一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备制造方法及图纸

本申请公开了一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备，晶振膜厚监控装置包括：晶振盘；沿圆周方向间隔布置在晶振盘上的多个晶振片；以及晶振盖板，所述晶振盘可相对于所述晶振盖板旋转；其中，所述晶振盖板上设有主晶振开口以暴露主晶振片，所述开口上设有可转动的主晶振掩模版，所述主晶振掩模版位于不同的旋转位置时，镀膜材料通过主晶振掩模版的非遮挡部分沉积于主晶振片上的不同区域。根据本申请的晶振膜厚监控装置，由于设置了主晶振掩模版，所述主晶振掩模版位于不同的旋转位置时，镀膜材料通过主晶振掩模版的非遮挡部分沉积于主晶振片上的不同区域，从而增加了单个晶振片的使用寿命，提高了镀膜工作效率。提高了镀膜工作效率。提高了镀膜工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备


[0001]本申请属于镀膜
,具体涉及一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备。

技术介绍

[0002]真空蒸镀是一种重要的薄膜成膜技术，蒸镀的基本过程如下：蒸镀物料放置在腔室内的坩埚中，腔体在一定的真空度下，通过蒸发系统使得坩埚表面的材料达到一定温度，蒸镀物料的气体分子从坩埚中喷出，沉积在工件上形成薄膜。
[0003]蒸镀设备通常包括晶振监控装置，用来监控蒸镀速率和镀膜厚度。晶振监控装置包括晶振系统，晶振系统中具有多个晶振片，在蒸镀过程中，蒸镀材料在沉积到工件上的同时不断沉积到晶振片上。晶振片上沉积材料时，晶振片的振动频率会随晶振片的质量改变而变化，从而可实现对蒸发源的蒸发速率的监控，再通过调节蒸发源的蒸发速率，可控制蒸镀所形成的蒸镀材料膜层的厚度。具体的，晶振系统具有多个隐藏在挡板后的晶振片，每次通过移动晶振底座暴露出一个晶振片来进行材料沉积以实现蒸发速率的检测，在这个晶振片沉积至一定程度后，切换使用另一晶振片，以使得晶振系统能够较长时间监控蒸发速率。
[0004]但是，每颗晶振片使用寿命较短，蒸镀过程中切换晶振片时会造成宕机，影响生产效率，因此需要尽量提高单个晶振片的使用寿命，以减少更换晶振片的时间，提高晶振系统工作时间；此外，部分蒸镀材料在晶振片上附着性不好，所以需要在连续生产前对所有晶振片逐个进行预沉积，导致晶振系统需等待很长时间才能应用至真空蒸镀工艺中，严重降低了生产效率。
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1E0
专利技术内容
[0006]针对于现有技术的以上问题，本申请的一个目的是提供一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备，以提高晶振片使用寿命，进而提高生产效率。
[0007]本申请进一步的目的是提供一种晶振膜厚监控装置和镀膜设备，以减少晶振片预沉积所用时间，进而提高生产效率。
[0008]一方面，本申请提供一种晶振膜厚监控装置，包括：
[0009]晶振盘；
[0010]沿圆周方向间隔布置在所述晶振盘上的多个晶振片；以及
[0011]晶振盖板，所述晶振盘可相对于所述晶振盖板旋转；
[0012]其中，所述晶振盖板上设有主晶振开口以暴露正在进行镀膜的主晶振片，所述开口上设有可转动的主晶振掩模版，所述主晶振掩模版包括遮挡部分和非遮挡部分，所述主晶振掩模版位于不同的旋转位置时，镀膜材料通过主晶振掩模版的非遮挡部分沉积于主晶振片上的不同区域。
[0013]根据本申请的一些实施例，所述主晶振片被所述主晶振掩模版的遮挡部分遮挡的面积占所述主晶振片总面积的30
‑
40％。
[0014]根据本申请的一些实施例，所述主晶振掩模版优选包括0
°
、45
°
、90
°
三个旋转位置。
[0015]根据本申请的一些实施例，所述晶振盖板上还设有邻近所述主晶振开口以暴露将要进行顺序镀膜的备用晶振片的备用晶振开口,
[0016]所述备用晶振开口上设有备用晶振掩模版,所述备用晶振掩模版的遮挡部分的总面积大于所述主晶振掩模版的遮挡部分的总面积。
[0017]根据本申请的一些实施例，所述备用晶振开口的数量为两个及两个以上，以暴露将要进行顺序镀膜的对应备用晶振片，其中,靠近主晶振片的备用晶振片被对应的备用晶振掩模版的遮挡部分H1BJ23088520
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[0018]遮挡的总面积小于相邻且远离主晶振片的一个备用晶振片被对应的备用晶振掩模版的遮挡部分遮挡的总面积。
