表面涂布正面保护层(51)，并形成若干个正面保护层开口(511)，露出正面再布线金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，赖志明，陈栋，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：
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