【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利属于微电子封装领域，本专利技术专利的主要目提供一种石墨烯散热片的制备及转移技术，得到具有极高的比表面积、高热导率和热稳定性、高弹性、超薄清洁的散热材料。
技术介绍
随着电子产品的小型化、微型化、高性能以及低成本的发展要求，大规模集成电路的集成度不断提高、器件特征尺寸不断缩小。在芯片集成度提高、性能增强的同时，也带来了大功率。由于单位体积上功耗急剧增加,而功耗大部分转换为热能，由此带来的过高温度将降低芯片的工作稳定性，增加出错率，同时模块内部与其外部环境间所形成的热应力会直接影响到芯片的电性能、机械强度及可靠性。石墨烯的化学成分主要是单一的碳(C)元素，碳元素是非金属元素，但石墨烯却有金属材料的导电、导热性能，并且还有特殊的热性能，化学稳定性，能涂敷在固体表面的等一些良好的工艺性能，因此，在电子、照明、通信、航空及国防军工等许多领域都有广泛的应用前景。石墨散热片通过在减轻器件重量的情况下提供更优异的导热散热性能，能有效的解决电子设备的热设计难题 ，广泛的应用场效应晶体管、集成电路、平板显示器、印刷电路板、发光二极管等电子产品。典型的热学管理系统是由外部冷却装置，散热器和热力截面组成。而散热片的重要功能是创造出最大的有效表面积，在这个表面上热力被转移并由外界冷却媒介带走。石墨烯散热片就是通过将热量均匀的分布在二维平面从而有效的将热量转移，保证电子器件或组件在所能承受的温度下工作。
技术实现思路
本专利技术专利的主要目提供一种石墨烯散热片的制备及转移技术，得到具有极高的比表面积、高热导率和热稳定性、高弹性、清洁超薄的散热材料。此材料应用于热流密度较高...
【技术保护点】
一种石墨烯散热片的制备方法，其特征在于具有以下的过程和步骤：（a）通过常规电子束蒸发法，在二氧化硅表面沉积一层1微米厚的铜，铜的纯度为99.9%；（b）将乙炔、氢气和氩气通入爱思强Black?Magic沉积系统反应室中，于900摄氏度下反应5?10分钟，通过化学气相沉积法在二氧化硅的表面生长石墨烯；乙炔和氢气的流量比为1：2到1：4，乙炔的流量为5~10标准立方厘米每分钟（sccm）；（c）经过冷却处理之后，在铜层上旋涂一层300nm聚甲基丙烯酸甲酯；（d）使用30%质量浓度的三氯化铁侵蚀铜20分钟；（e）将旋涂有聚甲基丙烯酸甲酯的石墨烯转移到目标芯片上；（f）用丙酮去除聚甲基丙烯酸甲酯，最终制得石墨烯散热片。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯散热片的制备方法，其特征在于具有以下的过程和步骤: (a)通过常规电子束蒸发法，在二氧化硅表面沉积一层I微米厚的铜，铜的纯度为.99.9% ； (b)将乙炔、氢气和氩气通入爱思强BlackMagic沉积系统反应室中，于900摄氏度下反应5-10分钟，通过化学气相沉积法在二氧化硅的表面生长石墨烯；乙炔和氢气的...
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