【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种led结构及其制造制方法，以及相关的led芯片。
技术介绍
1、发光二极管(led)作为电致发光光源，节能环保，具有高光效、高亮度、低功耗、长寿命等一系列优良性能，应用广泛。从红光发光二极管初次问世发展至今，随着材料生长技术的进步和器件工艺技术的发展，红光led的发光效率不断提高。
2、在现有的红光led外延结构中，设计了电流扩展层，有利于扩展发光面积，提升二极管的外量子效率。电流扩展层要长到一定厚度，才可以有效扩展电流。如若不生长电流扩展层或生长厚度不够，二极管发射的光主要聚集在电极下方，由于电极均为非透明的金属材料，因此发出的光会被反射回来而导致无法进行有效提取，从而导致光提取效果不佳。生长一定厚度的电流扩展层可以将电流扩散到整个二极管芯片，让芯片可以尽可能地均匀发光，提升出光效率。所以，目前的红光led中，为了达到电流的有效横向扩展，电流扩展层都比较厚，但是，太厚的电流扩展层有几个缺点：①太厚的扩展层将电流一直扩散到led芯片的边缘，这会导致表面复合增加，降低效率；②对该层材料带隙以下光的吸收随厚度的增加而增加；③生长时间较长，可能导致掺杂源扩散到有源区，降低内量子效率。④生长时间较长，可能影响本层和有源区的生长质量。此外，目前led n面扩展层原材料al、in、p均比较昂贵，尤其是in、p，生长能够达到n扩展效果厚度的alinp:si，成本很大。
3、因此，在不降低n面扩展效果的前提下，有必要提供一种减薄电流扩展层的方法。
技术实现思路
1、(一)要解决的技术问题
2、本专利技术的目的在于提供一种led结构以及制备方法，将其电流扩展层减薄，在不降低n面扩展效果的前提下，解决现有技术中倒装红光led的电流扩展层较厚问题。
3、(二)技术方案
4、为了达到上述目的，本专利技术的一个方面提出一种led结构，包括外延叠层和位于外延叠层两侧的金属电极层，所述外延叠层包括沿生长方向堆叠的n型扩展层、n型限制层、有源层、p型限制层和p型导电层；所述n型扩展层是n型alinp层或n型algainp层；所述n型扩展层中掺杂有te。
5、作为本专利技术的优选实施方式，所述n型扩展层中掺杂高浓度te。
6、作为本专利技术的优选实施方式，所述金属电极层包括直接设置在所述n型扩展层表面的n面金属电极层。
7、作为本专利技术的优选实施方式，所述n型扩展层中掺杂的te的浓度大于或等于1×1019/cm3。
8、作为本专利技术的优选实施方式，所述掺杂高浓度te采用非原位高温扩散方式进行te掺杂。
9、作为本专利技术的优选实施方式，所述n型扩展层中掺杂有si，si的掺杂浓度位于0.5×1017/cm3和5×1017/cm3之间。
10、作为本专利技术的优选实施方式，所述n型扩展层的厚度在400nm和2000nm之间。
11、本专利技术的另一个方面提出一种led结构的制造方法，包括如下步骤：通过外延生长工艺制作外延叠层，所述外延叠层包括沿生长方向依次堆叠的n型扩展层、n型限制层、有源层、p型限制层和p型导电层，其中，所述n型扩展层是n型alinp层或n型algainp层；在所述n型扩展层上形成含te薄膜层，并对所述含te薄膜层进行非原位生长，以使所述含te薄膜层中的te进入所述n型扩展层；在所述外延叠层的两侧形成金属电极层。
12、作为本专利技术的优选实施方式，在所述n型扩展层表面直接形成n面金属电极层。
13、作为本专利技术的优选实施方式，所述含te薄膜层中的te扩散进入所述n型扩展层的步骤采用高温扩散方式进行
14、作为本专利技术的优选实施方式，在对所述te薄膜层进行退火步骤之后，清除所述n型扩展层上残余的含te成分。
15、作为本专利技术的优选实施方式，使用氢氧化钾或硝酸清洗所述残余的含te成分。
16、作为本专利技术的优选实施方式，所述含te薄膜层为te薄膜层或cdte薄膜层。
17、作为本专利技术的优选实施方式，在所述n型扩展层上形成含te薄膜层的步骤中：当含te薄膜层为te薄膜层时，该te薄膜层的厚度至少为所述n型扩展层厚度的0.03％；当含te薄膜层为cdte薄膜层时，该cdte薄膜层的厚度至少为所述n型扩展层厚度的0.07％。
18、作为本专利技术的优选实施方式，所述高温扩散的温度为300℃到500℃，时间为1min～10min。
