【技术实现步骤摘要】
本专利技术整体涉及半导体器件以及制作半导体器件的方法，并且更具体地讲，涉及半导体晶片和使用研磨阶段和分离阶段以减少表面损坏的晶片薄化方法。
技术介绍
1、半导体器件在现代电子产品中很常见。电子部件中半导体器件的数量和密度各不相同。半导体器件执行多种多样的功能，诸如模数信号处理、传感器、电磁信号的发送和接收、电子器件控制、功率管理以及音频/视频信号处理。分立的半导体器件通常包含一种类型的电子部件，例如，发光二极管(led)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、二极管、整流器、晶闸管以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。集成半导体器件通常包括数百至数百万的电子部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、专用集成电路(asic)、电源转换器件、标准逻辑器件、放大器、时钟管理器件、存储器、接口电路以及其它信号处理电路。
2、半导体晶片包括基础衬底材料和多个半导体管芯，所述多个半导体管芯形成在晶片的有源表面上，通过锯道分开。图1a示出了具有基础衬底材料12、有源表面14和背表面16的常规半导体晶片10。导电通孔18穿过半导体晶片10而形成以用于电互连。导电通孔18是在晶片薄化之前产生的并且可由钨或其它硬质金属制成，有时在导电通孔和基础衬底材料12之间设有氧化物材料用于隔离。
3、许多应用需要降低半导体管芯的高度或厚度，以使半导体封装件的尺寸最小化。图1b示出了研磨操作，其中砂轮20将基础衬底材料12的一部分从半导体晶片10的背表面16移除并且减小半导体晶片的厚度。砂轮20以该砂轮的恒定进给速率操作而进
技术实现思路
1、根据本专利技术的一个方面，提供一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括基础材料；在研磨阶段期间，使用研磨机研磨所述半导体晶片的表面以将所述基础材料的一部分移除；在分离阶段期间，将所述研磨机从所述半导体晶片的所述表面抬离，同时保持所述研磨机位于所述半导体晶片上方；在所述分离阶段期间，冲洗所述半导体晶片的所述表面和所述研磨机的下方以将颗粒移除；以及在所述分离阶段期间，反转所述研磨机的旋转运动。
2、根据本专利技术的另一个方面，提供一种制作半导体器件的方法，包括：使用研磨机对半导体晶片的表面执行研磨阶段；在分离阶段期间，将所述研磨机与所述半导体晶片的所述表面分离，其中所述研磨机位于所述半导体晶片上方；冲洗所述半导体晶片的所述表面和所述研磨机的下方；以及在所述分离阶段期间，反转所述研磨机的旋转运动。
3、根据本专利技术的又一个方面，提供一种使半导体晶片薄化的方法，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括基础材料；在研磨阶段期间，使用研磨机研磨所述半导体晶片的表面以将所述基础材料的一部分移除；在分离阶段期间，仅在z轴上将所述研磨机从所述半导体晶片的所述表面抬离，冲洗所述半导体晶片的表面和研磨机的下方；以及在所述分离阶段期间，反转所述研磨机的旋转运动。
4、根据本专利技术的再一个方面，提供一种使半导体晶片薄化的方法，所述方法包括：使用研磨机对半导体晶片的表面执行研磨阶段；在分离阶段期间，仅沿着z轴将所述研磨机与所述半导体晶片的所述表面分离，冲洗所述半导体晶片的表面和研磨机的下方；以及在所述分离阶段期间，反转所述研磨机的旋转运动。
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1.一种使半导体晶片薄化的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：重复研磨阶段。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：重复研磨阶段和分离阶段。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述研磨机与所述半导体晶片分离3微米-10微米。
5.一种使半导体晶片薄化的方法，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：重复研磨阶段和分离阶段。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述研磨阶段和分离阶段期间对所述半导体晶片的所述冲洗将颗粒从所述研磨机移除。
8.一种使半导体晶片薄化的方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述分离阶段持续3秒-10秒。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述研磨机的表面在所述分离阶段期间被冲洗。
【技术特征摘要】
1.一种使半导体晶片薄化的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：重复研磨阶段。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：重复研磨阶段和分离阶段。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述研磨机与所述半导体晶片分离3微米-10微米。
5.一种使半导体晶片薄化的方法，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·塞登，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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