一种半导体芯片的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体的上方设置再布线金属层Ⅰ，在所述输入/输出端Ⅰ设置金属柱，所述包封层包裹金属柱和再布线金属层Ⅰ的裸露面以及硅基本体的侧壁，并露出金属柱的上表面，所述介电层设置在包封层的上表面，并开设介电层开口露出金属柱的上表面，所述介电层的上表面设置再布线金属层Ⅱ，所述再布线金属层Ⅱ通过介电层开口与金属柱固连，所述输入/输出端Ⅱ设置在金属柱的垂直区域之外，所述保护层填充再布线金属层Ⅱ和介电层的裸露面并露出连接件的上表面；所述包封层于硅基本体至介电层的厚度H＞40微米。提供了一种有效保护芯片的封装结构及其封装方法。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的封装结构及其封装方法
本专利技术涉及一种半导体芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装

技术介绍
在当前的半导体封装技术中，晶圆级芯片尺寸封装是一种先进封装方法，它是先将整片晶圆进行封装，再切割得到单颗芯片的封装方法。随着电子产品的发展，要求芯片尺寸更小、厚度越薄，产品不仅在封装过程中容易损伤；而且在后端应用过程中也易出现产品失效，因此需要对芯片六个面提供足够的保护，以满足日益苛刻的要求。传统的封装结构，如图1所示，芯片电极与铜柱直接连接，焊球设置在铜柱的顶端，芯片电极的电信号通过铜柱向外传导。由于焊球位置在铜柱的顶端，不可避免将焊球应力直接通过铜柱作用到芯片上，导致了可靠性的降低。因焊球通过铜柱与芯片电极连接，焊球需要有足够的焊料来保证与PCB等基板的连接，因而，反过来约束了铜柱不能太细，芯片电极不能太小，也就是说，芯片不能太小，不符合芯片尺寸的小型化发展要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统的封装结构的不足，提供一种半导体芯片的封装结构及其封装方法，以提高封装结构的可靠性。本专利技术的目的是这样实现的：本专利技术一种半导体芯片封装结构，其包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片的封装结构，其特征在于，其包括硅基本体，所述硅基本体的正面设有钝化层并嵌有芯片电极，其钝化层开口露出芯片电极的上表面，其特征在于，在所述硅基本体的上方设置再布线金属层Ⅰ并设置若干个输入/输出端Ⅰ，所述再布线金属层Ⅰ与芯片电极固连，在所述输入/输出端Ⅰ设置金属柱，所述金属柱的高度＞40微米，还包括包封层、介电层和保护层，所述包封层包裹金属柱和再布线金属层Ⅰ的裸露面以及硅基本体的侧壁，并露出金属柱的上表面，所述介电层设置在包封层的上表面，并开设介电层开口露出金属柱的上表面，所述介电层的上表面设置再布线金属层Ⅱ和输入/输出端Ⅱ，所述再布线金属层Ⅱ通过介电层开口与金属柱固连，所述输入/输...

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的封装结构，其特征在于，其包括硅基本体，所述硅基本体的正面设有钝化层并嵌有芯片电极，其钝化层开口露出芯片电极的上表面，其特征在于，在所述硅基本体的上方设置再布线金属层Ⅰ并设置若干个输入/输出端Ⅰ，所述再布线金属层Ⅰ与芯片电极固连，在所述输入/输出端Ⅰ设置金属柱，所述金属柱的高度＞40微米，还包括包封层、介电层和保护层，所述包封层包裹金属柱和再布线金属层Ⅰ的裸露面以及硅基本体的侧壁，并露出金属柱的上表面，所述介电层设置在包封层的上表面，并开设介电层开口露出金属柱的上表面，所述介电层的上表面设置再布线金属层Ⅱ和输入/输出端Ⅱ，所述再布线金属层Ⅱ通过介电层开口与金属柱固连，所述输入/输出端Ⅱ设置在金属柱的垂直区域之外，在所述输入/输出端Ⅱ设置连接件，所述保护层填充再布线金属层Ⅱ和介电层的裸露面并露出连接件的上表面；所述包封层于硅基本体至介电层的厚度H＞40微米；所述硅基本体的背面设置背面保护层。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述硅基本体的背面与背面保护层之间设置背面金属层。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述连接件为焊球、焊块或焊盘结构。4.根据权利要求3所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述焊盘结构为Ni/Au层。5.根据权利要求3所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述焊盘结构为Cu/Sn层。6.一种半导体芯片的封装结构的封装方法，其实施步骤如下：步骤一、提供硅基晶圆，其正面有钝化层并嵌有芯片电极，钝化层开口露出芯片电极的上表面（上述钝化层、芯片电极、钝化层开口均未示出），并...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，赖志明，陈锦辉，陈栋，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32