[0019]根据本申请的一些实施例，所述备用晶振掩模版的遮挡部分的图案相互错开。
[0020]根据本申请的一些实施例，所述主晶振掩模版和所述备用晶振掩模版包括条纹图案。
[0021]根据本申请的一些实施例，所述的晶振膜厚监控装置，还包括晶振底座，所述晶振盘安装在所述晶振底座上。
[0022]根据本申请的一些实施例，所述的晶振膜厚监控装置，还包括主晶振掩模版旋转装置，用于转动所述主晶振掩模版。
[0023]本申请另一方面提供了一种镀膜设备，包括如第一方面所述的晶振膜厚监控装置。
[0024]根据本申请的晶振膜厚监控装置和镀膜设备，由于设置了主晶振掩模版，所述主晶振掩模版位于不同的旋转位置时，镀膜材料通过主晶振掩模版的非遮挡部分沉积于主晶振片上的不同区域，从而增加了晶振片的使用寿命，提高了膜厚监测和镀膜工作效率。
[0025]此外，根据本申请的晶振膜厚监控装置和镀膜设备，通过设置备用晶振开口和备用晶振掩模版，在主晶振片进行监测工作的同时对备用晶振片进行预沉积，减少了晶振片预沉积所用时间，进而也提高了膜厚监测和镀膜工作效率。
附图说明
[0026]图1是根据本申请的一个实施例的蒸镀过程的示意图；
[0027]图2是根据本申请的一个实施例的晶振膜厚监控装置的结构示意图；
[0028]图3是图2中的A位置的掩膜版的三种转动位置的示意图；
[0029]图4是图2中的A位置的掩膜版的两种转动效果的示意图；
[0030]图5是显示根据本申请的另一个实施例的晶振膜厚监控装置的结构示意图；
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[0032]图6是图5中的晶振盘的结构示意图以及A、B、C位置的掩模版的放大结构示意图；
[0033]图7是显示图4中A、B、C位置的晶振片被掩膜版所遮盖的面积的示意图。
[0034]附图标记说明：
[0035]100：蒸发源；200：镀锅；300：晶振膜厚监控装置；310：晶振盖板；3112：主晶振开口；3113/3114：备用晶振开口；3102：主晶振掩模版3103/3104：备用晶振掩模版；320：晶振
盘；3202：主晶振片；3203/3204：备用晶振片；330：晶振底座；340：晶振盘转动轴；410：A位置的掩模版图案；4101：未遮挡部分(沉积蒸镀材料的部分)；4102：遮挡部分(未沉积蒸镀材料的部分)；420：B位置掩模版图案；430：C位置掩版模图案；41011：A位置晶振片上沉积材料的部分的总面积；42011：B位置晶振片上沉积材料的部分的总面积；43011：C位置晶振片上沉积材料的部分的总面积；41012：A位置晶振片上未沉积材料的部分的总面积；42012：B位置晶振片上未沉积材料的部分的总面积；43012：C位置晶振片上未沉积材料的部分的总面积；500：A位置掩膜版承载装置；510：掩膜版承载支架；520：转动部件
具体实施方式
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。附图中，对于功能相同或类似的部件，采用相同或类似的附标记表示。并且，对于本专利技术构思不直接相关的一些部件，可能省略了其图示。附图和具体实施例的描述只是为了更好地理解本专利技术，本专利技术不局限于附图所图示和说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶振膜厚监控装置，包括：晶振盘；沿圆周方向间隔布置在所述晶振盘上的多个晶振片；以及晶振盖板，所述晶振盘可相对于所述晶振盖板旋转；其中，所述晶振盖板上设有主晶振开口以暴露正在进行镀膜的主晶振片，所述开口上设有可转动的主晶振掩模版，所述主晶振掩模版包括遮挡部分和非遮挡部分，所述主晶振掩模版位于不同的旋转位置时，镀膜材料通过主晶振掩模版的非遮挡部分沉积于主晶振片上的不同区域。2.根据权利要求1所述的晶振膜厚监控装置，其中，所述主晶振片被所述主晶振掩模版的遮挡部分遮挡的面积占所述主晶振片总面积的30
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40％。3.根据权利要求1所述的晶振膜厚监控装置，其中，所述主晶振掩模版优选包括0
°
、45
°
、90
°
三个旋转位置。4.根据权利要求1所述的晶振膜厚监控装置，其中，所述晶振盖板上还设有邻近所述主晶振开口以暴露将要进行顺序镀膜的备用晶振片的备用晶振开口,所述备用晶振开口上设有备用晶振掩模版,所述备用晶振掩模版的遮挡部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾松霖，周鹏程，陈亮，李华，王伟明，
申请(专利权)人：江苏宜兴德融科技有限公司，
类型：发明
国别省市：