【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，特别涉及一种led芯片及其制作方法。
技术介绍
1、半导体发光元件是正向电压应用于发光元件时，p型层的空穴和n型层的电子结合，发出与带隙能量对应波长的光。
2、现有的led外延结构通常包括依次设置的n电极、n型层、有源层和p型层、p电极。p型层用于提供进行复合发光的空穴，n型半导体层用于提供进行复合发光的电子，有源层用于进行电子和空穴的辐射复合发光，衬底用于为外延材料提供生长表面。
3、发光效率由内量子效率和光提取效率两方面决定，现有技术中，n电极和p电极分别设置在led外延结构相对的两面，led外延结构出光一侧的面上仍然存在电极金属，金属电极的遮光现象会造成出光量下降，限制了光提取效率，进而会降低发光效率。
4、因此，如何提高led发光芯片的发光效率已经成为本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的一个目的在于解决现有技术中提高led发光芯片的发光效率的问题。
2、为解决上述问题，本申请提供了一种led芯片，包括：层叠设置的金属导电支撑层、p型窗口层、p型限制层、有源层、n型限制层、n型粗化层；其中，n型粗化层朝向所述n型限制层的面包括限制层接触区以及n电极接触区；所述限制层接触区以及所述n电极接触区之间间隔开；所述n电极接触区上设置n电极；还包括透明导电膜层，设置在所述n型粗化层背离所述n型限制层面。
3、具体地，led芯片，还包括：第一全反射镜结构层，设置于金属导电支撑层与p型窗
4、具体地，所述p型窗口层、所述n型粗化层为p型欧姆接触窗口层、n型欧姆接触粗化层。
5、具体地，所述第一全反射镜结构层全覆盖所述金属导电支撑层，且所述第一全反射镜结构层与所述金属导电支撑层面积相等。
6、具体地，所述p型窗口层的面积大于所述第一全反射镜结构层的面积，且所述p型窗口层和所述第一全反射镜结构层的面积差小于或等于20％。
7、具体地，所述n型粗化层背离所述有源层的面设有第一粗化图案，所述透明导电膜层接触所述n型粗化层的面设有与所述第一粗化图案形状相适配的第二粗化图案，所述透明导电膜层背离所述n型粗化层的面为平面。
8、具体地，所述n型粗化层朝向所述有源层的面设有凹陷区，在所述凹陷区作为所述n电极接触区。
9、具体地，所述金属导电支撑层厚度为20-120um。
10、具体地，所述第一全反射镜结构层和所述第二全反射镜结构层包括：金属反射层和介质膜层，所述介质膜层的材料为sio2、si3n4、mgf2中的至少一种，所述金属反射层的材料为ag、al、au、auzn合金、aube合金中的至少一种。
11、本申请还提供一种led芯片制作方法，包括：
12、通过外延生长工艺制作外延叠层，包括依次生长缓冲层、阻挡层、n型粗化层、n型限制层、有源层、p型限制层和p型窗口层；
13、利用图案化刻蚀方式，沿着垂直于外延层的方向，从所述p型窗口层延伸入n型粗化层内进行刻蚀；使得n型粗化层朝向所述限制层的面包括限制层接触区以及n电极接触区；所述限制层接触区以及所述n电极接触区间隔开；
14、n电极接触区上设置n电极，在所述p型窗口层上设置金属导电支撑层；
15、去除所述临时基板、所述缓冲层和所述阻挡层；
16、对所述n型粗化层背离所述n型限制层的面进行粗化处理得到粗化面；
17、在所述粗化面上设置透明导电膜层。
18、具体地，在设置所述n电极和所述金属导电支撑层之前，方法还包括：将第一全反射镜结构层设置于所述p型窗口层上，将第二全反射镜结构层设置于所述n电极接触区。
19、具体地，所述粗化面设有第一粗化图案，所述在所述粗化面上设置透明导电膜层包括：
20、在所述粗化面填充透明导电膜层，以使所述透明导电膜层接触所述n型粗化层的面形成与所述第一粗化图案形状相适配的第二粗化图案，所述透明导电膜层背离所述n型粗化层的面为平面。
21、由上述技术方案可知，本申请至少具有如下优点和积极效果：
22、本申请中提出的一种led芯片及其制作方法，led芯片包括层叠设置的金属导电支撑层、p型窗口层、p型限制层、有源层、n型限制层、n型粗化层，其中，n型粗化层包括限制层接触区以及n电极接触区，本申请led芯片结构，避免金属电极遮挡led出光，同时n型粗化层设计进一步增加出光，提高光提取效率，进而提高发光效率。
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1.一种LED芯片，其特征在于，包括层叠设置的金属导电支撑层、P型窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型粗化层；
2.根据权利要求1所述的LED芯片，还包括：
3.根据权利要求1所述的LED芯片，所述P型窗口层为P型欧姆接触窗口层，所述N型粗化层为N型欧姆接触粗化层。
4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一全反射镜结构层全覆盖所述金属导电支撑层，且所述第一全反射镜结构层与所述金属导电支撑层面积相等。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述P型窗口层的面积大于所述第一全反射镜结构层的面积，且所述P型窗口层和所述第一全反射镜结构层的面积差小于或等于20％。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型粗化层背离所述有源层的面设有第一粗化图案，所述透明导电膜层接触所述N型粗化层的面设有与所述第一粗化图案形状相适配的第二粗化图案，所述透明导电膜层背离所述N型粗化层的面为平面。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型粗化层朝向所述有源层的面设有凹陷区，
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金属导电支撑层厚度为20-120um。
9.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一全反射镜结构层和所述第二全反射镜结构层包括：金属反射层和介质膜层，所述介质膜层的材料为SiO2、Si3N4、MgF2中的至少一种，金属反射层的材料为Ag、Al、Au、AuZn合金、AuBe合金中的至少一种。
10.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的LED芯片制作方法，在设置所述N电极和所述金属导电支撑层之前，还包括：将第一全反射镜结构层设置于所述P型窗口层上，将第二全反射镜结构层设置于所述N电极接触区。
12.根据权利要求10所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述粗化面设有第一粗化图案，所述在所述粗化面上设置透明导电膜层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片，其特征在于，包括层叠设置的金属导电支撑层、p型窗口层、p型限制层、有源层、n型限制层、n型粗化层；
2.根据权利要求1所述的led芯片，还包括：
3.根据权利要求1所述的led芯片，所述p型窗口层为p型欧姆接触窗口层，所述n型粗化层为n型欧姆接触粗化层。
4.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述第一全反射镜结构层全覆盖所述金属导电支撑层，且所述第一全反射镜结构层与所述金属导电支撑层面积相等。
5.根据权利要求4所述的led芯片，其特征在于，所述p型窗口层的面积大于所述第一全反射镜结构层的面积，且所述p型窗口层和所述第一全反射镜结构层的面积差小于或等于20％。
6.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述n型粗化层背离所述有源层的面设有第一粗化图案，所述透明导电膜层接触所述n型粗化层的面设有与所述第一粗化图案形状相适配的第二粗化图案，所述透明导电膜层背离所述n型粗化层的面为平面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，王伟明，李华，
申请(专利权)人：江苏宜兴德融科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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