19、作为本专利技术的优选实施方式，在所述n型扩展层侧形成的金属电极层材料为au。
20、本专利技术的第三方面提出一种led芯片，包括上述提出的led结构。
21、本专利技术的第四方面提出一种led芯片，包括由上述的led结构的制造方法所制得的le结构。
22、(三)有益效果
23、本专利技术在实现同样的横向导电能力的情况下，能够减薄n型扩展层的外延厚度，降低外延时间，提高材料生长的质量，减少外延成本。
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1.一种LED结构，包括外延叠层和位于外延叠层两侧的金属电极层，其特征在于：
2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述n型扩展层中最大Te掺杂浓度大于或等于1×1019/cm3。
3.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述掺杂高浓度Te采用非原位高温扩散方式进行Te掺杂。
4.如权利要求3所述的LED结构，其特征在于，所述n型扩展层中掺杂有Si，Si的掺杂浓度位于0.5×1017/cm3和5×1017/cm3之间。
5.如权利要求4所述的LED结构，其特征在于，所述n型扩展层的厚度在400nm和2000nm之间。
6.一种LED结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.如权利要求6所属的LED结构的制造方法，其特征在于，所述含Te薄膜层中的Te扩散进入所述n型扩展层的步骤采用高温扩散方式进行。
8.如权利要求6所述的LED结构的制造方法，其特征在于，在使所述含Te薄膜层中的Te扩散进入所述n型扩展层之后，清除所述n型扩展层上残余的含Te成分。
9.如权利要求6所
10.如权利要求9所述的LED结构的制造方法，其特征在于，在所述n型扩展层上形成含Te薄膜层的步骤中：当含Te薄膜层为Te薄膜层时，该Te薄膜层的厚度至少为所述n型扩展层厚度的0.03％；当含Te薄膜层为CdTe薄膜层时，该CdTe薄膜层的厚度至少为所述n型扩展层厚度的0.07％。
11.如权利要求7所述的LED结构的制造方法，其特征在于，所述高温扩散的温度为300℃到500℃，时间为1min～10min。
12.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的LED结构。
13.一种LED芯片，其特征在于，包括由权利要求6至11中任一项所述的LED结构的制造方法所制得的LED结构。
...【技术特征摘要】
1.一种led结构，包括外延叠层和位于外延叠层两侧的金属电极层，其特征在于：
2.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述n型扩展层中最大te掺杂浓度大于或等于1×1019/cm3。
3.如权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述掺杂高浓度te采用非原位高温扩散方式进行te掺杂。
4.如权利要求3所述的led结构，其特征在于，所述n型扩展层中掺杂有si，si的掺杂浓度位于0.5×1017/cm3和5×1017/cm3之间。
5.如权利要求4所述的led结构，其特征在于，所述n型扩展层的厚度在400nm和2000nm之间。
6.一种led结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.如权利要求6所属的led结构的制造方法，其特征在于，所述含te薄膜层中的te扩散进入所述n型扩展层的步骤采用高温扩散方式进行。
8.如权利要求6所述的led结构的制造方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈子夏，王俊，朱明星，李华，王伟明，
申请(专利权)人：江苏宜兴德融科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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