本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在一个示例中，一种半导体器件包括半导体材料区域、在该半导体材料区域上方的第一电介质、在该第一电介质的第一部分上方的第一栅极导体和在该第一电介质的第二部分上方并且与该第一栅极导体横向间隔开的第二...

本申请涉及一种用于半导体器件的射流冲击冷却组件及其制造方法、射流板组件。所述用于半导体器件的射流冲击冷却组件包括：入口室，该入口室被构造成接纳入口流体流；和射流板，该射流板具有形成在其中并且联接到入口室的多个射流喷嘴，并且被定位成将入口...

本公开涉及半导体结构和制造半导体结构的方法。本发明在一个示例中提供了一种半导体结构，该半导体结构包括具有第一导电类型和第一侧的半导体材料区域。第二导电类型的掺杂区域以第一深度位于该半导体材料区域内。半导体器件位于该半导体材料区域的第一部...

本公开涉及寻址用于功率状态和热管理的多相功率级模块。本发明公开了一种被配置用于向每个相分配唯一地址的功率级。具体地，所公开的功率级包括临时使用控制器与相之间的专用脉宽调制(PWM)连接来将唯一地址分配给该相。然后，在分配之后，该PWM连...

公开了一种多相功率级，其包括寻址和通信技术以读取用于热负载平衡的相的温度。本公开描述了驱动器模块，可以通过在这些驱动器模块和控制器之间的专用脉宽调制连接件上临时传送地址而在公共通信总线上将用于串行通信的地址分配给这些驱动器模块。在分配之...

集成电路封装(34,34',34”)可以由堆叠的第一、第二和第三集成电路管芯(40、50、60)实现。第一和第二管芯(40、50)可以在面向另一个管芯的相应面间表面处使用对应的管芯间连接结构(74‑1,84‑1)彼此接合。第二管芯(50...

本发明提供了一种封装件及将半导体管芯嵌入在嵌入式器件封装件中的方法，该封装件包括将第一半导体管芯嵌入的电介质填充材料层、连接器夹具和第二半导体管芯。该连接器夹具具有设置在将该第一半导体管芯嵌入的该电介质填充材料层上方的区段。该连接器夹具...

本申请涉及具有键合焊盘的图像传感器。一种图像传感器可以包括键合到专用集成电路ASIC芯片的传感器芯片。用于图像传感器的键合焊盘可以形成在ASIC芯片中并且通过传感器芯片中的沟槽暴露。图像传感器可以包括位于图像传感器的外围处的导电遮光罩，...

本发明涉及制作半导体器件的方法。本发明提供了一种具有基础材料的半导体晶片。该半导体晶片可以具有边缘支撑环。该半导体晶片的表面的研磨阶段将基础材料的一部分移除。在分离阶段期间，将研磨机从该半导体晶片的表面移除或抬离。在研磨阶段和分离阶段期...

本公开涉及光敏模块的封装结构和方法。一种半导体管芯包括在基板中制造的半导体装置。所述基板具有正面、背面和从背面延伸至正面的倾斜侧壁。接触焊盘连接到半导体装置。所述接触焊盘嵌入在所述正面中设置的中间电介质层(IDL)中。所述接触焊盘包括具...

本公开涉及采用三维直接接合金属衬底的双侧冷却功率模块。公开了一种衬底，该衬底包括陶瓷片和三维(3D)导电结构。该3D导电结构包括平面基底层和设置在该平面基底层上方的块体，该平面基底层的底部表面接合到该陶瓷片的顶部表面。该块体与该平面基底...

本公开涉及转移模制功率模块及制造方法。在一般方面，电子器件组装件包括包含至少一个半导体管芯的电路和封装该电路的模制主体。模制主体具有布置在平面中的主表面和与该平面不平行的侧表面。该组装件还包括限定在模制主体的主表面中的槽，以及从模制主体...

本发明涉及封装件及其制造方法。在一般方面，一种封装件包括在半导体晶圆中制造的光学传感器管芯。该光学传感器管芯在半导体晶圆的前侧上具有产生原始图像信号的光学有效区域。在该光学传感器管芯的该光学有效区域上方将透明盖件附接到该半导体晶圆的该前...

本发明涉及一种光敏模块中的穿过衬底通孔。封装包括光学传感器管芯。光学传感器管芯具有设置在衬底的前侧上的光学有源表面区域OASA。玻璃盖设置在OASA之上，并且通过坝状物材料附接到衬底的前侧。穿过衬底通孔TSV从衬底的背侧处的开口朝向衬底...

提供了一种封装件和用于制造封装件的方法。该封装件包括附接到衬底的半导体管芯和封装该半导体管芯的模制体。该模制体是六面矩形盒状结构，并且该模制体的由两个相邻面形成的至少一个拐角部没有模制材料，从而减小了模制体的尺寸和重量。

本发明涉及半导体封装，包括：管芯，所述管芯包括位于所述管芯的第六侧的周边周围的凹槽和与所述第六侧相对的第一侧，所述管芯的所述第一侧包括多个电触点；第二模塑料，所述第二模塑料耦接在所述管芯的所述第六侧上并进入所述凹槽中，其中，所述第二模塑...

本发明涉及一种传感器和数字通信方法。本文提供了一种适用于汽车应用的数字通信总线以及使用该总线及其相关联通信方法的总线控制器和传感器。一种例示性传感器包括：时钟信号发生器；总线接口，该总线接口耦接到差分信号导体以检测来自总线控制器的周期性...

本申请涉及成像系统，具体涉及半导体器件和单光子雪崩二极管像素。该成像系统可包括多个SPAD像素。每个SPAD像素可在第一管芯上具有SPAD并且在第二管芯上具有复位、淬灭和读出电路。该第二管芯上的用于SPAD像素的电路可包括被配置为在高电...

本公开涉及集成的电阻器

公开了具有模块化封装件的光电子器件。分段的光电子半导体封装件可有助于减轻由弯折导致的应力，该弯折可导致检测器电路中的机械缺陷(例如，裂缝)。该弯折可由该光学电子封装件中使用的零件的热生长/收缩引起，并对于高纵横比的检测器电路而言可能更明...