【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种用于半导体器件缺陷的定位方法、处理器、存储介质及计算机设备。
技术介绍
1、半导体器件，例如光电探测器、半导体led芯片、太阳电池等，在晶体生长、工艺制备和组件封装过程中不可避免引入位错、杂质、划痕、裂纹等，这种缺陷将半导体器件的性能降低，例如使得太阳能电池器件的光电转换效率降低等。因此，如何准确地检测出半导体器件存在的缺陷是亟需解决的技术难题。
2、现有技术中，提供了一种采用光致发光(pl)成像定位缺陷的方法。具体地，该方案是通过滤镜得到pl图像，同样采用灰度算法进行缺陷定位。pl图像呈现的太阳电池发光为黑白图，发光区为白色，栅线不发光区域为黑色。当存在缺陷时，缺陷区域在pl下呈现一定大小的黑色圆斑，此圆斑大小和光亮度的强弱有关。然而，当电池片存在翘曲使得距离光源高度不一或者缺陷大小不一，使得缺陷导致的黑斑大小不一，边缘不明显，因此会导致使用传统算法时对于图像的灰度判断非常不准确，进而导致pl定位不准确。特别地，当多个缺陷叠加在同一片区域，如圆的边缘定位不清晰，进一步定位缺陷大小时(大概10u...
【技术保护点】
1.一种用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述定位方法还包括：
3.根据权利要求2所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述根据每个缺陷的第二区域图像以及每个缺陷所在的第二位置确定每个缺陷的缺陷类型包括：
4.根据权利要求1所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述第一器件图像为PL图像，所述获取待检测器件的第一器件图像包括：
5.根据权利要求1所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述定位方法还包...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述定位方法还包括：
3.根据权利要求2所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述根据每个缺陷的第二区域图像以及每个缺陷所在的第二位置确定每个缺陷的缺陷类型包括：
4.根据权利要求1所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述第一器件图像为pl图像，所述获取待检测器件的第一器件图像包括：
5.根据权利要求1所述的用于半导体器件缺陷的定位方法，其特征在于，所述定位方法还包括针对所述粗定位缺陷检测神经网络的训练步骤，所述训练步骤包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：孙浩然，褚君浩，李华，王伟明，
申请(专利权)人：江苏宜兴德融科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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