【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及一种包括光学传感器的半导体装置模块。
技术介绍
1、数字光学传感器(例如，互补金属氧化物半导体图像传感器(cis)或电荷耦合装置(ccd))通常封装在集成电路(ic)封装件中(即，陶瓷球网格阵列封装件(cbga)或塑料球网格阵列封装件(pbga)中，并在光学传感器管芯上放置盖玻璃或盖子。
技术实现思路
1、在一个总的方面，半导体管芯包括在基板中制造的半导体装置。所述基板具有正面、背面和从背面延伸至正面的倾斜侧壁。接触焊盘(contact pad)连接到半导体装置。所述接触焊盘嵌入在所述基板的正面中设置的中间电介质层(idl)中。所述接触焊盘具有接触焊盘边缘，所述接触焊盘边缘具有沿所述基板的倾斜侧壁对准的表面。再分配层(rdl)设置在基板的倾斜侧壁上。rdl通过沿基板的倾斜侧壁对准的接触焊盘边缘的所述表面直接与接触焊盘物理和电连接。
2、在一个总的方面，封装件包括光学传感器管芯。该光学传感器管芯具有设置在基板的正面的光学活性表面区域。盖玻璃附着在基板的正面，在基板的正面上设置的光学活性表面区域上。导电接触焊盘嵌入在设置在所述基板的正面上的中间电介质层(idl)中。所述基板具有沿所述idl的边缘从所述基板的背面延伸至所述基板的正面的倾斜侧壁。所述导电接触焊盘具有限定所述倾斜侧壁的一部分的接触焊盘边缘。
3、在另一方面，在倾斜侧壁上设置再分配层(rdl)。rdl通过限定倾斜侧壁的一部分的接触焊盘边缘，直接与导电接触焊盘物理和电连接。
4、在
5、该方法还包括：刻蚀从半导体基板的背面通过半导体基板的半导体材料直至设置在半导体基板正面的中间电介质层(idl)的沟槽。所述沟槽包括具有倾斜侧壁的v形，并且具有在所述idl中所包括的接触焊盘处的底部。
6、该方法还包括：通过化学气相沉积在半导体基板的暴露表面，包括沟槽的倾斜侧壁和半导体基板的背面上，沉积绝缘电介质层；以及在绝缘电介质层上沉积顺从焊料掩模(compliant solder mask,csm)层。
7、该方法还包括：通过所述沟槽底部形成(例如，切割)缺口以延伸所述沟槽通过所述接触焊盘。所述缺口将所述接触焊盘分成第一接触焊盘部分和第二接触焊盘部分，其各自具有与所述沟槽的倾斜侧壁对准的相应接触焊盘边缘。该方法还包括在沟槽中设置导电材料，以将与沟槽的倾斜侧壁对准的相应接触焊盘边缘连接到设置在半导体基板的背面上的再分配层(rdl)中的迹线或接触焊盘。
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1.一种半导体管芯，包括；
2.如权利要求1所述的半导体管芯，其中所述倾斜侧壁包括：沿所述半导体管芯的半导体材料从所述背面向所述正面延伸的第一倾斜部分，位于所述嵌入在设置在所述正面上的所述中间电介质层中的所述接触焊盘上方的平坦台阶部分，以及沿设置在所述正面的所述中间电介质层的边缘延伸的第二倾斜部分，
3.如权利要求2所述的半导体管芯，其中所述再分配层包括导电材料，所述导电材料形成将所述半导体管芯的所述背面连接到所述半导体管芯的所述正面的导电迹线和引线，以及
4.一种封装件，包括；
5.如权利要求4所述的封装件，其中所述倾斜侧壁包括：从所述光学传感器管芯的背面朝向所述正面延伸直至所述中间电介质层的第一倾斜部分，设置在嵌入在设置在所述正面上的所述中间电介质层中的所述导电接触焊盘上方的平坦台阶部分，以及沿着设置在所述正面上的所述中间电介质层的边缘延伸的第二倾斜部分，所述第二倾斜部分在沿所述导电接触焊盘的方向上以所述平坦台阶部分的宽度从所述第一倾斜部分偏移。
6.如权利要求5所述的封装件，进一步包括设置在所述倾斜侧壁的所述第一倾
7.如权利要求6所述的封装件，其中所述再分配层包括导电材料，所述导电材料形成将所述光学传感器管芯的背面连接到所述光学传感器管芯的正面的导电迹线和引线。
8.如权利要求6所述的封装件，其中所述再分配层包括形成在所述光学传感器管芯的背面上的导电焊盘，用于放置球栅阵列(BGA)的焊料球。
9.一种方法，包括；
10.如权利要求9所述的方法，其中所述半导体基板包括在其中制造的至少两个光学传感器装置，所述中间电介质层中包含的所述接触焊盘设置在所述至少两个光学传感器装置之间。
11.如权利要求9所述的方法，进一步包括：在设置在所述半导体基板的背面上的所述再分配层上设置焊料掩模层，并对所述焊料掩模层进行图案化，使其具有用于放置球栅阵列(BGA)的焊料球的至少一个开口。
12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：将所述组件的至少一部分包封在模制材料中；以及，沿着所述沟槽将所述组件切单以隔离或分离单独封装件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体管芯，包括；
2.如权利要求1所述的半导体管芯，其中所述倾斜侧壁包括：沿所述半导体管芯的半导体材料从所述背面向所述正面延伸的第一倾斜部分，位于所述嵌入在设置在所述正面上的所述中间电介质层中的所述接触焊盘上方的平坦台阶部分，以及沿设置在所述正面的所述中间电介质层的边缘延伸的第二倾斜部分，
3.如权利要求2所述的半导体管芯，其中所述再分配层包括导电材料，所述导电材料形成将所述半导体管芯的所述背面连接到所述半导体管芯的所述正面的导电迹线和引线，以及
4.一种封装件，包括；
5.如权利要求4所述的封装件，其中所述倾斜侧壁包括：从所述光学传感器管芯的背面朝向所述正面延伸直至所述中间电介质层的第一倾斜部分，设置在嵌入在设置在所述正面上的所述中间电介质层中的所述导电接触焊盘上方的平坦台阶部分，以及沿着设置在所述正面上的所述中间电介质层的边缘延伸的第二倾斜部分，所述第二倾斜部分在沿所述导电接触焊盘的方向上以所述平坦台阶部分的宽度从所述第一倾斜部分偏移。
6.如权利要求5所述的封装件，进一步包括设置在所述倾斜侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明耀，常建威，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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