江苏宜兴德融科技有限公司专利技术

江苏宜兴德融科技有限公司共有50项专利

  • 本申请提供一种LED芯片及其制作方法,LED芯片包括层叠设置的金属导电支撑层、P型窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型粗化层,其中,N型粗化层朝向限制层面包括限制层接触区以及N电极接触区,以及设置在所述N型粗化层背离所述N型限制...
  • 本发明公开了一种LED结构、其制造方法及相应的LED芯片。LED结构包括外延叠层和位于外延叠层两侧的金属电极层,外延叠层包括沿生长方向依次堆叠的n型扩展层、n型限制层、有源层、p型限制层和p型导电层,n型扩展层是n型AlInP层或n型A...
  • 本申请公开了一种柔性薄膜太阳能电池组件封装结构,顺序包括:前膜;前膜上的胶膜;胶膜上的太阳能电池组件,其中,太阳能电池组件嵌入胶膜中,在太阳能电池组件周围的胶膜中设置有增强纤维;以及太阳能电池组件和胶膜上的背面涂层。本申请通过优化电池背...
  • 本申请公开了一种柔性薄膜型芯片封装结构和封装方法,所述柔性薄膜型芯片封装结构包括:封装基板,所述封装基板具有相对的第一侧面和第二侧面,在第一侧面上具有贴片Pad、焊线pad,第二侧面上具有电极Pad,第一侧面和第二侧面之间具有贯穿的导电...
  • 本申请公开了一种发光二极管结构,包括:顺序层叠的背面电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层和正面电极层,其中,所述背面电极层和所述P型半导体层在部分区域电性连接形成背面电极接触区,所述背面电极接触区在背面电极层上排列成规则的几何图形...
  • 本申请实施例提供一种用于半导体器件缺陷的定位方法、装置、处理器及存储介质。该方法包括:获取待检测器件的第一器件图像;将第一器件图像输入至粗定位缺陷检测神经网络,以通过粗定位缺陷检测神经网络输出待检测器件中每个缺陷的第一区域图像以及每个缺...
  • 本公开涉及一种发光二极管结构及其制作方法,所述发光二极管结构包括:在GaAs衬底上顺序排列的第一AlGaInP限制层、多量子阱有源层、第二AlGaInP限制层、GaP接触层、透明导电薄膜层和图案化电极层;其中,所述GaP接触层具有凹凸结...
  • 本发明公开了一种防挥发
  • 本申请公开了一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备,晶振膜厚监控装置包括:晶振盘;沿圆周方向间隔布置在晶振盘上的多个晶振片;以及晶振盖板,所述晶振盘可相对于所述晶振盖板旋转;其中,所述晶振盖板上设有主晶振开口以暴露主晶振片,所述开口上设有可转动...
  • 本申请公开了一种用于部件的加热保温的复合层结构,包括:包覆在部件外侧的接触层;设置在接触层外侧的用于提供热量的加热层;以及设置在加热层外侧的保温层;其中:所述接触层由柔性导热材质构成,所述柔性导热材质能够适应部件的外部形状而变形,以紧密...
  • 本实用新型公开了一种简易式拆装无人机电池包,包括若干串联的电芯组,电芯组包括若干呈叠放布置且相互不接触的圆柱电芯,电芯组内的圆柱电芯之间并联,电芯组两端设有电芯支架,电芯支架上设有容纳圆柱电芯的电芯槽,电芯支架上设有与圆柱电芯电性连接的...
  • 本申请公开了一种无烟化清洗含砷磷污染物部件的装置和方法,所述无烟化清洗含砷磷污染物部件的装置包括:清洗槽,所述清洗槽连接至至少一个清洗液供给装置;循环水泵,所述循环水泵与所述清洗槽通过管路连接成循环清洗回路,其中,所述含砷磷污染物部件通...
  • 本发明提供一种多结半导体器件的光学检测设备和方法。所述多结半导体器件光学检测设备包括:移动工作台,用于放置待测多结半导体器件并能够沿第一方向和第二方向移动;多个激发光源,适于同时照射所述多结半导体器件,以使所述多结半导体器件的每一结半导...
  • 本申请公开了一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备,所述晶振膜厚监控装置包括:晶振盘;在所述晶振盘上的多个棱柱形晶振底座,其中每个晶振底座具有多个棱柱面,每个棱柱面上适于承载晶振片,且所述晶振底座的中心轴线平行于晶振盘平面,每个晶振底座适于围绕...
  • 本申请提供一种蒸镀设备、镀锅装置以及镀膜方法。所述蒸镀设备包括:镀锅装置和设置于镀锅装置上方的传动机构,所述镀锅装置包括多个间隔排列的环状固定架;可转动地承载于多个环状固定架上的多个环状转动部件,在所述环状转动部件的承载区域上承载待镀膜...
  • 本申请公开了一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法。所述半导体器件激光钝化设备包括:载物台,用于承载半导体器件;第一定位组件,用于确定半导体器件上的异常部位的位置;激光发射系统,用于根据所述异常部位的位置发射激光以对异常部位进行钝化处理;...
  • 本申请提供了一种二极管器件结构及其制备方法,所述二极管器件结构包括:PN结层,所述PN结层包括P型半导体层、N型半导体层和位于P型半导体层、N型半导体层之间的耗尽区;其中,在所述耗尽区内具有多量子阱结构,所述多量子阱结构包括周期性排列的...
  • 本申请提供了一种太阳能电池的制造方法和所制造的太阳能电池器件,其中,在外延生长组分渐变缓冲层时,通过对组分渐变缓冲层进行应力调控,使得后续生长的太阳能电池的背接触层的表面形成微粗糙界面层,并且所述的微粗糙界面层的表面粗糙度大于邻近所述背...
  • 本申请提供了一种薄膜太阳电池结构及其制造方法。所述薄膜太阳电池结构包括:太阳电池外延片;和支撑太阳电池外延片的复合结构柔性基板;其中所述的太阳电池外延片包括多结子电池外延结构和位于顶电池外延层上面的栅电极层,所述复合结构柔性基板包括金属...
  • 本申请提供了一种基于半导体光电效应的光电转换器件及其制造方法。所述光电转换器件包括:PN结层;反射层,其中,在PN结层和反射层之间设置有随机粗糙界面层,所述随机粗糙界面层具有利用计算机随机函数产生的随机分布凹凸图案。本申的光电转换器件及...